전기전도성 페이스트 조성물용 무기 반응 시스템 document_id 1020130042527

[청구항 1] 금속 입자; 1 × 10 -12 s·㎝ -1 을 초과하는 전도율을 갖는 전도성 유리 물질을 포함하는 무기 반응 시스템; 및 유기 비히클; 을 포함하는 전기전도성 페이스트 조성물 [청구항 2] 청구항 1에 있어서,상기 전도성 유리 물질은 1 × 10-11 s·㎝-1을 초과하는전도율갖는것을특징으로 하는전기전도성 페이스트 조성물. [청구항 3] 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 유리 물질은 은 (silver)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전도성 페이스트 조성물 [청구항 4] 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 유리 물질은 산화 은 (silver oxide) 또는 할로겐화 은, 좀더 바람직하게는 브롬화 은 (silver bromide), 요오드화 은 (silver iodine), 또는 염화 은 (silver chloride)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전도성 페이스트 조성물 [청구항 5] 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물은 부가적인 매트릭스 형성 (matrix forming) 조성물을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전도성 페이스트 조성물 [청구항 6] 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 부가적인 매트릭스 형성 조성물은 납 (lead)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전도성 페이스트 조성물 [청구항 7] 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 부가적인 매트릭스 형성 조성물은 납 (lead) 함유 유리 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전도성 페이스트 조성물 [청구항 8] 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 부가적인 매트릭스 형성 조성물은 의도적으로 첨가된 납 (lead)이 없는 것을 특징으로 하는 전기전도성 페이스트 조성물 [청구항 9] 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 유리 물질은 상기 매트릭스 형성 조성물의 85 m.%까지의 은, 또는 상기 매트릭스 형성 조성물의 75 m.%까지의 은, 또는 상기 매트릭스 형성 조성물의 60 m.%까지의 은, 또는 상기 매트릭스 형성 조성물의 40 m.%까지의 은, 또는 상기 매트릭스 형성 조성물의 20 m.%까지의 은, 또는 상기 매트릭스 형성 조성물의 10 m.%까지의 은을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전도성 페이스트 조성물 [청구항 10] 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 유리 조성물은 상기 매트릭스 형성 조성물의 20-85 m.% 사이, 또는 상기 매트릭스 형성 조성물의 40-75 m.% 사이, 또는 상기 매트릭스 형성 조성물의 50-70 m.% 사이의 은을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전도성 페이스트 조성물 [청구항 11] 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 유리 조성물은 은의 80 wt.%까지, 바람직하게는 50 wt.%까지, 좀더 바람직하게는 30 wt.%까지의 은, 및 가장 바람직하게는 약 1-20 wt.%의 은을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전도성 페이스트 조성물 [청구항 12] 금속 입자; (agha) x -(ago 0 .5 ) y -(m n o r ) z 에 따른 할로겐화은 매트릭스 형성 조성물을 포함하는 무기 반응 시스템 여기서 ha는 br, i, cl, 또는 f이고 m은 pb, bi, li, na, k, mg, sr, ba, zn, p, b, si, ag, al, ti, w, v, cr, mn, co, ni, cu, nb, ta, te, th, ge, mo, la 및 ce로 이루어진 군으로부터 선택되며 n 003e# 0, 및 o r 은 m n 의 전하 균형 (charge balances); 및 유기 비히클을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전도성 페이스트 조성물 [청구항 13] 청구항 12에 있어서,상기(agha)x-(ago0.5)y-(mnor)z에서, 0 ≤ x, y, 또는 z ≤ 1, x:y는 0:100 내지 95:5, 좀더 바람직하게는 x:y는 0:100 내지 75:25, 및 x:z는 0:100 내지 95:5, 좀더 바람직하게는 x:z는 0:100내지인것을특징으로 하는전기전도성 페이스트 조성물. [청구항 14] 청구항 12 또는 13에 있어서,상기ha는 br 또는 i인것을특징으로 하는전기전도성 페이스트 조성물. [청구항 15] 청구항 12 내지 14 중 어느 한 항에 있어서,상기m은 te, pb, p, zn, 및 b로 이루어진 군으로부터적어도하나선택된것을특징으로 하는전기전도성 페이스트 조성물. [청구항 16] 청구항 12 내지 15 중 어느 한 항에 있어서,상기 할로겐화은 매트릭스 형성 조성물은 (총 할로겐화은 매트릭스 형성 조성물의) 약 0.5 - 95 wt.% 할로겐화은, 약 0.5 - 60 wt.% ag2o 및 약 0.5 - 95 wt.% 다른산화물포함하는것을특징으로 하는전기전도성 페이스트 조성물. [청구항 17] 청구항 12 내지 16 중 어느 한 항에 있어서,상기 할로겐화은 매트릭스 형성 조성물은 알칼리 산화물 (alkaline oxides), 알칼리 토금속 산화물 (alkaline earth metal oxides), 희토류 금속 산화물 (rare earth metal oxides), 및 pb, bi, al, ga, si, ge, sn, b, p, sb, te, nb, ta, v, ti, mo, 또는 w 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된적어도하나더욱포함하는것을특징으로 하는전기전도성 페이스트 조성물. [청구항 18] 청구항 12 내지 17 중 어느 한 항에 있어서,상기 무기 반응 시스템은 총전기전도성페이스트인것을특징으로 하는전기전도성 페이스트 조성물. [청구항 19] 청구항 12 내지 18 중 어느 한 항에 있어서,상기 할로겐화은 매트릭스 형성 조성물은 (총무기 반응 시스템포함하는것을특징으로 하는전기전도성 페이스트 조성물. [청구항 20] 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 입자는 은, 금, 구리, 및 니켈로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전기전도성 페이스트 조성물 [청구항 21] 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 입자는 은인 것을 특징으로 하는 전기전도성 페이스트 조성물 [청구항 22] 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 입자는 페이스트의 약 50-95 wt.%인 것을 특징으로 하는 전기전도성 페이스트 조성물 [청구항 23] 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기 비히클은 바인더 (binder), 계면활성제 (surfactant), 유기용매 (organic solvent), 및 칙소제 (thixotropic agent)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기전도성 페이스트 조성물 [청구항 24] 전술한 청구항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기 비히클은 전기전도성 페이스트의 약 1-20 wt.%인 것을 특징으로 하는 전기전도성 페이스트 조성물