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전력 반도체 소자 document_id 1020130118117

출원번호
1020130118117
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 절연층; 상기 절연층 위에 배치된 기판 상기 기판 위에 배치된 에피층 상기 에피층 위에 배치된 게이트 전극; 및 상기 에피층을 관통하고, 상기 게이트를 사이에 두고 서로 이격되어 배치된 소스 및 드레인 콘택을 포함하는 전력 반도체 소자 [청구항 2] 제1 항에 있어서,피층 위에 배치된 패시베이션층을 더 포함하고,상기 게이트 전극과, 상기 소스 콘택과, 상기 드레인 콘택은 상기 패시베이션층관통하여배치된전력 반도체 소자. [청구항 3] 제2 항에 있어서,상기 패시베이션층과 상기 절연층은 동일한 물질포함하는전력 반도체 소자. [청구항 4] 제2 항에 있어서,상기 패시베이션층의 두께와 상기 절연층의 두께는동일한전력 반도체 소자. [청구항 5] 제1 항에 있어서,상기 절연층은 1 å 내지 100 ㎛의 두께갖는전력 반도체 소자. [청구항 6] 제1 항에 있어서,상기 절연층은 sinx, mgo, sc2o3, sio2, sog 또는 sod 중 적어도 하나포함하는전력 반도체 소자. [청구항 7] 제1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘을 포함하고, 상기 에피층은 질화물 반도체포함하는전력 반도체 소자. [청구항 8] 제1 항 또는 제3 항에 있어서,상기 절연층nan은의해형성된전력 반도체 소자. [청구항 9] 제1 항에 있어서,상기 게이트 전극과 상기 에피층 사이에 배치된 게이트 절연층더 포함하는전력 반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
패시베이션층을 포함하는 전력 반도체 소자에서, 패시베이션층과 절연층이 동일한 물질을 포함할 경우 패시베이션층을 관통하여 배치되는 구성 요소들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    패시베이션층과 절연층이 동일한 물질일 때, 패시베이션층을 관통하여 배치되는 구성 요소들을 찾는 작업이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 2에서 패시베이션층을 관통하여 배치되는 구성 요소로 게이트 전극, 소스 콘택, 드레인 콘택이 명시되어 있다.

    • 상기 게이트 전극과, 상기 소스 콘택과, 상기 드레인 콘택은 상기 패시베이션층관통하여배치된
  3. 3근거 선택evidence_selection

    패시베이션층과 절연층이 동일한 물질이라는 조건은 청구항 3에 기술되어 있으며, 이는 청구항 2의 구성을 그대로 유지한다.

    • 상기 패시베이션층과 상기 절연층은 동일한 물질포함하는
  4. 4논리 통합logical_integration

    청구항 3은 청구항 2를 인용하므로, 청구항 2에서 정의된 '패시베이션층을 관통하는 구성 요소'는 청구항 3의 조건에서도 동일하게 적용된다.

    • 제2 항에 있어서,상기 패시베이션층과 상기 절연층은 동일한 물질포함하는
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    패시베이션층을 관통하는 요소는 게이트 전극, 소스 콘택, 드레인 콘택이다.

    • 상기 게이트 전극과, 상기 소스 콘택과, 상기 드레인 콘택은 상기 패시베이션층관통하여배치된
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대한 답변으로 게이트 전극, 소스 콘택, 드레인 콘택을 리스트 형식으로 작성한다.

    • 상기 게이트 전극과, 상기 소스 콘택과, 상기 드레인 콘택은 상기 패시베이션층관통하여배치된
최종 답변 (final_answer)
게이트 전극, 소스 콘택, 드레인 콘택
핵심 해석 (core_interpretation)
패시베이션층과 절연층이 동일한 물질로 구성된 전력 반도체 소자에서, 게이트 전극, 소스 콘택 및 드레인 콘택이 패시베이션층을 관통하여 배치되는 구조를 나타낸다.