웨이퍼 가공체, 웨이퍼 가공용 부재, 웨이퍼 가공용 가접착재 및 박형 웨이퍼의 제조 방법 document_id 1020130021057

[청구항 1] 지지체 상에 가접착재층이 형성되고, 상기 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼가 적층되어 이루어지는 웨이퍼 가공체에 있어서, 상기 가접착재층이, 상기 웨이퍼의 표면에 박리 가능하게 접착된 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a)으로 이루어진 제1 가접착층과, 상기 제1 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 박리 가능하게 접착된 열경화성 변성 실록산 중합체층(b)으로 이루어진 제2 가접착층을 구비한 웨이퍼 가공체 [청구항 2] 지지체 상에 가접착재층이 형성되고, 상기 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼가 적층되어 이루어지는 웨이퍼 가공체에 있어서, 상기 가접착재층이, 상기 웨이퍼의 표면에 박리 가능하게 접착된 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a)으로 이루어진 제1 가접착층, 상기 제1 가접착층에 적층되어, 열경화성 변성 실록산 중합체층(b)으로 이루어진 제2 가접착층, 및 상기 제2 가접착층에 적층되어, 상기 지지체에 박리 가능하게 접착된, 상기 제1 가접착층과 동일한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a’)으로 이루어진 제3 가접착층의 3층 구조를 가지는 복합 가접착층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체 [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환비치환된1가 탄화수소기이다.) [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환비치환된1가 탄화수소기이다.) [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~30몰%가 탄소수 2~7의 알케닐기인 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(a1)과,하기 평균 조성식(1)r7ar8bhcsio(4-a-b-c)/2(1)(식 중 r7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, r8은 2가의 유기기이다. a, b 및 c는 0003c#a≤2.5, 0≤b≤1, 0.75≤a＋b≤2.5, 0.005≤c≤1, 또한 0.8≤a＋b＋c≤4를 만족하는 정수이다.)으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 sih기를 가지는 하이드로실릴기 함유 화합물로서, 상기 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(a1)의 총 알케닐기에 대하여 총 sih기가 0.4~1.0배가 되는 양의 상기 하이드로실릴기 함유 화합물(a2)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인것을특징으로 하는웨이퍼 가공체. [청구항 6] 제2항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~30몰%가 탄소수 2~7의 알케닐기인 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(a1)과,하기 평균 조성식(1)r7ar8bhcsio(4-a-b-c)/2(1)(식 중 r7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, r8은 2가의 유기기이다. a, b 및 c는 0003c#a≤2.5, 0≤b≤1, 0.75≤a＋b≤2.5, 0.005≤c≤1, 또한 0.8≤a＋b＋c≤4를 만족하는 정수이다.)으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 sih기를 가지는 하이드로실릴기 함유 화합물로서, 상기 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(a1)의 총 알케닐기에 대하여 총 sih기가 0.4~1.0배가 되는 양의 상기 하이드로실릴기 함유 화합물(a2)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인것을특징으로 하는웨이퍼 가공체. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~20몰%가 수소원자인 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(a3)과,하기 평균 조성식(2)r9dr10er11fsio(4-d-e-f)/2(2)(단, 식 중 r9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, r10은 2가의 유기기이다. r11은 탄소수 2~6의 알케닐기이다. d, e, f는 0003c#d≤2, 0≤e≤1, 0.75≤d＋e≤3, 0.01≤f≤1, 또한 0.8≤d＋e＋f≤4를 만족하는 정수이다.)으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 가지는 알케닐기 함유 화합물로서, 상기 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(a3)의 총 sih기에 대하여 총 알케닐기가 1.0~2.5배가 되는 양의 상기 알케닐기 함유 화합물(a4)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인것을특징으로 하는기재의 웨이퍼 가공체. [청구항 8] 제2항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~20몰%가 수소원자인 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(a3)과,하기 평균 조성식(2)r9dr10er11fsio(4-d-e-f)/2(2)(단, 식 중 r9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, r10은 2가의 유기기이다. r11은 탄소수 2~6의 알케닐기이다. d, e, f는 0003c#d≤2, 0≤e≤1, 0.75≤d＋e≤3, 0.01≤f≤1, 또한 0.8≤d＋e＋f≤4를 만족하는 정수이다.)으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 가지는 알케닐기 함유 화합물로서, 상기 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(a3)의 총 sih기에 대하여 총 알케닐기가 1.0~2.5배가 되는 양의 상기 알케닐기 함유 화합물(a4)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인것을특징으로 하는기재의 웨이퍼 가공체. [청구항 9] 제5항에 있어서,상기 하이드로실릴기 함유 화합물(a2)이, 하기 구조식(3)으로 표시되는 양 말단에 sih기를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 하기 구조식(4)으로 표시되는 양 말단에 sih기를 함유하는 비스실릴 화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.(식 중, n은 0~400의 정수, r12~r14는, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다.)(식 중, r15~r17은, 동일하거나 상이한, 치환비치환된1가의 유기기이다. w는 2가의 유기기이다.) [청구항 10] 제6항에 있어서,상기 하이드로실릴기 함유 화합물(a2)이, 하기 구조식(3)으로 표시되는 양 말단에 sih기를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 하기 구조식(4)으로 표시되는 양 말단에 sih기를 함유하는 비스실릴 화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.(식 중, n은 0~400의 정수, r12~r14는, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다.)(식 중, r15~r17은, 동일하거나 상이한, 치환비치환된1가의 유기기이다. w는 2가의 유기기이다.) [청구항 11] 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열경화성 변성 실록산 중합체층(b)이, 하기 일반식(5)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 실페닐렌 함유 고분자 화합물, 또는 하기 일반식(6)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 에폭시기 함유 실리콘 고분자 화합물로 이루어진 열경화성 변성 실록산 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 가지는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공체.[식 중, r18~r21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, a는 정수, b는 0 또는 정수이다. x는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기이다.중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다. 또한, r22, r23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)][식 중, r18~r21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, g, h, i, j는 0 또는 정수이고, 단, i 및 j가 동시에 0이 되는 경우는 없으며, 또한, 0003c#(i＋j)/(g＋h＋i＋j)≤1.0이다. 또한, x는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기, y는 하기 일반식(8)으로 표시되는 2가의 유기기이다.중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다. 또한, r22, r23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, p는 0 또는 1이다. 또한, r24, r25는 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며,상호동일하거나상이할 수도 있다. q는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)] [청구항 20] 지지체 상에 가접착재층이 형성되고, 상기 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼가 가접착되는 웨이퍼 가공용 부재에 있어서, 상기 가접착재층이, 상기 지지체에 박리 가능하게 접착된 열경화성 변성 실록산 중합체층(b)으로 이루어진 제2 가접착층과, 상기 제 2 가접착층 상에 적층되어, 상기 웨이퍼의 표면에 박리 가능하게 접착할 수 있는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a)으로 이루어진 제1 가접착층을 구비한 웨이퍼 가공용 부재 [청구항 21] 지지체 상에 가접착재층이 형성되고, 상기 가접착재층 상에, 표면에 회로면을 가지며, 이면을 가공해야 하는 웨이퍼가 가접착되는 웨이퍼 가공용 부재에 있어서, 상기 가접착재층이, 상기 지지체에 박리 가능하게 접착된 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a’)으로 이루어진 제3 가접착층과, 상기 제3 가접착층 상에 적층되어, 열경화성 변성 실록산 중합체층(b)으로 이루어진 제2 가접착층과, 상기 제 2 가접착층 상에 적층되어, 상기 웨이퍼의 표면에 박리 및 접착 가능한, 상기 제3 가접착층과 동일한 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a)으로 이루어진 제1 가접착층을 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재 [청구항 22] 제20항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재.(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환비치환된1가 탄화수소기이다.) [청구항 23] 제21항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재.(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환비치환된1가 탄화수소기이다.) [청구항 24] 제20항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~30몰%가 탄소수 2~7의 알케닐기인 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(a1)과,하기 평균 조성식(1)r7ar8bhcsio(4-a-b-c)/2(1)(식 중 r7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, r8은 2가의 유기기이다. a, b 및 c는 0003c#a≤2.5, 0≤b≤1, 0.75≤a＋b≤2.5, 0.005≤c≤1, 또한 0.8≤a＋b＋c≤4를 만족하는 정수이다.)으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 sih기를 가지는 하이드로실릴기 함유 화합물로서, 상기 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(a1)의 총 알케닐기에 대하여 총 sih기가 0.4~1.0배가 되는 양의 상기 하이드로실릴기 함유 화합물(a2)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인것을특징으로 하는웨이퍼 가공용 부재. [청구항 25] 제21항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~30몰%가 탄소수 2~7의 알케닐기인 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(a1)과,하기 평균 조성식(1)r7ar8bhcsio(4-a-b-c)/2(1)(식 중 r7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, r8은 2가의 유기기이다. a, b 및 c는 0003c#a≤2.5, 0≤b≤1, 0.75≤a＋b≤2.5, 0.005≤c≤1, 또한 0.8≤a＋b＋c≤4를 만족하는 정수이다.)으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 sih기를 가지는 하이드로실릴기 함유 화합물로서, 상기 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(a1)의 총 알케닐기에 대하여 총 sih기가 0.4~1.0배가 되는 양의 상기 하이드로실릴기 함유 화합물(a2)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인것을특징으로 하는웨이퍼 가공용 부재. [청구항 26] 제20항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~20몰%가 수소원자인 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(a3)과, 하기 평균 조성식(2)r9dr10er11fsio(4-d-e-f)/2(2)(단, 식 중 r9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, r10은 2가의 유기기이다. r11은 탄소수 2~6의 알케닐기이다. d, e, f는 0003c#d≤2, 0≤e≤1, 0.75≤d＋e≤3, 0.01≤f≤1, 또한 0.8≤d＋e＋f≤4를 만족하는 정수이다.)으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 가지는 알케닐기 함유 화합물로서, 상기 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(a3)의 총 sih기에 대하여 총 알케닐기가 1.0~2.5배가 되는 양의 상기 알케닐기 함유 화합물(a4)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인것을특징으로 하는웨이퍼 가공용 부재. [청구항 27] 제21항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~20몰%가 수소원자인 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(a3)과,하기 평균 조성식(2)r9dr10er11fsio(4-d-e-f)/2(2)(단, 식 중 r9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, r10은 2가의 유기기이다. r11은 탄소수 2~6의 알케닐기이다. d, e, f는 0003c#d≤2, 0≤e≤1, 0.75≤d＋e≤3, 0.01≤f≤1, 또한 0.8≤d＋e＋f≤4를 만족하는 정수이다.)으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 가지는 알케닐기 함유 화합물로서, 상기 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(a3)의 총 sih기에 대하여 총 알케닐기가 1.0~2.5배가 되는 양의 상기 알케닐기 함유 화합물(a4)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인것을특징으로 하는웨이퍼 가공용 부재. [청구항 28] 제24항에 있어서,상기 하이드로실릴기 함유 화합물(a2)이, 하기 구조식(3)으로 표시되는 양 말단에 sih기를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 하기 구조식(4)으로 표시되는 양 말단에 sih기를 함유하는 비스실릴 화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재.(식 중, n은 0~400의 정수, r12~r14는, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다.)(식 중, r15~r17은, 동일하거나 상이한, 치환비치환된1가의 유기기이다. w는 2가의 유기기이다.) [청구항 29] 제25항에 있어서,상기 하이드로실릴기 함유 화합물(a2)이, 하기 구조식(3)으로 표시되는 양 말단에 sih기를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 하기 구조식(4)으로 표시되는 양 말단에 sih기를 함유하는 비스실릴 화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재.(식 중, n은 0~400의 정수, r12~r14는, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다.)(식 중, r15~r17은, 동일하거나 상이한, 치환비치환된1가의 유기기이다. w는 2가의 유기기이다.) [청구항 30] 제20항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서,상기 중합체층(b)이, 하기 일반식(5)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 실페닐렌 함유 고분자 화합물, 또는 하기 일반식(6)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 에폭시기 함유 실리콘 고분자 화합물로 이루어진 열경화성 변성 실록산 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 가지는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 부재.[식 중, r18~r21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, a는 정수, b는 0 또는 정수이다. x는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기이다.중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다.또한, r22, r23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)][식 중, r18~r21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, g, h, i, j는 0 또는 정수이고, 단, i 및 j가 동시에 0이 되는 경우는 없으며, 또한, 0003c#(i＋j)/(g＋h＋i＋j)≤1.0이다. 또한, x는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기, y는 하기 일반식(8)으로 표시되는 2가의 유기기이다.중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다. 또한, r22, r23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, p는 0 또는 1이다. 또한, r24, r25는 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며,상호동일하거나상이할 수도 있다. q는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)] [청구항 33] 제31항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환비치환된1가 탄화수소기이다.) [청구항 34] 제32항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환비치환된1가 탄화수소기이다.) [청구항 35] 제31항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~30몰%가 탄소수 2~7의 알케닐기인 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(a1)과,하기 평균 조성식(1)r7ar8bhcsio(4-a-b-c)/2(1)(식 중 r7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, r8은 2가의 유기기이다. a, b 및 c는 0003c#a≤2.5, 0≤b≤1, 0.75≤a＋b≤2.5, 0.005≤c≤1, 또한 0.8≤a＋b＋c≤4를 만족하는 정수이다.)으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 sih기를 가지는 하이드로실릴기 함유 화합물로서, 상기 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(a1)의 총 알케닐기에 대하여 총 sih기가 0.4~1.0배가 되는 양의 상기 하이드로실릴기 함유 화합물(a2)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용가접착재. [청구항 36] 제32항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~30몰%가 탄소수 2~7의 알케닐기인 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(a1)과,하기 평균 조성식(1)r7ar8bhcsio(4-a-b-c)/2(1)(식 중 r7은 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, r8은 2가의 유기기이다. a, b 및 c는 0003c#a≤2.5, 0≤b≤1, 0.75≤a＋b≤2.5, 0.005≤c≤1, 또한 0.8≤a＋b＋c≤4를 만족하는 정수이다.)으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 sih기를 가지는 하이드로실릴기 함유 화합물로서, 상기 알케닐기 함유 오르가노폴리실록산(a1)의 총 알케닐기에 대하여 총 sih기가 0.4~1.0배가 되는 양의 상기 하이드로실릴기 함유 화합물(a2)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용가접착재. [청구항 37] 제31항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~20몰%가 수소원자인 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(a3)과,하기 평균 조성식(2)r9dr10er11fsio(4-d-e-f)/2(2)(단, 식 중 r9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, r10은 2가의 유기기이다. r11은 탄소수 2~6의 알케닐기이다. d, e, f는 0003c#d≤2, 0≤e≤1, 0.75≤d＋e≤3, 0.01≤f≤1, 또한 0.8≤d＋e＋f≤4를 만족하는 정수이다.)으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 가지는 알케닐기 함유 화합물로서, 상기 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(a3)의 총 sih기에 대하여 총 알케닐기가 1.0~2.5배가 되는 양의 상기 알케닐기 함유 화합물(a4)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용가접착재. [청구항 38] 제32항에 있어서,상기 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산층(a) 및 (a’)가, 하기 (i)~(iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기 함유 오르가노폴리실록산 중,(i) r1sio3/2로 표시되는 실록산 단위(t단위): 40~99몰%(ii) r2r3sio2/2로 표시되는 실록산 단위(d단위): 59몰% 이하(iii) r4r5r6sio1/2로 표시되는 실록산 단위(m단위): 1~30몰%(상기 r1~r6은 1가의 유기기 또는 수소원자이고, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 50몰% 이상은 탄소수 3~20의 비방향족 포화 탄화수소기이고, 또한, 상기 r1~r3으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 40몰% 이상은, 동일하거나 상이한, 탄소수 5~7의 하기 환상 구조를 포함하는 비방향족 포화 탄화수소기이며, 또한, 상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 비방향족 포화 탄화수소기 이외에는, 동일하거나 상이한, 수소원자 또는 탄소수 1~7의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이다.)상기 r1~r6으로 나타낸 전체 유기기 및 수소원자 중 2~20몰%가 수소원자인 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(a3)과,하기 평균 조성식(2)r9dr10er11fsio(4-d-e-f)/2(2)(단, 식 중 r9는 알케닐기를 제외한 1가의 유기기이고, r10은 2가의 유기기이다. r11은 탄소수 2~6의 알케닐기이다. d, e, f는 0003c#d≤2, 0≤e≤1, 0.75≤d＋e≤3, 0.01≤f≤1, 또한 0.8≤d＋e＋f≤4를 만족하는 정수이다.)으로 표시되며, 1분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 가지는 알케닐기 함유 화합물로서, 상기 하이드로실릴기 함유 오르가노폴리실록산(a3)의 총 sih기에 대하여 총 알케닐기가 1.0~2.5배가 되는 양의 상기 알케닐기 함유 화합물(a4)을, 백금족 금속계 촉매의 존재 하에 하이드로실릴화 반응시켜 얻은 오르가노폴리실록산층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용가접착재. [청구항 39] 제35항에 있어서,상기 하이드로실릴기 함유 화합물(a2)이, 하기 구조식(3)으로 표시되는 양 말단에 sih기를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 하기 구조식(4)으로 표시되는 양 말단에 sih기를 함유하는 비스실릴 화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.(식 중, n은 0~400의 정수, r12~r14는, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다.)(식 중, r15~r17은, 동일하거나 상이한, 치환비치환된1가의 유기기이다. w는 2가의 유기기이다.) [청구항 40] 제36항에 있어서,상기 하이드로실릴기 함유 화합물(a2)이, 하기 구조식(3)으로 표시되는 양 말단에 sih기를 함유하는 오르가노하이드로젠폴리실록산, 또는 하기 구조식(4)으로 표시되는 양 말단에 sih기를 함유하는 비스실릴 화합물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.(식 중, n은 0~400의 정수, r12~r14는, 동일하거나 상이한, 치환 또는 비치환된 1가의 유기기이다.)(식 중, r15~r17은, 동일하거나 상이한, 치환비치환된1가의 유기기이다. w는 2가의 유기기이다.) [청구항 41] 제31항 내지 제40항 중 어느 한 항에 있어서,상기 중합체층(b)이, 하기 일반식(5)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 실페닐렌 함유 고분자 화합물, 또는 하기 일반식(6)으로 표시되는 반복단위를 가지는 중량평균 분자량이 3,000~500,000인 에폭시기 함유 실리콘 고분자 화합물로 이루어진 열경화성 변성 실록산 중합체 100질량부에 대하여, 가교제로서 포르말린 또는 포르말린-알코올에 의해 변성된 아미노 축합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 1분자 중에 평균 2개 이상의 메틸올기 또는 알콕시메틸올기를 가지는 페놀 화합물, 및 1분자 중에 평균 2개 이상의 에폭시기를 가지는 에폭시 화합물로부터 선택되는 어느 1종 이상을 0.1~50질량부 함유하는 조성물의 경화물층인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 가접착재.[식 중, r18~r21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, a는 정수, b는 0 또는 정수이다. x는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기이다.중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다.또한, r22, r23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)][식 중, r18~r21은 동일하거나 상이할 수도 있는 탄소원자수 1~8의 1가 탄화수소기를 나타낸다. 또한, m은 1~100의 정수이며, g, h, i, j는 0 또는 정수이고, 단, i 및 j가 동시에 0이 되는 경우는 없으며, 또한, 0003c#(i＋j)/(g＋h＋i＋j)≤1.0이다. 또한, x는 하기 일반식(7)으로 표시되는 2가의 유기기, y는 하기 일반식(8)으로 표시되는 2가의 유기기이다.중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, n은 0 또는 1이다. 또한, r22, r23은 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며, 상호 동일하거나 상이할 수도 있다. k는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)중 어느 하나로부터 선택되는 2가의 유기기이고, p는 0 또는 1이다. 또한, r24, r25는 각각 탄소원자수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기이며,상호동일하거나상이할 수도 있다. q는 0, 1, 2 중 어느 하나이다.)]