문맥 (context)
[청구항 1]
패드 영역과 주변회로 영역을 포함하는 반도체 기판
상기 패드 영역의 반도체 기판 상에 구비되는 캐패시터 를 포함하는 제 1 버퍼층
상기 제 1 버퍼층 상부에 구비되는 제 1 콘택 패드를 포함하는 제 2 버퍼층; 및
상기 제 1 콘택 패드 상부에 구비되는 제 2 콘택 패드를 포함하는 제 3 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
[청구항 2]
청구항 1에 있어서,상기 제 1 버퍼층 하부에 구비되며 상기 패드 영역 및 상기 주변회로 영역의 상기 반도체 기판 상에 구비되는모스 트랜지스터더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
청구항 2에 있어서,상기 모스 트랜지스터는폴리실리콘층,금속층및하드마스크층의적층구조포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
청구항 2에 있어서,상기 모스 트랜지스터 상부에 구비되는제1금속배선더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
청구항 4에 있어서,상기 주변회로 영역에서 상기 제 1 금속 배선 상부에 구비되는제1금속콘택더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 6]
청구항 4에 있어서,상기 제 1 버퍼층nan은상기제1금속배선상부구비되는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 7]
청구항 1에 있어서,상기 제 1 콘택 패드는텅스텐포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 8]
청구항 5에 있어서,상기 제 1 콘택 패드의 상부 표면은 상기 제 1 금속 콘택의 상부 표면과 동일한레이어구비되는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 9]
청구항 5에 있어서,상기 주변회로 영역에서 상기 제 1 금속 콘택 상부에 구비되는제2금속배선더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 10]
청구항 9에 있어서,상기 제 2 금속 배선nan은구리 배선포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 11]
청구항 9에 있어서,상기 주변회로 영역에서 상기 제 2 금속 배선 상부에 구비되는제2금속콘택더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 12]
청구항 1에 있어서,상기 제 2 콘택 패드는텅스텐포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 13]
청구항 11에 있어서,상기 제 2 콘택 패드의 상부 표면은 상기 제 2 금속 콘택의 상부 표면과 동일한레이어구비되는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 14]
청구항 1에 있어서,상기 제 1 콘택 패드 및 상기 제 2 콘택 패드는 절연막에 의해이격되는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 15]
청구항 1에 있어서,상기 패드 영역 및 상기 주변회로 영역에서 상기 제 2 콘택 패드 상부에 구비되는금속패드더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 16]
청구항 15에 있어서,상기 금속 패드는알루미늄포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 17]
청구항 15에 있어서,상기 주변회로 영역에서 상기 금속 패드 상부에 구비되는 패시배이션층에 의해 상기 패드 영역의 상기 금속 패드를 노출시키는패드오픈부더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답한다.
질문 (question)
청구항 1의 반도체 소자 구성요소 중, 제 1 버퍼층 하부에 구비되며 폴리실리콘층, 금속층 및 하드마스크층의 적층구조를 포함하는 구성요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제 1 버퍼층 하부에 위치하며 폴리실리콘층, 금속층, 하드마스크층의 적층구조를 갖는 구성요소를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 제 1 버퍼층 하부에 모스 트랜지스터가 구비됨을 확인하고, 청구항 3에서 해당 모스 트랜지스터의 적층구조를 확인한다.
- 상기 제 1 버퍼층 하부에 구비되며 상기 패드 영역 및 상기 주변회로 영역의 상기 반도체 기판 상에 구비되는 모스 트랜지스터, 상기 모스 트랜지스터는 폴리실리콘층, 금속층 및 하드마스크층의 적층구조 포함하는
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3근거 선택
evidence_selection제 1 버퍼층 하부의 구성요소인 '모스 트랜지스터'와 그 구조적 특징을 명시한 구절을 선택한다.
- 상기 제 1 버퍼층 하부에 구비되며 상기 패드 영역 및 상기 주변회로 영역의 상기 반도체 기판 상에 구비되는 모스 트랜지스터, 상기 모스 트랜지스터는 폴리실리콘층, 금속층 및 하드마스크층의 적층구조 포함하는
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4논리 통합
logical_integration청구항 2의 위치 관계(제 1 버퍼층 하부)와 청구항 3의 구조적 특징(폴리실리콘층, 금속층, 하드마스크층 적층)을 결합하여 모스 트랜지스터임을 도출한다.
- 상기 제 1 버퍼층 하부에 구비되며 상기 패드 영역 및 상기 주변회로 영역의 상기 반도체 기판 상에 구비되는 모스 트랜지스터, 상기 모스 트랜지스터는 폴리실리콘층, 금속층 및 하드마스크층의 적층구조 포함하는
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 조건에 부합하는 구성요소는 모스 트랜지스터이다.
- 모스 트랜지스터
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6답변 생성
answer_generation추출된 정답인 '모스 트랜지스터'를 출력한다.
- 모스 트랜지스터
최종 답변 (final_answer)
모스 트랜지스터
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제 1 버퍼층 하부에 폴리실리콘층, 금속층 및 하드마스크층의 적층구조를 갖는 모스 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자의 구조에 관한 것이다.