전도성 박막, 이의 제조 방법 및 이를 포함한 전자 소자 document_id 1020130022497

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 전도성 고분자가, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리스티렌, 폴리에틸렌디옥시티오펜, 폴리아세틸렌, 폴리페닐렌, 폴리페닐비닐렌, 폴리카바졸, 이들 중 2 이상의 서로 다른 반복 단위를 포함한 공중합체, 이들의 유도체 또는 이들 중 2 이상의 블렌드포함한,전도성 박막. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는, 이온기 및 고분자산(polymeric acid) 중 1종 이상으로 도핑된 셀프-도핑(self-doped) 전도성 고분자를 포함하고, 상기 이온기는 음이온기 및 상기 음이온기에 대한 카운터 양이온기를 포함하고, 상기 음이온기는 po32-, so3-, coo-, i-, ch3coo- 및 bo22-으로 이루어진 군에서 선택되고,상기 양이온기는 금속 이온 및 유기 이온 중 1종 이상을 포함하고,상기 금속 이온은 na+, k+, li+, mg+2, zn+2 및 al+3으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 유기 이온은 h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+ 및 rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)로 이루어진 군선택된,전도성 박막. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 제1불소계 물질 및 제2불소계 물질이 서로 독립적으로, 하기 화학식 1로 표시되는 이오노머인, 전도성 박막:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1에서, 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000, 0≤ a ≤ 20, 0 ≤ b ≤ 20 이고;a, b, a'및 b'는 각각 독립적으로, c, si, ge, sn, 및 pb로 이루어지는 군으로부터 선택되고;r1, r2, r3, r4, r1', r2', r3' 및 r4' 는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 니트로기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 c1-c30 알킬기, 치환 또는 비치환된 c1-c30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 c1-c30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 c1-c30 헤테로알콕시기, 치환 또는 비치환된 c6-c30 아릴기, 치환 또는 비치환된 c6-c30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 c6-c30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 c2-c30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 c2-c30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 c2-c30의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 c5-c20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 c2-c30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 c1-c30 알킬에스테르기, 치환 또는 비치환된 c1-c30 헤테로알킬에스테르기, 치환 또는 비치환된 c6-c30의 아릴에스테르기 및, 치환 또는 비치환된 c2-c30의 헤테로아릴에스테르기로 이루어진 군으로부터 선택되며, 단, r1, r2, r3, 및 r4 중에서 적어도 하나 이상은 이온기이거나, 이온기를 포함하고; x 및 x'는 각각 독립적으로 단순 결합, o, s, 치환 또는 비치환된 c1-c30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 c1-c30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 c6-c30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 c6-c30의 아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 c2-c30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 c2-c30의 헤테로아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 c5-c20의 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 c5-c30의 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 c6-c30의 아릴에스테르기 및, 치환 또는 비치환된 c2-c30의 헤테로아릴에스테르기로 이루어진 군으로부터 선택되되,단, n이 0인 경우, r1, r2, r3, 및 r4 중에서 적어도 하나 이상은 할로겐 원소포함하는소수성 작용기이거나, 소수성 작용기를 포함한다. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 이온기는 음이온기 및 상기 음이온기에 대한 카운터 양이온기를 포함하고, 상기 음이온기는 po32-, so3-, coo-, i-, ch3coo- 및 bo22-으로 이루어진 군에서 선택되고,상기 양이온기는 금속 이온 및 유기 이온 중 1종 이상을 포함하고,상기 금속 이온은 na+, k+, li+, mg+2, zn+2 및 al+3으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 유기 이온은 h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+ 및 rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)로 이루어진 군선택된,전도성 박막. [청구항 6] 제4항에 있어서,상기 소수성 작용기가할로겐 원소인,전도성 박막. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 제1불소계 물질 및 상기 제2불소계 물질이 서로 독립적으로, 하기 화학식 2 내지 13의 반복 단위들 중 1종 이상을 포함한 이오노머인, 전도성 박막:003c#화학식 2003e#상기 식 중, m은 1 내지 10,000,000의 수이고, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 10의 수이며, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 3003e#상기 식중, m은 1 내지 10,000,000의 수이다;003c#화학식 4003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000 이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 5003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 6003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, z는 0 내지 20의 수이고, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 7003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이고, y는 -coo-m+, -so3-nhso2cf3+, -po32-(m+)2 중에서 선택된 하나이며, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 8003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 9003e#상기 식 중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이다;003c#화학식 10003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x는 0 내지 20의 수이고, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 11003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이고, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 12003e#상기 식중, m 및 n은 0 ≤ m 003c# 10,000,000, 0 003c# n ≤ 10,000,000이고, rf = -(cf2)z- (z는 1 내지 50의 정수, 단 2는 제외), -(cf2cf2o)zcf2cf2-(z는 1 내지 50의 정수), -(cf2cf2cf2o)zcf2cf2- (z는 1 내지 50의 정수)이며, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 13003e#상기 식중, m 및 n은 0 ≤ m 003c# 10,000,000, 0 003c# n ≤ 10,000,000이고, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, y는 각각 독립적으로, -so3-m+, -coo-m+, -so3-nhso2cf3+, -po32-(m+)2 중선택된하나이고, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 제1불소계 물질 및 제2불소계 물질이 서로 독립적으로, 화학식 14 내지 19 중 하나로 반복 단위를 포함한 불소계 고분자인, 전도성 박막:003c#화학식 14003e#003c#화학식 15003e#003c#화학식 16003e#003c#화학식 17003e#003c#화학식 18003e#003c#화학식 19003e#상기 화학식 14 내지 19 중,r11 내지 r14, r21 내지 r28, r31 내지 r38, r41 내지 r48, r51 내지 r58 및 r61 내지 r68은 서로 독립적으로, 수소, -f, c1-c20알킬기, c1-c20알콕시기, 적어도 하나의 -f로 치환된 c1-c20알킬기, 적어도 하나의 -f로 치환된 c1-c20알콕시기, q1, -o-(cf2cf(cf3)-o)n-(cf2)m-q2 (여기서, n 및 m은 서로 독립적으로, 0 내지 20의 정수이되, n+m은 1 이상임) 및 -(ocf2cf2)x-q3 (여기서, x는 1 내지 20의 정수임) 중에서 선택되되, i) 상기 화학식 1의 r11 내지 r14 중 적어도 하나, ii) 상기 화학식 2의 r21 내지 r28 중 적어도 하나, iii) 상기 화학식 3의 r31 내지 r38 중 적어도 하나, iv) 상기 화학식 4의 r41 내지 r48 중 적어도 하나, v) 상기 화학식 5의 r51 내지 r58 중 적어도 하나, 및 v) 상기 화학식 6의 r61 내지 r68 중 적어도 하나는, -f, 적어도 하나의 -f로 치환된 c1-c20알킬기, 적어도 하나의 -f로 치환된 c1-c20알콕시기, -o-(cf2cf(cf3)-o)n-(cf2)m-q2 및 -(ocf2cf2)x-q3 중선택되며,상기 q1 내지 q3는 이온기이다. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 제1불소계 물질 및 제2불소계 물질이 서로 독립적으로, 하기 화학식 20으로 표시되는 불화 올리고머인, 전도성 박막:003c#화학식 20003e#x-mfn-mhm-mar-g상기 화학식 20 중,x는 말단기이고;mf는 퍼플루오로폴리에테르 알코올, 폴리이소시아네이트 및 이소시아네이트 반응성-비불소화 모노머의 축합 반응으로부터 수득한 불화 모노머로부터 유래된 단위를 나타내고;mh는 비불소화 모노머로부터 유래된 단위를 나타내고;ma는 -si(y4)(y5)(y6)으로 표시되는 실릴기를 갖는 단위를 나타내고;상기 y4, y5 및 y6는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 c1-c20알킬기, 치환 또는 비치환된 c6-c30아릴기 또는 가수분해성 치환기를 나타내고, 상기 y4, y5 및 y6 중 적어도 하나는 상기 가수분해성 치환기이고; g는 사슬전달제(chain transfer agent)의 잔기포함한1가 유기 그룹이고;n은 1 내지 100의 수이고;m은 0 내지 100의 수이고;r은 0 내지 100의 수이고;n+m+r은 적어도 2이다. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 제1불소계 물질과 상기 제2불소계 물질이 서로 상이하고, 상기 도전층과 상기 표면 에너지-제어층 사이에, 상기 전도성 고분자, 상기 제1불소계 물질 및 상기 제2불소계 물질을 포함한 중간층개재되어 있는,전도성 박막. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 중간층에 포함된 제1불소계 물질 및 제2불소계 물질의 농도는 상기 표면 에너지-제어층에서 상기 도전층을 향하는 방향에 따라 감소하는 구배갖는,전도성 박막. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 전도성 박막이 100nm의 두께를 가질 경우, 1x10-7s/cm 내지 1x106s/cm의 전도도갖는,전도성 박막. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 도전층이, 탄소나노튜브, 그라펜, 환원된 산화그라펜, 금속 나노와이어, 금속 카본 나노점, 반도체 양자점(semiconductor quantum dot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중에서 선택된 적어도 하나의 첨가제더 포함한,전도성 박막. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 애노드인 전도성 박막의 도전층 하부에, 전도성 고분자, 금속성 탄소나노튜브, 그라펜 (graphene), 환원된 산화그라펜(reduced graphene oxide), 금속 나노와이어, 금속 그리드(metal grid), 카본 나노점(carbon nanodot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중 선택된 적어도 하나를 포함한 전도성 박막 보조층이 추가형성된,유기 발광 소자. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 애노드인 전도성 박막의 도전층 하부에, 전도성 고분자, 금속성 탄소나노튜브, 그라펜 (graphene), 환원된 산화그라펜(reduced graphene oxide), 금속 나노와이어, 금속 그리드(metal grid), 카본 나노점(carbon nanodot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중 선택된 적어도 하나를 포함한 전도성 박막 보조층이 추가형성된,유기 태양 전지.