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발광소자 document_id 1020130010620

출원번호
1020130010620
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 배치되는 제1전극층 상기 제1전극층 상에 배치되는 윈도우층 상기 윈도우층 상에 배치되는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 구비하는 발광 구조물; 및 상기 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2전극층을 포함하고, 상기 제1전극층은, 상기 도전성 기판과 상기 윈도우층 사이에 배치되는 투명 전극층과 상기 투명 전극층에 서로 이격되어 배치되는 다수개의 금속 컨택부를 구비하는 오믹층을 포함하고, 상기 금속 컨택부는 적어도 일면이 상기 윈도우층과 접하고, 상기 윈도우층은 상기 금속 컨택부가 접하는 영역에 상기 제1반도체층의 극성과 같은 극성의 도펀트로 도핑된 도핑영역을 포함하는 발광소자 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 투명 전극층은, in2o3, sno2, zno, ito, cto, cualo2, cugao2 및 srcu2o2 중 적어도 하나포함하는발광소자. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 윈도우층은 gap, gaasp 및 algaas 중 어느 하나포함하는발광소자. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 금속 컨택부는,상기 투명 전극을 관통하고, 다른 일면은 상기 도전성기판과 접하는발광소자. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 금속 컨택부는 원기둥 또는 다각기둥의 형상가지는발광소자. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 제1반도체층은 p형 도펀트로 도핑되고, 상기 제2반도체층은 n형 도펀트도핑되는발광소자. [청구항 8] 제1항에 있어서,강기 발광 구조물은포함하는발광소자. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 도핑영역은 p형도펀트에의해도핑되는발광소자. [청구항 10] 제9항상기p형 도펀트는, mg, zn, ca, sr, ba 및 c 중 어느 하나포함하는발광소자. [청구항 11] 제1항상기 도핑영역은 상기 윈도우층의 표면돌출되는발광소자. [청구항 12] 제1항상기 금속 컨택층은 au 또는 au합금포함하는발광소자. [청구항 13] 제1항상기 제1전극층은,상기 오믹층의 아래에 배치되는 금속 접합층더 포함하는발광소자. [청구항 14] 제1항상기 제1전극층은,상기 오믹층의 아래에 배치되는 금속 반사층더 포함하는발광소자. [청구항 15] 제1항상기 도전성 기판은, si, ge, sic 및 aln 중 어느 하나포함하는발광소자. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기 금속 반사층은, au, al, ag, cr 및 ni 중 어느 하나포함하는발광소자. [청구항 17] 제13항에 있어서,상기 금속 접합층은 pbsn 합금, auge 합금, aube 합금, ausn 합금, sn, in 및 pdin 합금 중 어느 하나포함하는발광소자. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기 제2 반도체층의 상면에는 광추출 효율을 향상시키는 요철 패턴형성되는발광소자. [청구항 19] 제1항에 있어서,상기 발광구조물의 외주면 중 적어도 일부 영역에는 외부와 격리시키는 패시베이션층형성되는발광소자. [청구항 20] 제1항에 있어서,상기 발광구조물의 아래에 상기 제2 전극층과 수직 방향으로 적어도 일영역이 중첩되게 배치되며, 상기 제1 전극층 보다 전기 전도율이 낮은 전류차단층더 포함하는발광소자. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 전류차단층은,산화알루미늄(al2o3), 산화실리콘(sio2), 질화실리콘(si3n4), 산화티탄(tiox), 알루미늄산화아연(azo, aluminum zinc oxide) 및 인듐 아연 산화물(izo, indium zinc oxide) 중 적어도 하나포함하는발광소자. [청구항 22] 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지에 있어서, 상기 발광소자는, 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 배치되는 제1전극층 상기 제1전극층 상에 배치되는 윈도우층 상기 윈도우층 상에 배치되는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 구비하는 발광 구조물; 및 상기 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2전극층을 포함하고, 상기 제1전극층은, 상기 도전성 기판과 상기 윈도우층 사이에 배치되는 투명 전극층과 상기 투명 전극층에 서로 이격되어 배치되는 다수개의 금속 컨택부를 구비하는 오믹층을 포함하고, 상기 금속 컨택부는 적어도 일면이 상기 윈도우층과 접하고, 상기 윈도우층은 상기 금속 컨택부가 접하는 영역에 상기 제1반도체층의 극성과 같은 극성의 도펀트로 도핑된 도핑영역을 포함하는 발광소자 패키지. [청구항 23] 발광소자를 포함하는 조명 시스템에 있어서, 상기 발광소자는, 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 배치되는 제1전극층 상기 제1전극층 상에 배치되는 윈도우층 상기 윈도우층 상에 배치되는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 구비하는 발광 구조물; 및 상기 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2전극층을 포함하고, 상기 제1전극층은, 상기 도전성 기판과 상기 윈도우층 사이에 배치되는 투명 전극층과 상기 투명 전극층에 서로 이격되어 배치되는 다수개의 금속 컨택부를 구비하는 오믹층을 포함하고, 상기 금속 컨택부는 적어도 일면이 상기 윈도우층과 접하고, 상기 윈도우층은 상기 금속 컨택부가 접하는 영역에 상기 제1반도체층의 극성과 같은 극성의 도펀트로 도핑된 도핑영역을 포함하는 조명 시스템. [청구항 24] 발광소자를 포함하는 백라이트 유닛에 있어서, 상기 발광소자는, 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 배치되는 제1전극층 상기 제1전극층 상에 배치되는 윈도우층 상기 윈도우층 상에 배치되는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 구비하는 발광 구조물; 및 상기 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2전극층을 포함하고, 상기 제1전극층은, 상기 도전성 기판과 상기 윈도우층 사이에 배치되는 투명 전극층과 상기 투명 전극층에 서로 이격되어 배치되는 다수개의 금속 컨택부를 구비하는 오믹층을 포함하고, 상기 금속 컨택부는 적어도 일면이 상기 윈도우층과 접하고, 상기 윈도우층은 상기 금속 컨택부가 접하는 영역에 상기 제1반도체층의 극성과 같은 극성의 도펀트로 도핑된 도핑영역을 포함하는 백라이트 유닛.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제1전극층의 오믹층에 포함되는 금속 컨택부가 윈도우층과 접하는 영역에서, 윈도우층의 도핑영역은 제1 반도체층의 극성과 어떠한 관계를 갖도록 도핑되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    금속 컨택부가 윈도우층과 접하는 영역에서 윈도우층의 도핑영역이 제1 반도체층의 극성과 갖는 관계를 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1에서 금속 컨택부의 위치와 윈도우층의 도핑영역에 관한 기술적 구성을 추출한다.

    • 상기 금속 컨택부는 적어도 일면이 상기 윈도우층과 접하고, 상기 윈도우층은 상기 금속 컨택부가 접하는 영역에 상기 제1반도체층의 극성과 같은 극성의 도펀트로 도핑된 도핑영역을 포함하는
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문과 직접적으로 관련된 '도핑영역'과 '제1 반도체층의 극성' 간의 관계를 명시한 구절을 선택한다.

    • 상기 윈도우층은 상기 금속 컨택부가 접하는 영역에 상기 제1반도체층의 극성과 같은 극성의 도펀트로 도핑된 도핑영역을 포함하는
  4. 4논리 통합logical_integration

    문맥에 따르면 윈도우층의 도핑영역은 금속 컨택부가 접하는 영역에서 제1 반도체층의 극성과 동일한 극성을 갖도록 설정되어 있다.

    • 상기 제1반도체층의 극성과 같은 극성의 도펀트로 도핑된 도핑영역을 포함하는
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    윈도우층의 도핑영역은 제1 반도체층의 극성과 같은 극성을 갖도록 도핑된다.

    • 상기 제1반도체층의 극성과 같은 극성의 도펀트로 도핑된 도핑영역을 포함하는
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.

    • 상기 제1반도체층의 극성과 같은 극성의 도펀트로 도핑된 도핑영역을 포함하는
최종 답변 (final_answer)
제1 반도체층의 극성과 같은 극성의 도펀트로 도핑된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
금속 컨택부와 윈도우층이 접하는 영역에서 윈도우층을 제1 반도체층과 동일한 극성으로 도핑함으로써 오믹 접촉 특성을 최적화하는 기술이다.