유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 document_id 1020130073802

[청구항 1] "제 1전극, 제 2전극, 및 상기 제 1전극과 제 2전극 사이에 위치하는 유기물층을 포함하는 유기전기소자에 있어서, 상기 유기물층은 정공수송층, 발광보조층 및 발광층을 포함하며, 상기 발광보조층은 상기 정공수송층과 상기 발광층 사이에 위치하며 화학식 (1)로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 발광층은 화학식 (2) 내지 (4)로 표시되는 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 유기전기소자 화학식 (1) 화학식 (2) 화학식 (3) 화학식 (4) [상기 화학식(1)에서, 상기 a는 으로 표현되며, n 및 z는 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, r 0 및 r 1 은 상기 n 및 z가 2 이상인 경우 각각 복수로서 서로 동일하거나 상이하며, ⅰ)서로 독립적으로 중수소 할로겐; c 6 ~c 60 의 아릴기; 플루오렌일기; o, n, s, si 및 p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 60 의 헤테로고리기 c 3 ~c 60 의 지방족고리와 c 6 ~c 60 의 방향족고리의 융합고리기; c 1 ~c 50 의 알킬기; c 2 ~c 20 의 알켄일기; c 2 ~c 20 의 알킨일기; c 1 ~c 30 의 알콕실기; c 6 ~c 30 의 아릴옥시기; 및 -l a -n(r a )(r b );로 구성된 군에서 선택되거나(여기서 상기 l a 은 단일결합; c 6 ~c 60 의 아릴렌기 플루오렌일렌기; c 3 ~c 60 의 지방족고리와 c 6 ~c 60 의 방향족고리의 2가 융합고리기; 및 o, n, s, si 및 p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 60 의 2가 헤테로고리기 로 구성된 군에서 선택되며, 상기 r a 및 r b 은 서로 독립적으로 c 6 ~c 60 의 아릴기 플루오렌일기; c 3 ~c 60 의 지방족고리와 c 6 ~c 60 의 방향족고리의 융합고리기; 및 o, n, s, si 및 p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 60 의 헤테로고리기 로 구성된 군에서 선택됨), 또는 ⅱ) n 및 z가 2 이상인 경우, 이웃한 r 0 기가, 또는 이웃한 r 1 기가 각각 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며(여기서, 고리를 형성하지 않은 기는 ⅰ)에서 정의한 것과 같음), l 1 및 l 2 는 서로 독립적으로 단일결합; c 6 ~c 60 의 아릴렌기 플루오렌일렌기; c 3 ~c 60 의 지방족고리와 c 6 ~c 60 의 방향족고리의 2가 융합고리기; 및 o, n, s, si 및 p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 60 의 2가 헤테로고리기 로 구성된 군에서 선택되며, ar 1 및 ar 2 는 서로 독립적으로 ⅰ) c 1 ~c 20 의 알킬기; c 6 ~c 30 의 아릴기; 및 o, n, s, si 및 p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 -c 20 의 헤테로고리기 로 구성된 군에서 선택되거나, 또는 ⅱ) ar 1 및 ar 2 가 서로 결합하여 스파이로 화합물을 형성할 수 있으며, ar 3 및 ar 4 는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; c 6 ~c 60 의 아릴기; 플루오렌일기; o, n, s, si 및 p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 60 의 헤테로고리기 c 3 ~c 60 의 지방족고리와 c 6 ~c 60 의 방향족고리의 융합고리기; c 1 ~c 50 의 알킬기; c 2 ~c 20 의 알켄일기; c 2 ~c 20 의 알킨일기; c 1 ~c 30 의 알콕실기; c 6 ~c 30 의 아릴옥시기; 및 -l b -n(r c )(r d );로 구성된 군에서 선택되며(여기서 상기 l b , r c 및 r d 는 각각 상기 l a , r a 및 r b 의 정의와 동일함), 화학식 (2)에서, a 및 b는 서로 독립적으로 0 또는 1의 정수이고(단, a+b=1 이상임), m 은 1 또는 2의 정수이고, q 및 o는 서로 독립적으로 1 내지 4의 정수이고, x 및 y는 서로 독립적으로 단일결합; s; o; nr', cr'r"" 또는 sir'r"" 이고, r' 및 r""는 서로 독립적으로 수소; c 6 ~c 60 의 아릴기; o, n, s, si 및 p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 60 의 헤테로고리기 및 c 1 ~c 50 의 알킬기;로 구성된 군에서 선택되며, r 2 내지 r 4 는, 상기 m, o 및 p가 2 이상인 경우 각각 복수로서 서로 동일하거나 상이하며, ⅰ) 서로 독립적으로 중수소 할로겐; c 6 ~c 60 의 아릴기; 플루오렌일기; o, n, s, si 및 p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 60 의 헤테로고리기 c 3 ~c 60 의 지방족고리와 c 6 ~c 60 의 방향족고리의 융합고리기; c 1 ~c 50 의 알킬기; c 2 ~c 20 의 알켄일기; c 2 ~c 20 의 알킨일기; c 1 ~c 30 의 알콕실기; c 6 ~c 30 의 아릴옥시기; 및 -l c -n(r e )(r f );로 구성된 군에서 선택되거나(여기서 상기 각각 상기 l a , r a 및 r b 의 정의와 동일함), ⅱ) 또는 r 2 , r 3 및 r 4 은, 상기m, o, p이 2 이상인 경우, 이웃한 r 2 가, 이웃한 r 3 가, 또는 이웃한 r 4 가 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며(여기서, 고리를 형성하지 않은 기는 ⅰ)에서 정의한 것과 같음), l 3 은 단일결합; c 6 ~c 60 의 아릴렌기 o, n, s, si, p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 60 의 2가 헤테로고리기 및 2가의 c 1 ~c 60 의 지방족 탄화수소기;로 구성된 군에서 선택되며, ar 5 는 수소; 중수소; 할로겐; c 6 ~c 60 의 아릴기; 플루오렌일기; o, n, s, si 및 p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 60 의 헤테로고리기 c 3 ~c 60 의 지방족고리와 c 6 ~c 60 의 방향족고리의 융합고리기; c 1 ~c 50 의 알킬기; c 2 ~c 20 의 알켄일기; c 2 ~c 20 의 알킨일기; c 1 ~c 30 의 알콕실기; c 6 ~c 30 의 아릴옥시기; 및 -l d -n(r g )(r h );로 구성된 군에서 선택되며(여기서 상기 l d , r g 및 r h 은 각각 상기 l a , r a 및 r b 의 정의와 동일함), 화학식 (3)에서, z 1 내지 z 16 은 서로 독립적으로 cr 5 또는 n이고, r 5 은 ⅰ)수소; c 6 ~c 60 의 아릴기; o, n, s, si, p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 60 의 헤테로고리기 c 1 ~c 50 의 알킬기; -l e -n(r i )(r j ); 및 플루오렌일기;로 구성된 군에서 선택되거나(여기서 상기 l e , r i 및 r j 은 각각 상기 l a , r a 및 r b 의 정의와 동일함), ⅱ) 이웃한 r 5 가 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며(여기서, 고리를 형성하지 않은 기는 ⅰ)에서 정의한 것과 같음), l 4 는 단일결합; c 6 ~c 60 의 아릴렌기 o, n, s, si, p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 60 의 2가 헤테로고리기 및 2가의 c 1 ~c 60 의 지방족 탄화수소기;로 구성된 군에서 선택되며, w는 nar 7 , o 또는 s 이며, ar 6 및 ar 7 은 서로 독립적으로 c 6 ~c 60 의 아릴기; o, n, s, si, p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 60 의 헤테로고리기 c 1 ~c 50 의 알킬기; 플루오렌일기; 및 -l f -n(r k )(r l );로 구성된 군에서 선택되며(여기서 상기 l f , r k 및 r l 는 각각 상기 l 3 , r a 및 r b 의 정의와 동일함), 화학식 (4)에서, r 6 ~ 17 는 서로 독립적으로 수소; 중수소; c 6 ~c 60 의 아릴기; o, n, s, si, p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 60 의 헤테로고리기 c 1 ~c 50 의 알킬기; c 1 ~c 50 의 알콕실기; c 2 ~c 20 의 알케닐기; 및 -l g -n(r m )(r n );로 구성된 군에서 선택되며(여기서 상기 l g , r m 및 r n 는 각각 상기 l 3 , r a 및 r b 의 정의와 동일함), 상기 화학식 (1) 내지 (4)의 정의에 기재된 상기 아릴기, 플루오렌일기, 헤테로고리기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕실기, 아릴옥시기, 아릴렌기, 플루오렌일렌기, 지방족 탄화수소기는 중수소, 할로겐, 실란기, 실록산기, 붕소기, 게르마늄기, 시아노기, 니트로기, -l 7 -n(r i )(r j )(여기서 l 7 , r i 및 r j 는 각각 상기 l 3 , r a 및 r b 의 정의와 동일함), c 1 ~c 20 의 알킬싸이오기, c 1 ~c 20 의 알콕실기, c 1 ~c 20 의 알킬기, c 2 ~c 20 의 알켄일기, c 2 ~c 20 의 알킨일기, c 6 ~c 20 의 아릴기, o, n, s, si, p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 20 의 헤테로고리기로 치환된 c 6 ~c 20 의 아릴기, 중수소로 치환된 c 6 ~c 20 의 아릴기, 플루오렌일기, o, n, s, si, p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 20 의 헤테로고리기, c 6 ~c 20 의 아릴기로 치환되고 o, n, s, si, p 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 c 2 ~c 20 의 헤테로고리기, c 3 ~c 20 의 시클로알킬기, c 7 ~c 20 의 아릴알킬기 및 c 8 ~c 20 의 아릴알켄일기로 구성된 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있다]" [청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 화학식(2) 내지 화학식 (4)로 표시되는 화합물 중 적어도 하나는상기발광층의호스트재료인것을특징으로 하는유기전기소자. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 화학식(1)로 표시되는 화합물은 하기 화학식 (5) 내지 화학식 (8)로 표시되는 것 중 어느 하나임을 특징으로 하는 유기전기소자.[상기 화학식에서, ar1 내지 ar4, l2, r0, r1, z 및 n은 상기 화학식 (1)에서 정의된 ar1 내지동일하다] [청구항 4] 제 1항에 있어서,상기 화학식(1)의 r1이 고리를 형성하는 경우, 상기 화학식 (1)은 하기 화학식 (9) 내지 화학식 (12)로 표시되는 것 중 어느 하나임을 특징으로 하는 유기전기소자.[상기 화학식에서, ar1 내지 ar4, z, r0, l1 및 l2는 상기 화학식 (1)에서 정의된 ar1 내지동일하다] [청구항 5] 제 3항에 있어서,상기 화학식(1) 및 화학식 (5) 내지 화학식 (8)로 표시되는 화합물은 서로 독립적으로 하기 화학식으로 표시되는 것 중 어느 하나특징으로 하는유기전기소자. [청구항 6] 제 1항에 있어서,상기 화학식(2)로 표시되는 화합물은 하기 화학식으로 표시되는 것 중 어느 하나특징으로 하는유기전기소자. [청구항 7] 제 1항에 있어서,상기 화학식(3)로 표시되는 화합물은 하기 화학식으로 표시되는 것 중 어느 하나특징으로 하는유기전기소자. [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 화학식(4)로 표시되는 화합물은 하기 화학식으로 표시되는 것 중 어느 하나특징으로 하는유기전기소자. [청구항 9] 제 1항에 있어서,상기 발광보조층은 상기 화학식 (1)로 표시되는 화합물을 함유하고, 상기 발광층은 호스트재료로 상기 화학식 (2) 내지 상기 화학식 (4)로 표시되는 화합물 중 어느 두 개를 혼합하여함유하는것을특징으로 하는유기전기소자. [청구항 10] 제 1항에 있어서,상기 제 1전극의 일측면 중 상기 유기물층과 반대되는 일측 또는 상기 제 2전극의 일측면 중 상기 유기물층과 반대되는 일측 중 적어도 하나에 광효율 개선층포함하는유기전기소자. [청구항 11] 제 1항에 있어서,상기 유기물층은 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정 및 롤투롤 공정 중 어느 하나에 의해형성됨을특징으로 하는유기전기소자. [청구항 12] 제 1항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치; 및 상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부 를 포함하는 전자장치 [청구항 13] 제 12항에 있어서,상기 유기전기소자는 유기전기발광소자(oled), 유기태양전지, 유기감광체(opc), 유기트랜지스터(유기 tft),및단색또는백색조명용소자중적어도하나인것을특징으로 하는전자장치.