태양 전지 및 이의 제조 방법 document_id 1020130055756

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 불순물층은 상기 반도체 기판과 다른 결정 구조가지는태양 전지. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 반도체 기판은 단결정 구조를 가지고, 상기 불순물층은 비정질 구조, 미세 결정 구조, 또는 다결정 구조가지는태양 전지. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 터널링층의 두께는 0.5nm 내지인태양 전지. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 터널링층은 산화물, 질화물 및 전도성 고분자 중 적어도 하나포함하는태양 전지. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 베이스 영역 및 상기 불순물 영역이 n형을 가지고, 상기 불순물층가지는태양 전지. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 반도체 기판의 전체 면적에 대한 상기 불순물 영역의 전체 면적의 비율이 0.5% 내지인태양 전지. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 반도체 기판의 전체 면적에 대한 상기 불순물 영역의 전체 면적의 비율이 0.5% 내지인태양 전지. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 터널링층의 두께가 0.5nm 내지 5.0nm이고, 상기 불순물층의 두께가 50nm 내지인태양 전지. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 불순물 영역은, 상기 제1 전극에 연결되는 복수의 제1 영역을 포함하고,상기 복수의 제1 영역이 각기 아일랜드(island) 형상가지는태양 전지. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 터널링층이 전체적으로 연결되면서 상기 복수의 제1 영역에 대응하는 개구부형성되는태양 전지. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 불순물층이 전체적으로 연결되면서 상기 복수의 제1 영역에 대응하는 개구부형성되는태양 전지. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 불순물 영역은, 상기 제1 전극에 연결되는 복수의 제1 영역과, 상기 제1 부분보다 작은 폭을 가지면서 상기 복수의 제1 부분을 연결하는 제2 영역포함하는태양 전지. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 불순물 영역은, 상기 반도체 기판의 일 가장자리에서 일 방향으로 형성되는 줄기부와, 상기 줄기부로부터 상기 일 방향과 교차하는 방향으로 형성되는복수개가지부를포함하는태양 전지. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기 터널링층이 상기 불순물층에 대응하는 형상가지는태양 전지. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기 불순물층 및 상기 반도체 기판을 덮으면서 형성되어 절연층을 더 포함하고, 상기 절연층에 상기 제1 전극과 상기 불순물 영역의 전기적 연결을 위한 제1 컨택 홀 및 상기 제2 전극과 상기 불순물층의 전기적 연결을 위한 제2 컨택 홀형성되는태양 전지. [청구항 19] 제1항에 있어서,상기 반도체 기판의 상기 일면이 상기 반도체 기판의 다른 일면보다 작은 표면가지는태양 전지. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 반도체 기판의 다른 일면에 고정 전하(fixed charge)를 가지는 전계 효과 형성층형성되는태양 전지.