문맥 (context)
[청구항 1]
층간 절연막 상부에 형성된 배선층
상기 배선층으로부터 상기 층간 절연막 내로 연장되되 하단부의 높이가 상기 층간 절연막의 하단부 보다 높게 형성되는 적어도 하나의 배선특성 조절부
를 포함하는 반도체 장치
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 배선특성 조절부는 상기 층간 절연막 내에서 다수 개가 일정 간격배치되는반도체 장치.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 배선특성 조절부는 하나의 행 또는 하나의 열배치되는반도체 장치.
[청구항 4]
제2항에 있어서,상기 배선특성 조절부는 복수의 행과 복수의 열배치되는반도체 장치.
[청구항 5]
제2항에 있어서,상기 배선특성 조절부는 상기 배선층의 일방향으로 연장 형성되는 라인 형상갖는반도체 장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 배선특성 조절부는 다수 개가 상호 교차하는 형태배치되는반도체 장치.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 층간 절연막 내에서는 상기 제1배선층과 상기 제2배선층을 전기적으로 연결하는 콘택더 포함하는반도체 장치.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 층간 절연막에는 상기 콘택 형성을 위한 컨택홀과 상기 배선특성 조절부의 형성을 위한 부분 비아홀이 형성되고,상기 부분 비아홀은상기층간 절연막관통하지않는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 부분 비아홀은 상기 층간 절연막 내에서 다수 개가 일정 간격배치되는반도체 장치.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 부분 비아홀은 하나의 행 또는 하나의 열배치되는반도체 장치.
[청구항 12]
제10항에 있어서,상기 부분 비아홀은 복수의 행과 복수의 열배치되는반도체 장치.
[청구항 13]
제10항에 있어서,상기 부분 비아홀은 상기 배선층의 일방향형성되는반도체 장치.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 부분 비아홀은 다수 개가 상호 교차하는 형태배치되는반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 구성요소의 기능과 역할을 분석하여 질문에 답하라. 근거를 종합하여 자연스러운 문장으로 설명하라.
질문 (question)
반도체 장치에서 배선특성 조절부를 형성하기 위한 부분 비아홀은 층간 절연막을 관통하는가? 또한 그 형성 방식은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation배선특성 조절부 형성을 위한 부분 비아홀이 층간 절연막을 관통하는지 여부와 그 형성 방식을 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 9에서 부분 비아홀의 관통 여부와 층간 절연막 내 형성 관계를 확인할 수 있다.
- 상기 층간 절연막에는 상기 콘택 형성을 위한 컨택홀과 상기 배선특성 조절부의 형성을 위한 부분 비아홀이 형성되고,상기 부분 비아홀은상기층간 절연막관통하지않는것
-
3근거 선택
evidence_selection부분 비아홀이 층간 절연막을 관통하지 않는다는 직접적인 구절을 선택한다.
- 상기 부분 비아홀은상기층간 절연막관통하지않는것
-
4논리 통합
logical_integration부분 비아홀은 층간 절연막 내에 형성되지만, 층간 절연막을 완전히 관통하지는 않는 구조임을 논리적으로 연결한다.
- 상기 층간 절연막에는 ... 상기 배선특성 조절부의 형성을 위한 부분 비아홀이 형성되고, 상기 부분 비아홀은 상기 층간 절연막 관통하지 않는 것
-
5결론 도출
conclusion_formulation부분 비아홀은 층간 절연막을 관통하지 않으며, 층간 절연막 내에 형성된다.
- 상기 부분 비아홀은상기층간 절연막관통하지않는것
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대해 관통 여부와 형성 방식을 명확히 기술하여 답변을 생성한다.
- 상기 부분 비아홀은상기층간 절연막관통하지않는것
최종 답변 (final_answer)
배선특성 조절부를 형성하기 위한 부분 비아홀은 층간 절연막을 관통하지 않으며, 층간 절연막 내에 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
배선특성 조절부 형성을 위한 부분 비아홀이 층간 절연막을 완전히 관통하지 않고 내부에 형성됨으로써 배선 특성을 조절하는 구조를 특징으로 한다.