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반도체 메모리 장치 document_id 1020130116401

출원번호
1020130116401
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 소자 형성 영역의 테두리 부분을 포함하는 상부에 배치되는 전력 분배 라인 상기 소자 형성 영역 및 상기 전력 분배라인의 외곽을 둘러싸도록 형성되는 가드링; 및 상기 테두리 부분 상부에 형성된 상기 전력 분배라인 에지부와 상기 가드링을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 전력 보강부 를 포함하는 반도체 메모리 장치 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 소자 형성 영역 내의 지정된 위치에 형성된 전원 공급 패드를 더 포함하고, 상기 전력 분배 라인은 상기 전원 공급 패드로부터 공급되는 전압을 상기 소자 형성 영역 내전달하는반도체 메모리 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 가드링은 복수의 레이어에 각각 형성된 배선층이 적층된 구조이며, 상기 전력 보강부는, 상기 전력 분배 라인이 형성된 레이어와 동일한 레이어의 가드링 배선층 간에 연결형성되는반도체 메모리 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 전력 보강부는 상기 가드링과 상기 전력 분배 라인의 에지부 간에 연장되는 적어도 하나의 배선포함하는반도체 메모리 장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 전력 분배 라인은 소자 형성 영역 및 상기 테두리 부분 상에 메쉬 형태배치되는반도체 메모리 장치. [청구항 6] 소자 형성 영역의 테두리 부분을 포함하는 상부에 배치되는 전력 분배 라인 상기 소자 형성 영역 및 상기 전력 분배라인의 외곽을 둘러싸도록 형성되며, 복수의 레이어에 각각 형성된 배선층이 적층된 구조를 갖는 가드링; 및 상기 테두리 부분 상부에 형성된 상기 전력 분배라인 에지부와 상기 가드링을 전기적으로 연결하며, 상기 전력 분배 라인이 형성된 레이어와 상이한 레이어의 가드링 배선층 간에 연결 형성되는 적어도 하나의 전력 보강부 를 포함하는 반도체 메모리 장치 [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 전력 보강부는, 상기 에지부에 전기적으로 접속되는 비아 콘택을 통해 상기 전력 분배 라인이 형성된 레이어와 상이한 레이어의 가드링 배선층 간에 연결형성되는반도체 메모리 장치. [청구항 8] 제 6 항에 있어서,상기 소자 형성 영역 내의 지정된 위치에 형성된 전원 공급 패드를 더 포함하고, 상기 전력 분배 라인은 상기 전원 공급 패드로부터 공급되는 전압을 상기 소자 형성 영역 내전달하는반도체 메모리 장치. [청구항 9] 제 6 항에 있어서,상기 전력 보강부는 상기 가드링과 상기 에지부 간에 연장되는 적어도 하나의 배선포함하는반도체 메모리 장치. [청구항 10] 제 6 항에 있어서,상기 전력 분배 라인은 소자 형성 영역 및 상기 테두리 부분 상에 메쉬 형태배치되는반도체 메모리 장치. [청구항 11] 소자 형성 영역의 테두리 부분을 포함하는 상부에 배치되는 전력 분배 라인 상기 소자 형성 영역 및 상기 전력 분배라인의 외곽을 둘러싸도록 형성되며, 상기 소자 형성 영역 측에 형성된 제 1 가드링부와, 스크라이브 레인 측에 형성된 제 2 가드링부를 포함하는 가드링 상기 테두리 부분 상부에 형성된 상기 전력 분배라인 에지부와 상기 제 1 가드링부를 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 전력 보강부 를 포함하는 반도체 메모리 장치 [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 제 1 가드링부 및 상기 제 2 가드링부 각각은 복수의 레이어에 각각 형성된 배선층이 적층된 구조이며, 상기 전력 보강부는, 상기 전력 분배 라인이 형성된 레이어와 동일한 레이어의 상기 제 1 가드링부 배선층 간에 연결형성되는반도체 메모리 장치. [청구항 13] 제 11 항에 있어서,상기 제 1 가드링부 및 상기 제 2 가드링부 각각은 복수의 레이어에 각각 형성된 배선층이 적층된 구조이며, 상기 전력 보강부는, 상기 전력 분배 라인에 전기적으로 접속되는 비아 콘택을 통해 상기 전력 분배 라인이 형성된 레이어와 상이한 레이어의 상기 제 1 가드링부 배선층 간에 연결형성되는반도체 메모리 장치. [청구항 14] 제 11 항에 있어서,상기 소자 형성 영역 내의 지정된 위치에 형성된 전원 공급 패드를 더 포함하고, 상기 전력 분배 라인은 상기 전원 공급 패드로부터 공급되는 전압을 상기 소자 형성 영역 내전달하는반도체 메모리 장치. [청구항 15] 제 11 항에 있어서,상기 전력 보강부는 상기 가드링과 상기 에지부 간에 연장되는 적어도 하나의 배선포함하는반도체 메모리 장치. [청구항 16] 제 11 항에 있어서,상기 전력 분배 라인은 소자 형성 영역 및 상기 테두리 부분 상에 메쉬 형태배치되는반도체 메모리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1과 청구항 6에 기재된 반도체 메모리 장치에서, 전력 보강부가 전력 분배 라인이 형성된 레이어와 가드링 배선층 간에 형성되는 레이어 관계의 차이점은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    청구항 1과 청구항 6에 기재된 전력 보강부의 레이어 관계 차이점을 비교 분석하는 과업이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1의 전력 보강부는 전력 분배 라인과 가드링을 연결하며, 청구항 6의 전력 보강부는 전력 분배 라인과 가드링을 연결하되 레이어 관계가 명시되어 있다.

    • 상기 전력 분배라인 에지부와 상기 가드링을 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 전력 보강부
  3. 3근거 선택evidence_selection

    청구항 1은 레이어 관계에 대한 구체적 제한이 없으나, 청구항 6은 '상이한 레이어'임을 명시한다.

    • 상기 전력 분배 라인이 형성된 레이어와 상이한 레이어의 가드링 배선층 간에 연결 형성되는 적어도 하나의 전력 보강부
  4. 4논리 통합logical_integration

    청구항 1은 전력 보강부의 일반적인 연결 기능을 정의하고 있고, 청구항 6은 전력 보강부가 전력 분배 라인과 다른 층의 가드링 배선층 사이에 형성됨을 구체화하여 차별화한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    청구항 1은 레이어 관계를 특정하지 않은 반면, 청구항 6은 전력 보강부가 전력 분배 라인이 형성된 레이어와 상이한 레이어의 가드링 배선층 간에 형성된다고 규정한다.

    • 상기 전력 분배 라인이 형성된 레이어와 상이한 레이어의 가드링 배선층 간에 연결 형성되는 적어도 하나의 전력 보강부
  6. 6답변 생성answer_generation

    두 청구항의 레이어 관계 차이점을 비교하여 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
청구항 1의 전력 보강부는 전력 분배 라인의 에지부와 가드링을 전기적으로 연결하는 기능만을 기재하여 레이어 관계를 특정하지 않은 반면, 청구항 6의 전력 보강부는 전력 분배 라인이 형성된 레이어와 상이한 레이어의 가드링 배선층 간에 연결 형성된다고 명시하여 레이어 관계를 구체적으로 한정한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 전력 분배 라인과 가드링을 연결하는 전력 보강부의 배치 구조를 통해, 전력 보강부가 동일 레이어 또는 상이한 레이어의 가드링 배선층과 연결될 수 있음을 기술적 범위로 포함하고 있다.