고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전극을 채용한 전자 소자 document_id 1020130022501

[청구항 2] 제1항에 있어서,표면 에너지 물질은, 적어도 하나의 f를 포함한 불화물질인,전자 소자. [청구항 3] 제1항에 있어서,표면 에너지 물질이, 하기 화학식 2 내지 13의 반복 단위들 중 1종 이상을 포함한, 이오노머인, 전자 소자: 003c#화학식 2003e#상기 식 중, m은 1 내지 10,000,000의 수이고, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 10의 수이며, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 3003e#상기 식중, m은 1 내지 10,000,000의 수이다;003c#화학식 4003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000 이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 5003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 6003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, z는 0 내지 20의 수이고, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 7003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이고, y는 -coo-m+, -so3-nhso2cf3+, -po32-(m+)2 중에서 선택된 하나이며, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 8003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 9003e#상기 식 중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이다;003c#화학식 10003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x는 0 내지 20의 수이고, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 11003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이고, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 12003e#상기 식중, m 및 n은 0 ≤ m 003c# 10,000,000, 0 003c# n ≤ 10,000,000이고, rf = -(cf2)z- (z는 1 내지 50의 정수, 단 2는 제외), -(cf2cf2o)zcf2cf2-(z는 1 내지 50의 정수), -(cf2cf2cf2o)zcf2cf2- (z는 1 내지 50의 정수)이며, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 13003e#상기 식중, m 및 n은 0 ≤ m 003c# 10,000,000, 0 003c# n ≤ 10,000,000이고, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, y는 각각 독립적으로, -so3-m+, -coo-m+, -so3-nhso2cf3+, -po32-(m+)2 중선택된하나이고, m+은 na+, k+, li+, h+, ch3(ch2)nnh3+ (n은 0 내지 50의 정수), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+, rcho+(r은 ch3(ch2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다. [청구항 4] 제1항에 있어서,표면 에너지 물질이, 화학식 14 내지 19의 구조를 가지는 불화 이오노머인 혹은 화학식 20의 불화 저분자인 전자 소자.003c#화학식 14003e#003c#화학식 15003e#003c#화학식 16003e#003c#화학식 17003e#003c#화학식 18003e#003c#화학식 19003e#상기 화학식 14 내지 19 중,r11 내지 r14, r21 내지 r28, r31 내지 r38, r41 내지 r48, r51 내지 r58 및 r61 내지 r68은 서로 독립적으로, 수소, -f, c1-c20알킬기, c1-c20알콕시기, 적어도 하나의 -f로 치환된 c1-c20알킬기, 적어도 하나의 -f로 치환된 c1-c20알콕시기, q1, -o-(cf2cf(cf3)-o)n-(cf2)m-q2 (여기서, n 및 m은 서로 독립적으로, 0 내지 20의 정수이되, n+m은 1 이상임) 및 -(ocf2cf2)x-q3 (여기서, x는 1 내지 20의 정수임) 중에서 선택되고, 상기 q1 내지 q3는 이온기이고, 상기 이온기는 음이온기 및 양이온기를 포함하고, 상기 음이온기는 po32-, so3-, coo-, i-, ch3coo- 및 bo22- 중에서 선택되고, 상기 양이온기는 금속 이온 및 유기 이온 중 1종 이상을 포함하고, 상기 금속 이온은 na+, k+, li+, mg+2, zn+2 및 al+3 중에서 선택되고, 상기 유기 이온은 h+, ch3(ch2)n1nh3+ (여기서, n1은 0 내지 50의 정수임), nh4+, nh2+, nhso2cf3+, cho+, c2h5oh+, ch3oh+ 및 rcho+(여기서, r은 ch3(ch2)n2-이고, n2는 0 내지 50의 정수임) 중에서 선택되되;r11 내지 r14 중 적어도 하나, r21 내지 r28 중 적어도 하나, r31 내지 r38 중 적어도 하나, r41 내지 r48 중 적어도 하나, r51 내지 r58 중 적어도 하나 및 r61 내지 r68 중 적어도 하나는, -f, 적어도 하나의 -f로 치환된 c1-c20알킬기, 적어도 하나의 -f로 치환된 c1-c20알콕시기, -o-(cf2cf(cf3)-o)n-(cf2)m-q2 및 -(ocf2cf2)x-q3 중에서 선택된다. 003c#화학식 20003e#x-mfn-mhm-mar-g상기 화학식 20 중,x는 말단기이고;mf는 퍼플루오로폴리에테르 알코올, 폴리이소시아네이트 및 이소시아네이트 반응성-비불소화 모노머의 축합 반응으로부터 수득한 불화 모노머로부터 유래된 단위를 나타내고;mh는 비불소화 모노머로부터 유래된 단위를 나타내고;ma는 -si(y4)(y5)(y6)으로 표시되는 실릴기를 갖는 단위를 나타내고;상기 y4, y5 및 y6는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 c1-c20알킬기, 치환 또는 비치환된 c6-c30아릴기 또는 가수분해성 치환기를 나타내고, 상기 y4, y5 및 y6 중 적어도 하나는 상기 가수분해성 치환기이고; g는 사슬전달제(chain transfer agent)의 잔기포함한1가 유기 그룹이고;n은 1 내지 100의 수이고;m은 0 내지 100의 수이고;r은 0 내지 100의 수이고;n+m+r은 적어도 2이다. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리스티렌, 술폰화된 폴리스티렌, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 셀프-도핑 전도성 고분자, 이들의 유도체 또는 이들의 조합포함한,전자 소자. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 금속 나노와이어, 반도체 나노와이어, 카본나노점 및 금속 나노점 표면에 -s(z100) 및 -si(z101)(z102)(z103)으로 표시되는 적어도 하나의 모이어티(여기서, 상기 z100, z101, z102, 및 z103는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 c1-c20알킬기 또는 치환 또는 비치환된 c1-c20알콕시기결합되어 있는,전자 소자. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 전도성 산화물이 ito(인듐 주석 산화물), izo(인듐 아연 산화물), sno2 및 ino2 중하나인,전자 소자. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 하이브리드 전극에서 일함수-제어층의 제2면에서 관측된 일함수가 5.0ev 내지 6.5ev의 범위선택되는,전자 소자. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 일함수-제어층이, 탄소나노튜브, 그라펜, 환원된 산화그라펜, 금속 나노와이어, 금속 카본 나노점, 반도체 양자점(semiconductor quantum dot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중에서 선택된 적어도 하나의 첨가제더 포함한,전자 소자 [청구항 10] 제1항에 있어서,유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 유기 트랜지스터, 유기 메모리 소자, 유기 광검출기(photodetector) 또는 유기센서인,전자 소자. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 전자 소자가 유기 발광 소자이고,상기 유기 발광 소자가, 기판; 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층;를 포함하고,상기 제1전극이 상기 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전극이고;상기 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전극 중 일함수-제어층이 상기 발광층과 상기 전도도-제어층 사이개재되어 있는,전자 소자. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 전자 소자가 유기 태양 전지이고,상기 유기 태양 전지가, 기판; 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 광활성층;을 포함하고,상기 제1전극이 상기 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전극이고;상기 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전극 중 일함수-제어층이 상기 광활성층과 상기 전도도-제어층 사이개재되어 있는,전자 소자.