문맥 (context)
[청구항 3]
청구항 1에 있어서,상기 산화규소막을 형성하는 단계에서, 상기 폴리실라잔 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 것인 기판 적층체의 제조방법:[화학식 1]상기 화학식 1에서, r1, r2 및 r3은 각각 독립적으로 수소; 실릴기로 치환 또는 비치환된 c1~c20의 알킬기; 실릴기로 치환비치환된c1~c20의 알콕시; 또는 c6~c20의 아릴기이며, r1, r2 및 r3 중 적어도 하나는 수소이다.
[청구항 11]
기판; 상기 기판 상에 폴리실라잔(polysilazane) 화합물을 이용하여 구비된 산화규소막
및 상기 산화규소막 상에 구비된 금속막 또는 금속산화막을 포함하는 기판 적층체
[청구항 12]
청구항 11에 있어서,상기 폴리실라잔 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 것인 기판 적층체:[화학식 1]상기 화학식 1에서, r1, r2 및 r3은 각각 독립적으로 수소; 실릴기로 치환 또는 비치환된 c1~c20의 알킬기; 실릴기로 치환비치환된c1~c20의 알콕시; 또는 c6~c20의 아릴기이며, r1, r2 및 r3 중 적어도 하나는 수소이다.
[청구항 13]
청구항 11에 있어서,상기 금속막 또는 금속산화막은 원자층 증착법제조된2 층 이상의 막인 기판 적층체.
[청구항 14]
청구항 11에 있어서,상기 산화규소막의 표면에는 반응성기가 존재하고, 상기 무기막의 반응성기와 상기 금속막 또는 금속산화막의 금속이 화학적결합된 것인기판 적층체.
[청구항 15]
청구항 14에 있어서,상기 산화규소막의 표면에 존재하는 반응성기는 -sih2-, -si(oh)2-, -si(r)2-, -nh-, -nh2, -no2, -n(r)2, -n(or)2 및 히드록시기(-oh) 중 적어도 하나이며, r은 각각 c1~c20의 알킬기 또는 c6~c20의아릴기인 것인기판 적층체.
[청구항 16]
청구항 11에 있어서,상기 기판 적층체의 수증기 투과율은이하인 것인기판 적층체.
[청구항 17]
청구항 11에 있어서,상기 기판 적층체의 광 투과율은이상인 것인기판 적층체.
[청구항 18]
청구항 11에 있어서,상기 기판은 플라스틱기판인 것인기판 적층체.
[청구항 19]
청구항 18에 있어서,상기 플라스틱 기판은 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리프로필렌(pp, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(pet, polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리부틸렌프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(pen; polyethylene naphthalate), 폴리카보네이트(pc; polycarbonate), 폴리스티렌(ps, polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(pdms; polydimethyl siloxane), 폴리에테르에테르케톤(peek; polyetheretherketone) 및 폴리이미드(pi; polyimide) 중 어느 하나 이상포함하는 것인기판 적층체.
[청구항 20]
청구항 11에 있어서,상기 금속막 또는 금속산화막은 al, ti, mn, mg, zr, ce, nb, la, ta, in, zn, sn 및 이의 산화물 중 적어도 하나포함하는 것인기판 적층체.
[청구항 21]
청구항 11에 있어서,상기 산화규소막의 두께는 1 nm 이상이하인 것인기판 적층체.
[청구항 22]
청구항 11에 있어서,상기 금속막 또는 금속산화막의 두께는 10 nm 이상이하인 것인기판 적층체.
[청구항 23]
청구항 11에 있어서,상기 금속막 또는 금속산화막이 2층 이상일 때, 상기 금속막 또는 금속산화막의 한 층의 두께는 각각 0.2 nm 이상이하인 것인기판 적층체.
[청구항 25]
청구항 24에 있어서,상기 유기 발광부의 외측을 덮는 밀봉부더 포함하는 것인전자 소자.
[청구항 26]
청구항 24에 있어서,상기 기판 적층체와 상기 제1 전극 사이에 구비된 광추출층더 포함하는 것인전자 소자.
[청구항 27]
청구항 26에 있어서,상기 광추출층 상에 구비된 평탄층더 포함하는 것인전자 소자.
[청구항 28]
청구항 24에 있어서,상기 기판 적층체 중 상기 제1 전극이 구비되는 면의 반대면에 구비된 광추출층더 포함하는 것인전자 소자.
[청구항 29]
청구항 28에 있어서,상기 광추출층 상에 구비된 평탄층더 포함하는 것인전자 소자.
[청구항 30]
청구항 24에 있어서,상기 전자 소자는유기 발광 소자인 것인전자 소자.
[청구항 31]
청구항 24에 있어서,상기 전자 소자는 플렉서블유기 발광 소자인 것인전자 소자.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 요구되는 내용을 항목별 목록으로 제시하라.
질문 (question)
기판 적층체에서 산화규소막의 표면에 존재하는 반응성기와 금속막 또는 금속산화막의 금속이 화학적 결합을 이루는 경우, 해당 산화규소막 표면의 반응성기로 포함될 수 있는 성분들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation산화규소막 표면의 반응성기가 금속 또는 금속산화물의 금속과 화학적 결합을 이룰 때, 해당 반응성기에 포함될 수 있는 성분들을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 14와 15를 통해 산화규소막 표면의 반응성기와 화학적 결합 조건, 그리고 반응성기의 구체적인 종류를 추출한다.
- 상기 산화규소막의 표면에는 반응성기가 존재하고, 상기 무기막의 반응성기와 상기 금속막 또는 금속산화막의 금속이 화학적결합된 것인기판 적층체. 상기 산화규소막의 표면에 존재하는 반응성기는 -sih2-, -si(oh)2-, -si(r)2-, -nh-, -nh2, -no2, -n(r)2, -n(or)2 및 히드록시기(-oh) 중 적어도 하나이며
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 반응성기의 성분 목록이 명시된 청구항 15의 구절을 선택한다.
- -sih2-, -si(oh)2-, -si(r)2-, -nh-, -nh2, -no2, -n(r)2, -n(or)2 및 히드록시기(-oh)
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4논리 통합
logical_integration청구항 14에서 언급된 화학적 결합 조건이 충족될 때, 청구항 15에서 정의한 반응성기들이 그 구성 성분이 됨을 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation추출된 반응성기 목록을 바탕으로 질문에 대한 답변을 구성한다.
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6답변 생성
answer_generation리스트 형식으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
-sih2-, -si(oh)2-, -si(r)2-, -nh-, -nh2, -no2, -n(r)2, -n(or)2, 히드록시기(-oh)
핵심 해석 (core_interpretation)
산화규소막 표면의 특정 반응성기들이 금속막 또는 금속산화막의 금속과 화학적 결합을 형성함으로써 기판 적층체를 구성하는 기술적 특징을 나타낸다.