플라즈마 처리 챔버에서 갭 높이 및 평탄화 조정을 제공하는 기판 서포트 document_id 1020130062278

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 관형 서포트아암들의 상기 제 1 섹션들은 상기 척 바디의 중심을 관통하는 수직 축에 대해 수직으로 또는 소정의 각도로 외부연장되는,반도체 기판 서포트. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 관형 서포트아암들의 상기 제 2 섹션들은, 상기 척 바디 위에서 수직으로 상기 관형 서포트 아암들의 각각의 상기 제 1 섹션들로부터 연장되거나, 상기 척 바디 아래에서 수직으로 상기 관형 서포트 아암들의 각각의 상기 제 1 섹션들연장되는,반도체 기판 서포트. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 관형 서포트아암들은 그들 사이에 3 개의 각도들을 형성하면서 원주방향으로 이격되어 있으며, 상기 각도들 중 2 개는 120 도와 165 도 사이이고, 제 3 각도는 35 도와 120 도사이인,반도체 기판 서포트. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,관형 서포트아암 각각이 상기 진공 챔버의 내부를 대기 압력에 노출시키지 않고 각각의 구동 메커니즘에 의해 수직으로 병진운동될 수 있도록 팽창가능한 진공 시일이 상기 외벽의 각각의 개구부를 시일링하고 관형 서포트 아암 각각의 외주부와 상기 외벽 사이에 진공 밀폐 시일유지하는,용량 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 7] 제 5 항에 있어서,상기 3 개의 구동 메커니즘들은, 상부 샤워헤드 전극 어셈블리와 상기 esc 의 상기 서포트 표면 사이의 미리결정된 갭 높이, 및 상기 esc 의 상기 서포트 표면의 미리결정된 평탄화를 달성하도록, 서로에 대해 독립적으로 제어가능한,용량 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,각각의 구동 메커니즘은 상기 진공 챔버의 상기 외벽 상의 마운트에 커플링된 스텝퍼 모터를 포함하고,상기 마운트는, 상기 관형 서포트 아암이 상기 진공 챔버의 상기 외벽의 각각의 개구부에 이동가능하게 위치되도록, 각각의 관형 서포트 아암부착되는,용량 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제 6 항에 있어서,상기 3 개의 구동 메커니즘들은 상기 진공 챔버의 상기 상단 벽의 상단면위치되는,용량 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 제 6 항에 있어서,상기 3 개의 구동 메커니즘들은 상기 진공 챔버의 상기 하단 벽의 하단면위치되는,용량 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제 5 항에 있어서,상기 진공 챔버는 상기 챔버의 상기 하단 벽에 2 개의 진공 포트들을 포함하고,상기 하단 벽은 개방된 영역만큼 상기 반도체 기판 서포트로부터 분리되며,상기 진공 포트들은 상기 진공 챔버의 상기 내부로부터 가스들을 제거하고 상기 진공 챔버의 상기 내부를 500 mtorr 아래의 압력으로 유지하는 2 개의 진공 펌프들연결되는,용량 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 제 5 항에 있어서,상기 반도체 기판 서포트는 방사상으로 연장되는 보어들을 통해 척 바디 내로 상기 관형 서포트 아암들의 통로들 중 하나 이상을 통해 연장되는 복수의 서비스 도관들을 포함하고,상기 서비스 도관들은 상기 척 바디로 또는 상기 척 바디로부터 열 전달 가스, 온도 제어된 액체 냉각제, rf 에너지, 가압된 공기, 전기 모니터링 신호들 또는 전기 구동 신호들 중 적어도 하나공급하는,용량 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 13] 제 5 항에 있어서,상기 하부 전극은 상기 관형 서포트 아암들 중 하나를 통해 연장되는 rf 전송 부재를 통해 무선 주파수 (rf) 전력 공급장치커플링되는,용량 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,단지 상기rf 전송 부재만이 상기 관형 서포트 아암들 중 하나에 위치되고,상기 척 바디로 또는 상기 척 바디로부터 열 전달 가스, 온도 제어된 액체, 가압된 공기, 전기 모니터링 신호들 또는 전기 구동 신호들 중 적어도 하나를 공급하기 위한 서비스 도관들은 다른 관형 서포트 아암들 중 하나 이상위치되는,용량 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 15] 제 5 항에 있어서,상기 샤워헤드 전극 어셈블리는 상기 진공 챔버 내의 상기 상부 샤워헤드 전극 어셈블리 및 상기 하부 전극 어셈블리 주위에 위치된 c 자 형상 한정 링을 포함하며,상기 c 자 형상 한정 링은 상기 상부 샤워헤드 전극 어셈블리와 상기 하부 전극 어셈블리 사이의 전극간 볼륨의 실질적으로 전부를 인클로징하고, 복수의 개구부들을 포함하고,상기 개구부들 각각은 상기 상부 샤워헤드 전극과 상기 esc 의 서포트 표면의 평탄한 표면들 사이의 전극간 갭의 길이를 실질적으로 연장하며, 전극간 볼륨으로부터 상기 진공 챔버의 나머지 볼륨으로의 가스 배출하는,용량 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 16] 제 5 항에 있어서,상기 하부 전극 어셈블리는 온도 제어된 베이스 플레이트더 포함하는,용량 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 17] 제 5 항에 있어서,상기 진공 챔버는 원통형 내부 벽으로 연장되는 3 개의 수직 채널들을 갖는 원통형 내부 벽을 포함하고,상기 관형 서포트 아암들이 상기 채널들에 위치되어 상기 채널들에서 수직으로 이동가능한,용량 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 18] 제 5 항에 있어서,갭높이 및 평탄화를 제어하기 위해 상기 구동 메커니즘들과 전기 통신하는 제어 시스템더 포함하는,용량 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,적어도 하나의 레이저 간섭계를 더 포함하고,상기 레이저 간섭계는, 상기 상부 샤워헤드 전극 어셈블리와 상기 esc 의 상기 서포트 표면 사이의 갭 높이 및 평탄화의 실시간 측정들을 달성하도록, 상기 제어 시스템에 신호들제공하는,용량 결합 플라즈마 처리 장치. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 제어 시스템은, 상기 적어도 하나의 레이저 간섭계에 의해 취해진 측정들에 기초하여 상기 반도체 기판의 균일한 에칭을 달성하기 위해 상기 상부 샤워헤드 전극 어셈블리와 상기 esc 의 상기 서포트 표면 사이의 갭 높이 및 평탄화를 인 시츄로 조정하도록, 상기 구동 메커니즘들제어하는,용량 결합 플라즈마 처리 장치.