전극 패드 및 이를 구비하는 질화물 반도체 발광 소자 document_id 1020130037665

[청구항 1] 금속 와이어와 본딩되는 액티브층 상기 액티브층 하부에 형성된 배리어층 상기 배리어층 하부에 형성된 반사층 상기 반사층 하부에 형성된 접착층; 및 상기 접착층 하부에 형성되어, 투명 전극패턴 및 전류 차단패턴 중 하나 이상과 부착되는 컨택층 을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자용 전극 패드 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 접착층은 상기 투명 전극패턴 및 전류 차단패턴 중 하나 이상과 더불어, n형질화물층접착되는것을특징으로 하는질화물 반도체 발광소자용 전극 패드. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 액티브층은 금(au)으로 이루어지며, 5000 ~ 30000å의두께갖는것을특징으로 하는질화물 반도체 발광 소자용 전극 패드. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 배리어층은 상기 액티브층과 반사층의 사이에 형성되어, 상기 배리어층과반사층의합금형성방지하는것을특징으로 하는질화물 반도체 발광 소자용 전극 패드. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 배리어층은 니켈(ni), 탄탈륨(ta), 하프늄(hf), 백금(pt) 및 티타늄(ti) 중 어느 하나로 이루어지며, 100 ~ 5000å의두께갖는것을특징으로 하는질화물 반도체 발광 소자용 전극 패드. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 반사층은 알루미늄(al)으로 이루어지며, 1000 ~ 20000å의두께갖는것을특징으로 하는질화물 반도체 발광 소자용 전극 패드. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 접착층은 티타늄(ti), 탄탈륨(ta) 및 하프늄(hf) 중 어느 하나로 이루어지며, 5 ~ 50å의두께갖는것을특징으로 하는질화물 반도체 발광 소자용 전극 패드. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 컨택층은 니켈(ni), 백금(pt), 이리듐(ir) 및 팔라듐(pd) 중 어느 하나로 이루어지며, 5 ~ 50å의두께갖는것을특징으로 하는질화물 반도체 발광 소자용 전극 패드. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 접착층 및 컨택층 중 적어도 하나는금속재질로이루어진것을특징으로 하는질화물 반도체 발광 소자용 전극 패드. [청구항 10] n형 질화물층; 상기 n형 질화물층 상에 형성된 활성층 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물층 상기 p형 질화물층 상에 형성된 전류 차단패턴 상기 p형 질화물층 및 전류 차단패턴의 상측을 덮도록 형성된 투명 도전패턴 상기 투명 도전패턴 및 전류 차단패턴 중 하나 이상과 접착되는 p-전극 패드; 및 상기 n형 질화물층의 노출 영역에 형성되어, 상기 n-형 질화물층과 접착되는 n-전극 패드 를 포함하며, 상기 p-전극 패드 및 n-전극 패드 각각은 청구항 제1항의 질화물 반도체 발광 소자용 전극 패드인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자 [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 투명 도전패턴은 상기 전류 차단패턴의 상측 전면을 덮도록 형성되며, 상기 p-전극 패드의 컨택층은 상기 투명 도전패턴의 상부에 형성되어,상기투명도전패턴접착되는것을특징으로 하는질화물 반도체 발광 소자. [청구항 12] 제10항에 있어서,상기 투명 도전패턴은 상기 전류 차단패턴의 상측 일부가 노출되도록 형성되며, 상기 p-전극 패드의 컨택층은상기투명도전패턴및전류차단패턴각각접착되는것을특징으로 하는질화물 반도체 발광 소자. [청구항 13] 제10항에 있어서,상기 전류 차단패턴은 sio2 및 sinx 중 선택된 1종 이상으로 형성되며, 1000 ~ 10000å의두께갖는것을특징으로 하는질화물 반도체 발광 소자. [청구항 14] 제10항에 있어서,상기 투명 도전패턴은 인듐주석 산화물(indium tin oxide, ito), 인듐아연 산화물(indium zinc oxide, izo) 및 fto(fluorine doped tin oxide, sno2) 중 선택된1종이상의재질형성된것을특징으로 하는질화물 반도체 발광 소자. [청구항 15] 제10항에 있어서,상기 접착층은 티타늄(ti)으로 이루어지며, 5 ~ 50å의두께갖는것을특징으로 하는질화물 반도체 발광 소자. [청구항 16] 제10항에 있어서,상기 컨택층은 니켈(ni)로 이루어지며, 5 ~ 50å의두께갖는것을특징으로 하는질화물 반도체 발광 소자.