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반도체 장치 및 그 제조방법, 그리고 반도체 장치를 포함하는 마이크로프로세서, 프로세서, 시스템, 데이터 저장 시스템 및 메모리 시스템 document_id 1020130023157

출원번호
1020130023157
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 11] 기판에 형성된 복수의 매립게이트; 및 상기 매립게이트 사이 기판상에 형성되어 상기 매립게이트 위로 돌출된 실리사이드막 을 포함하는 반도체 장치 [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 기판에 형성되어 복수의 활성영역을 정의하는 소자분리막; 상기 기판상에 형성되어 상기 실리사이드막을 덮는 층간절연막; 상기 층간절연막을 관통하여 상기 실리사이드막이 접하는 콘택플러그; 및상기 매립게이트 사이 기판에 형성되어 상기 실리사이드막에 접하는 불순물영역더 포함하는반도체 장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 실리사이드막은 상기 소자분리막 위로돌출된반도체 장치. [청구항 14] 제11항에 있어서,상기 실리사이드막은 측벽이 수직프로파일을 갖는 필라형태 또는, 바텀선폭보다 탑선폭이 작도록 경사진 측벽을 갖는 필라형태포함하는반도체 장치. [청구항 15] 제11항에 있어서,상기 매립게이트는, 상기 기판에 형성된 트렌치;상기 트렌치 표면에 형성된 게이트절연막;상기 게이트절연막 상에서 상기 트렌치를 일부 매립하는 게이트전극; 및 상기 게이트전극 상에서 나머지 상기 트렌치를 매립하는 실링막포함하는반도체 장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 실리사이드막은 상기 실링막이 일부 식각되어 돌출된기판형성된것을포함하는반도체 장치. [청구항 17] 기판에 형성된 복수의 매립게이트를 포함한 워드라인 상기 매립게이트 사이 기판에 형성된 불순물영역 상기 매립게이트 사이 불순물영역 상에 형성되어 상기 매립게이트 위로 돌출된 실리사이드막 상기 매립게이트 일측 실리사이드막에 연결된 소스라인 콘택플러그를 통해 상기 매립게이트 타측 실리사이드막에 연결된 가변저항소자; 및 상기 가변저항소자에 연결된 비트라인 을 포함하는 반도체 장치 [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 기판에 형성되어 복수의 활성영역을 정의하는 소자분리막을 더 포함하고, 상기 실리사이드막은 상기 소자분리막 위로돌출된반도체 장치. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 실리사이드막은 측벽이 수직프로파일을 갖는 필라형태 또는, 바텀선폭보다 탑선폭이 작도록 경사진 측벽을 갖는 필라형태포함하는반도체 장치. [청구항 20] 제17항에 있어서,상기 가변저항소자는 두 자성체막 사이에 터널배리어막이 개재된 적층막포함하는반도체 장치. [청구항 21] 제17항에 있어서,상기 가변저항소자는 금속산화물포함하는반도체 장치. [청구항 22] 제17항에 있어서,상기 가변저항소자는 상변화물질포함하는반도체 장치. [청구항 23] 제17항에 있어서,상기 매립게이트는, 상기 기판에 형성된 트렌치;상기 트렌치 표면에 형성된 게이트절연막;상기 게이트절연막 상에서 상기 트렌치를 일부 매립하는 게이트전극; 및 상기 게이트전극 상에서 나머지 상기 트렌치를 매립하는 실링막포함하는반도체 장치. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 실리사이드막은 상기 실링막이 일부 식각되어 돌출된기판형성된것을포함하는반도체 장치. [청구항 25] 외부로부터 명령을 포함하는 신호를 수신받아 상기 명령의 추출이나 해독, 입력이나 출력의 제어를 수행하는 제어부 상기 제어부가 명령을 해독한 결과에 따라서 연산을 수행하는 연산부; 및 상기 연산을 수행하는 데이터, 상기 연산을 수행한 결과에 대응하는 데이터 및 상기 연산을 수행하는 데이터의 주소 중 하나 이상을 저장하는 기억부를 포함하고, 상기 기억부는 기판에 형성된 복수의 매립게이트; 및 상기 매립게이트 사이 기판상에 형성되어 상기 매립게이트 위로 돌출된 실리사이드막을 포함하는 마이크로프로세서 [청구항 26] 외부로부터 입력된 명령에 따라 데이터를 이용하여 상기 명령에 대응하는 연산을 수행하는 코어부 상기 연산을 수행하는 데이터, 상기 연산을 수행한 결과에 대응하는 데이터 및 상기 연산을 수행하는 데이터의 주소 중 하나 이상을 저장하는 캐시 메모리부; 및 상기 코어부와 상기 캐시 메모리부 사이에 연결되고, 상기 코어부와 상기 캐시 메모리부 사이에 데이터를 전송하는 버스 인터페이스를 포함하고, 상기 캐시 메모리부는 기판에 형성된 복수의 매립게이트; 및 상기 매립게이트 사이 기판상에 형성되어 상기 매립게이트 위로 돌출된 실리사이드막을 포함하는 프로세서 [청구항 27] 외부로부터 입력된 명령을 해석하고 상기 명령을 해석한 결과에 따라 정보의 연산을 제어하는 프로세서 상기 명령을 해석하기 위한 프로그램, 상기 정보를 저장하기 위한 보조기억장치 상기 프로그램을 실행할 때 상기 프로세서가 상기 프로그램 및 상기 정보를 이용해 상기 연산을 수행할 수 있도록 상기 보조기억장치로부터 상기 프로그램 및 상기 정보를 이동시켜 저장하는 주기억장치; 및 상기 프로세서, 상기 보조기억장치 및 상기 주기억장치 중 하나 이상과 외부와의 통신을 수행하기 위한 인터페이스 장치를 포함하고, 상기 보조기억장치 및 상기 주기억장치 중 하나 이상은 기판에 형성된 복수의 매립게이트; 및 상기 매립게이트 사이 기판상에 형성되어 상기 매립게이트 위로 돌출된 실리사이드막을 포함하는 시스템 [청구항 28] 데이터를 저장하며 공급되는 전원에 관계없이 저장된 데이터가 유지되는 저장 장치 외부로부터 입력된 명령에 따라 상기 저장 장치의 데이터 입출력을 제어하는 컨트롤러 상기 저장 장치와 외부 사이에 교환되는 데이터를 임시로 저장하는 임시 저장 장치; 및 상기 저장 장치, 상기 컨트롤러 및 상기 임시 저장 장치 중 하나 이상과 외부와의 통신을 수행하기 위한 인터페이스를 포함하고, 상기 저장 장치 및 상기 임시 저장 장치 중 하나 이상은 기판에 형성된 복수의 매립게이트; 및 상기 매립게이트 사이 기판상에 형성되어 상기 매립게이트 위로 돌출된 실리사이드막을 포함하는 데이터 저장 시스템 [청구항 29] 데이터를 저장하며 공급되는 전원에 관계없이 저장된 데이터가 유지되는 메모리 외부로부터 입력된 명령에 따라 상기 저장 장치의 데이터 입출력을 제어하는 메모리 컨트롤러 상기 저장 장치와 외부 사이에 교환되는 데이터를 버퍼링하기 위한 버퍼 메모리; 및 상기 저장 장치, 상기 메모리 컨트롤러 및 상기 버퍼 메모리 중 하나 이상과 외부와의 통신을 수행하기 위한 인터페이스를 포함하고, 상기 메모리 및 상기 버퍼 메모리 중 하나 이상은 기판에 형성된 복수의 매립게이트; 및 상기 매립게이트 사이 기판상에 형성되어 상기 매립게이트 위로 돌출된 실리사이드막을 포함하는 메모리 시스템
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 17항에 따른 반도체 장치에서, 가변저항소자는 어떤 경로를 통해 매립게이트의 타측 실리사이드막과 연결되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    청구항 17항을 바탕으로 가변저항소자가 매립게이트의 타측 실리사이드막과 연결되는 구체적인 경로를 찾는다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 17항에서 가변저항소자와 실리사이드막 사이의 연결 관계를 기술한 부분을 추출한다.

    • 콘택플러그를 통해 상기 매립게이트 타측 실리사이드막에 연결된 가변저항소자
  3. 3근거 선택evidence_selection

    가변저항소자가 연결되는 매개체인 '콘택플러그'가 명시된 구절을 선택한다.

    • 콘택플러그를 통해 상기 매립게이트 타측 실리사이드막에 연결된 가변저항소자
  4. 4논리 통합logical_integration

    가변저항소자는 콘택플러그를 통하여 매립게이트의 타측 실리사이드막에 연결된다는 논리적 관계를 도출한다.

    • 콘택플러그를 통해 상기 매립게이트 타측 실리사이드막에 연결된 가변저항소자
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 대한 직접적인 답변으로 '콘택플러그'를 도출한다.

    • 콘택플러그를 통해 상기 매립게이트 타측 실리사이드막에 연결된 가변저항소자
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

    • 콘택플러그를 통해 상기 매립게이트 타측 실리사이드막에 연결된 가변저항소자
최종 답변 (final_answer)
콘택플러그
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 매립게이트 사이의 실리사이드막과 가변저항소자를 콘택플러그를 통해 연결함으로써 반도체 장치의 회로 구성을 형성하는 기술적 특징을 포함한다.