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박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 document_id 1020130108343

출원번호
1020130108343
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 베이스 기판; 상기 베이스 기판 위에 일 방향으로 연장되는 데이터 라인 상기 베이스 기판 위에 배치되고, 아연망간산화물(zinc manganese oxide), 아연카드뮴산화물(zinc cadmium oxide), 아연인산화물(zinc phosphorus oxide) 및 아연주석산화물(zinc tin oxide)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 금속 산화물을 포함하는 광차단막 상기 광차단막 위에 배치되는 게이트 전극 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 소스 전극 및 상기 소스 전극과 이격된 드레인 전극을 포함하는 신호 전극; 및 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 배치되는 반도체 패턴을 포함하는 박막 트랜지스터 기판 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 광차단막은 아연망간산화물을 포함하며, 상기 아연망간산화물의 망간의 원자 함량은 15at%내지인것을특징으로 하는박막 트랜지스터 기판. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 광차단막nan은자외선흡수하는것을특징으로 하는박막 트랜지스터 기판. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 광차단막nan은상기베이스기판을전체적커버하는것을특징으로 하는박막 트랜지스터 기판. [청구항 5] 제2항에 있어서,상기 박막트랜지스터 기판은 상기 반도체 패턴 위에 배치된 게이트 절연층을 더 포함하며, 상기 게이트 전극은상기게이트 절연층위배치된것을특징으로 하는박막 트랜지스터 기판. [청구항 6] 제2항에 있어서,상기 박막트랜지스터 기판은 상기 게이트 전극 상에 배치되는 게이트 절연층을 더 포함하며, 상기 게이트 전극은상기반도체패턴의아래배치된것을특징으로 하는박막 트랜지스터 기판. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 반도체 패턴 상에 배치되는에치스토퍼더포함하는것을특징으로 하는박막 트랜지스터 기판. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 게이트 전극과 전기적으로 연결된 게이트 라인을 더 포함하며, 상기 게이트 전극은상기게이트 라인연장되는것을특징으로 하는박막 트랜지스터 기판. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 박막 트랜지스터 기판은 상기 신호 전극을 커버하는 패시베이션 막을 더 포함하며, 상기 패시베이션막에 형성된 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결되는화소 전극더포함하는것을특징으로 하는박막 트랜지스터 기판. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 구리(cu)층 및 상기 구리(cu)층의 상부 또는 하부에 형성된티타늄포함하는것을특징으로 하는박막 트랜지스터 기판. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 반도체 패턴은 산화 아연(zno), 아연-주석 산화물(zto), 아연-인듐 산화물(zio), 인듐 산화물(ino), 티타늄 산화물(tio), 인듐 갈륨 아연 산화물(igzo), 인듐 주석 아연 산화물(itzo) 및 하프늄 인듐 아연 산화물(hizo)로 이루어진 그룹에서적어도하나포함하는것을특징으로 하는박막 트랜지스터 기판.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 적용 또는 작동 조건을 확인하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
아연망간산화물을 포함하는 광차단막이 자외선을 흡수하기 위한 조건으로서, 망간의 원자 함량은 어느 범위여야 하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    아연망간산화물을 포함하는 광차단막이 자외선을 흡수하기 위한 망간의 원자 함량 범위를 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 2에서 아연망간산화물의 망간 원자 함량이 15at% 내지임을 확인하고, 청구항 3에서 해당 광차단막이 자외선을 흡수함을 확인한다.

    • 상기 아연망간산화물의 망간의 원자 함량은 15at%내지인것을특징으로 하는박막 트랜지스터 기판, 상기 광차단막nan은자외선흡수하는것을특징으로 하는박막 트랜지스터 기판
  3. 3근거 선택evidence_selection

    망간의 함량 조건과 자외선 흡수 기능이 연결된 청구항 2와 3의 내용을 근거로 선택한다.

    • 상기 아연망간산화물의 망간의 원자 함량은 15at%내지인것을특징으로 하는박막 트랜지스터 기판, 상기 광차단막nan은자외선흡수하는것을특징으로 하는박막 트랜지스터 기판
  4. 4논리 통합logical_integration

    청구항 2의 망간 함량 조건(15at% 내지)을 갖춘 광차단막이 청구항 3에 따라 자외선을 흡수하므로, 두 조건을 결합한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    자외선 흡수를 위한 망간의 원자 함량 범위는 15at% 내지이다.

    • 상기 아연망간산화물의 망간의 원자 함량은 15at%내지
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 함량 범위를 질문에 대한 답변으로 제시한다.

    • 15at%내지
최종 답변 (final_answer)
15at%내지
핵심 해석 (core_interpretation)
아연망간산화물을 포함하는 광차단막의 망간 원자 함량을 15at% 내지로 조절함으로써 자외선 흡수 기능을 구현하는 기술이다.