리세스-드레인 쇼트키 전극을 이용한 단방향 이종접합 트랜지스터 및 그 제조방법 document_id 1020130023429

[청구항 1] 제1 에너지 밴드갭의 제1 질화물계 반도체로 형성되는 채널층 상기 제1 에너지 밴드갭과 다른 제2 에너지 밴드갭의 제2 질화물계 반도체로 형성되는 장벽층 상기 장벽층에 형성되는 리세스 상기 장벽층의 일측에서 상기 장벽층 상에 배치되는 드레인전극; 및 상기 리세스에 배치되며 상기 드레인전극에 접하는 리세스-드레인 쇼트키전극 을 포함하는 것을 특징으로 하는 단방향 이종접합 트랜지스터 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 장벽층의 타측에서 상기 장벽층 상에 배치되는 소스전극; 및상기 소스전극과 상기 리세스-드레인 쇼트키전극 사이에 배치되는게이트전극더포함하는것을특징으로 하는단방향 이종접합 트랜지스터. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 리세스-드레인 쇼트키전극은, 상기 게이트전극과 동일한 재료로 이루어지고, 상기 드레인전극의 일측면과 상부면을 덮는구조구비하는것을특징으로 하는단방향 이종접합 트랜지스터. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,상기 리세스-드레인 쇼트키전극은, 상기 채널층과 상기 장벽층의 계면에 형성되는 이차원전자가스가 상기 소스전극에서 상기 드레인전극으로 흐르는 것을차단하는것을특징으로 하는단방향 이종접합 트랜지스터. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,상기 리세스-드레인 쇼트키전극은, 상기 드레인전극에서 상기 소스전극으로 향하는 단방향 전류 흐름을 허용하고, 상기 소스전극과 상기 드레인전극 사이에 쇼트키 전위장벽을 형성하여 상기 소스전극에서 상기 드레인전극으로 흐르는전류차단하는것을특징으로 하는단방향 이종접합 트랜지스터. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 리세스-드레인 쇼트키전극은, 상기 드레인전극의 연장 방향을 따라 연장하는 트렌치 형태의 리세스 영역에 삽입되는일단부구비하는것을특징으로 하는단방향 이종접합 트랜지스터. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,일단부는 상기 드레인전극의 연장 방향에서 복수개로 분할되어형성되는것을특징으로 하는단방향 이종접합 트랜지스터. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 리세스-드레인 쇼트키전극은, ni, pd, au, pt, w, al 또는 이들의 조합 금속 중 어느 하나를 주성분으로 하는재료형성되는것을특징으로 하는단방향 이종접합 트랜지스터. [청구항 9] 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 장벽층은 상기 채널층과의 계면에 이차원전자가스의 유도채널을 형성하는재료로이루어지는것을특징으로 하는단방향 이종접합 트랜지스터. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 채널층과 상기 장벽층은 적어도 하나의 장벽층과 적어도 하나의 채널층을 형성하는 복수의 질화갈륨계 반도체층을 접합한구조구비하는것을특징으로 하는단방향 이종접합 트랜지스터.