나노구조체 및 이를 구현하는 광전지 document_id 1020127026038

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기pv 층들 각각의 평균 입자 크기미만인광전지 구조체. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기pv 층들 각각의 평균 입자 크기사이인광전지 구조체. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기pv 층들 각각의 성막 두께미만인광전지 구조체. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기pv 층들 각각의 성막 두께미만인광전지 구조체. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 광전지 나노구조체들의 어레이는 브러쉬 구성배열된광전지 구조체. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 나노케이블은길쭉한(elongated) 광전지 구조체. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 나노케이블은 실질적으로 균일한 주변부 및 종방향 길이갖는광전지 구조체. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기pv 층들은 펄스 도금의 물리적 특성나타내는광전지 구조체. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기pv 층들은 역펄스 도금(reverse pulse plating)의 물리적 특성나타내는광전지 구조체. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 광전지 나노구조체들의 어레이에 연관되는 광자당 하나 초과의 전자를 생성하는능력에의해지는광전지 구조체. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기pv 층들 중 하나는 도금된 p-형인광전지 구조체. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기pv 층들 위에 상부 도전층을 추가로 포함하고, 상기 상부 도전층은 상기 상부 도전층의 전기 전도성을 증가시키는 도펀트포함하는광전지 구조체. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 상부 도전층은 상기 pv 층들에 가장 가까운 비도핑된 층포함하는광전지 구조체. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기pv 층들 위에 상부 도전층을 추가로 포함하고, 상기 상부 도전층은 도핑된 도전성 산화물포함하는광전지 구조체. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기pv 층들 위에 상부 도전층, 및 상기 상부 도전층과 그에 가장 가까운 상기 pv 층 사이에 패시베이션 층을 추가포함하는광전지 구조체. [청구항 19] 제1항에 있어서,상기pv 층들 중 적어도 하나는 ii-vi p- 또는 n-형 재료 및 iii-v p- 또는 n-형 재료로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료포함하는광전지 구조체. [청구항 20] 제1항에 있어서,상기pv 층들 중 적어도 하나는 cdte, 황화 카드뮴, 비소화 갈륨, 구리 인듐 갈륨 셀레늄 및 비정질 실리콘으로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료포함하는광전지 구조체. [청구항 21] 제1항에 있어서,상기 나노케이블은 금속성이고, 상기 pv 층들 중 적어도 하나는 비정질 실리콘포함하는광전지 구조체. [청구항 22] 제1항에 있어서,상기 나노케이블은 니켈을 포함하고, 상기 pv 층들 중 적어도 하나는 비정질 실리콘포함하는광전지 구조체. [청구항 60] 제1항에 있어서,상기pv 층들 사이에 헤테로접합형성되는광전지 구조체. [청구항 61] 제1항에 있어서,상기pv 층들 사이에 정류 접합을 형성하는 계면층을 추가포함하는광전지 구조체. [청구항 62] 장치로서, 기판으로부터 연장된 나노케이블들의 어레이 iii-v 화합물 반도체를 포함하는 제1 반도체층 - 상기 제1 반도체층은 상기 나노케이블 위에 배치됨 -; 및 ii-vi 화합물 반도체를 포함하는 제2 반도체층 - 상기 제2 반도체층은 상기 나노케이블들 위에 배치되고 상기 제1 반도체층과 정류 접합을 형성함 - 을 포함하는 장치 [청구항 63] 제62항에 있어서,상기iii-v 및 ii-vi 화합물 반도체 사이의 상기 정류 접합을 강화하는 계면층을 추가포함하는장치. [청구항 64] 제62항에 있어서,상기ii-vi 화합물은 텔루르화카드뮴인장치. [청구항 65] 제62항에 있어서,상기iii-v 화합물은 질화갈륨인장치. [청구항 66] 제62항에 있어서,상기ii-vi 화합물은 텔루르화 카드뮴의합금인장치. [청구항 67] 제62항에 있어서,상기ii-vi 화합물은텔루르화카드뮴도핑된조성물인장치. [청구항 68] 제62항에 있어서,상기iii-v 화합물은 질화 갈륨의합금인장치. [청구항 69] 제62항에 있어서,상기iii-v 화합물은질화갈륨도핑된조성물인장치. [청구항 70] 제69항에 있어서,상기 질화 갈륨은 질화 갈륨알루미늄인장치. [청구항 71] 제62항에 있어서,상기 계면층은 산화물포함하는장치. [청구항 72] 제71항에 있어서,상기 산화물은 도핑된 산화주석인장치. [청구항 73] 제72항에 있어서,상기 도핑된 산화 주석은 아연-도핑된 산화주석인장치. [청구항 74] 제72항에 있어서,상기 도핑된 산화 주석은 카드뮴-도핑된 산화주석인장치. [청구항 75] 제71항에 있어서,상기 산화물은 도핑된 산화아연인장치. [청구항 76] 제71항에 있어서,상기 산화물은 산화 카드뮴아연인장치. [청구항 79] 제1항에 있어서,상기pv 층들의 공핍 영역은 상기 pv층들의전체두께에걸쳐연장되는광전지 구조체. [청구항 81] 제62항에 있어서,상기 제1 반도체층 및 제2 반도체층의 공핍 영역이상기반도체층들의전체두께에걸쳐연장되는장치. [청구항 82] 제62항에 있어서,상기 나노케이블들 및 반도체 층들을포함하는나노구조체들의 상부 직경 또는 폭은 하부 직경 또는 폭보다 더 작은 장치. [청구항 83] 제1항에 있어서,상기 도전성 나노케이블들과 그에 가장 가까운 상기 pv 층 사이에 계면을 형성하는 후방 콘택층을 추가로 포함하고, 상기 후방 콘택층은 상기 광전지 구조체의 voc를 향상시키고 상기 도전성 나노케이블에 대한 상기 pv 층의 접착력을 강화하기 위해 상기 계면의 페르미 준위 및 밴드벤딩의 조정을 돕는 금속성필름인광전지 구조체. [청구항 85] 제1항에 있어서,상기 광전지 구조체는 200 mm 실리콘 웨이퍼, 300 mm 실리콘 웨이퍼 및 450 mm 실리콘 웨이퍼로 구성된 그룹으로부터 선택된 기판상구축되는광전지 구조체. [청구항 86] 제1항에 있어서,상기 광전지 구조체는 평판 패널 디스플레이 유리의 기판상구축되는광전지 구조체. [청구항 87] 제1항에 있어서,상기 광전지 구조체는 가요성 기판상구축되는광전지 구조체. [청구항 88] 제1항에 있어서,상기 광전지 구조체는 유리 기판상구축되는광전지 구조체.