문맥 (context)
[청구항 1]
도전성 기판;
상기 도전성 기판 상에 배치되는 제1전극층
상기 제1전극층 상에 배치되는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 구비하는 발광 구조물; 및
상기 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2전극층을 포함하고,
상기 제1전극층은,
상기 도전성 기판 상에 배치되는 금속 전극층과
상기 금속 전극층 상에 배치되는 투명 전극층과
상기 금속 전극층에서 연장되고 상기 투명 전극층을 관통하여 상기 발광구조물에 접하는 컨택부를 포함하고,
상기 컨택부는 복수개가 서로 이격되어 배치되고, au 및 be 중 적어도 하나 이상을 포함하는 발광소자
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 투명 전극층은, in2o3, sno2, zno, ito, cto, cualo2, cugao2 및 srcu2o2 중 적어도 하나포함하는발광소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 금속 전극층의 재질은 상기 컨택부의 재질동일한발광소자．
[청구항 5]
제１항에 있어서,상기 컨택부는 원기둥 또는 다각기둥의 형상가지는발광소자．
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 컨택부가 접하는 상기 발광구조물의 표면에 be가 확산되는발광소자.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 발광구조물은 상기 제1전극층과 접하는 윈도우층더 포함하는발광소자．
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 윈도우층은 gap, gaasp 및 algaas 중 어느 하나포함하는발광소자．
[청구항 9]
제7항에 있어서,상기 발광구조물의 윈도우층은 상기 컨택부가 접하는 영역에 상기 제1반도체층의 극성과 같은 극성의 도펀트로 도핑된 도핑영역포함하는발광소자.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 도핑영역은 p형도펀트에의해도핑되는발광소자.
[청구항 11]
제10항에 있어서，상기 p형 도펀트는, mg, zn, ca, sr, ba 및 c 중 어느 하나포함하는발광소자.
[청구항 12]
제9항상기 도핑영역은 상기 윈도우층의 표면돌출되는발광소자.
[청구항 13]
제1항에 있어서,상기 제１반도체층은 ｐ형 도펀트로 도핑되고，상기 제２반도체층은 ｎ형 도펀트도핑되는발광소자．
[청구항 14]
제1항에 있어서,상기 발광 구조물은포함하는발광소자．
[청구항 15]
제1항상기 제１전극층은，상기 금속 전극층의 아래에 배치되는 금속 접합층더 포함하는발광소자．
[청구항 16]
제1항상기 도전성 기판은, si, ge, sic 및 aln 중 어느 하나포함하는발광소자．
[청구항 17]
제15항에 있어서,상기 금속 접합층은, pbsn 합금, auge 합금, aube 합금, ausn 합금, sn, in 및 pdin 합금 중 어느 하나포함하는발광소자．
[청구항 18]
제1항에 있어서,상기 제2 반도체층의 상면에는 광추출 효율을 향상시키는 요철 패턴형성되는발광소자．
[청구항 19]
제1항에 있어서,상기 발광구조물의 외주면 중 적어도 일부 영역에는 외부와 격리시키는 패시베이션층형성되는발광소자．
[청구항 20]
제1항에 있어서,상기 발광구조물의 아래에 상기 제２ 전극층과 수직 방향으로 적어도 일 영역이 중첩되게 배치되며, 상기 제１ 전극층 보다 전기 전도율이 낮은 전류차단층더 포함하는발광소자.
[청구항 21]
제2항에 있어서,상기 전류차단층은,산화알루미늄(al2o3), 산화실리콘(sio2), 질화실리콘(si3n4), 산화티탄(tiox), 알루미늄산화아연(azo, aluminum zinc oxide) 및 인듐 아연 산화물(izo, indium zinc oxide) 중 적어도 하나포함하는발광소자．
[청구항 22]
발광소자를 포함하는 발광소자 패키지에 있어서，
상기 발광소자는，
도전성 기판;
상기 도전성 기판 상에 배치되는 제1전극층
상기 제1전극층 상에 배치되는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 구비하는 발광 구조물; 및
상기 제2 반도체와 전기적으로 연결된 제2전극층을 포함하고,
상기 제1전극층은,
상기 도전성 기판 상에 배치되는 금속 전극층과
상기 금속 전극층 상에 배치되는 투명 전극층과
상기 금속 전극층에서 연장되고 상기 투명 전극층을 관통하여 상기 발광구조물에 접하는 금속 전극층 컨택부를 포함하고,
상기 컨택부는 복수개가 서로 이격되어 배치되고, au 및 be 중 적어도 하나 이상을 포함하는 발광소자 패키지．
[청구항 23]
발광소자를 포함하는 조명 시스템에 있어서，
상기 발광소자는，
도전성 기판;
상기 도전성 기판 상에 배치되는 제1전극층
상기 제1전극층 상에 배치되는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 구비하는 발광 구조물; 및
상기 제2 반도체와 전기적으로 연결된 제2전극층을 포함하고,
상기 제1전극층은,
상기 도전성 기판 상에 배치되는 금속 전극층과
상기 금속 전극층 상에 배치되는 투명 전극층과
상기 금속 전극층에서 연장되고 상기 투명 전극층을 관통하여 상기 발광구조물에 접하는 금속 전극층 컨택부를 포함하고,
상기 컨택부는 복수개가 서로 이격되어 배치되고, au 및 be 중 적어도 하나 이상을 포함하는 조명 시스템．
[청구항 24]
발광소자를 포함하는 백라이트 유닛에 있어서，
상기 발광소자는，
도전성 기판;
상기 도전성 기판 상에 배치되는 제1전극층
상기 제1전극층 상에 배치되는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 위치하는 활성층을 구비하는 발광 구조물; 및
상기 제2 반도체와 전기적으로 연결된 제2전극층을 포함하고,
상기 제1전극층은,
상기 도전성 기판 상에 배치되는 금속 전극층과
상기 금속 전극층 상에 배치되는 투명 전극층과
상기 금속 전극층에서 연장되고 상기 투명 전극층을 관통하여 상기 발광구조물에 접하는 금속 전극층 컨택부를 포함하고,
상기 컨택부는 복수개가 서로 이격되어 배치되고, au 및 be 중 적어도 하나 이상을 포함하는 백라이트 유닛．
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
발광소자의 제1전극층 구성 요소 중, 금속 전극층에서 연장되어 투명 전극층을 관통하고 발광구조물에 접하는 부분의 재질은 무엇이며, 이 부분의 형상은 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1전극층의 구성 요소 중 금속 전극층에서 연장되어 투명 전극층을 관통하고 발광구조물에 접하는 부분(컨택부)의 재질과 형상을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 해당 부분은 '컨택부'로 정의되며, 재질은 'au 및 be 중 적어도 하나 이상'을 포함한다고 명시되어 있다.
- 상기 금속 전극층에서 연장되고 상기 투명 전극층을 관통하여 상기 발광구조물에 접하는 컨택부를 포함하고, 상기 컨택부는 복수개가 서로 이격되어 배치되고, au 및 be 중 적어도 하나 이상을 포함하는
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3근거 선택
evidence_selection컨택부의 재질에 관한 청구항 1의 구절과 형상에 관한 청구항 5의 구절을 선택한다.
- 상기 컨택부는 원기둥 또는 다각기둥의 형상
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4논리 통합
logical_integration청구항 1을 통해 재질이 au(금) 또는 be(베릴륨) 중 적어도 하나임을 확인하고, 청구항 5를 통해 형상이 원기둥 또는 다각기둥임을 결합한다.
- 상기 컨택부는 원기둥 또는 다각기둥의 형상
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5결론 도출
conclusion_formulation재질은 au 및 be 중 적어도 하나 이상이며, 형상은 원기둥 또는 다각기둥이다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 재질과 형상을 구분하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
재질은 au 및 be 중 적어도 하나 이상을 포함하며, 형상은 원기둥 또는 다각기둥이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
발광소자의 제1전극층 내에서 발광구조물과 직접 접촉하는 컨택부의 재질(au, be)과 기하학적 형상(원기둥, 다각기둥)을 규정하고 있다.