미세 패턴 형성용 적층체 및 미세 패턴 형성용 적층체의 제조 방법 document_id 1020137009345

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 거리(lcc)와 상기 높이(h)가 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (3)0.02h≤lcc≤0.9h [청구항 3] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 거리(lcv)와 상기 높이(h)가 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (4)0≤lcv≤0.01h [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 거리(lcv)가 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (5)lcv=0 [청구항 5] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 요철 구조 표면에 마련되고, 금속, 또는 금속 산화물, 또는 둘다로 구성된금속층갖는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 금속층 표면에 마련되고, 메틸기를 갖는 화합물을 포함하는 층, 실리콘을 포함하는 층 및 불소를 포함하는 층으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 층으로 구성된 이형층을 가지며, 상기 이형층은두께이하인것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 7] 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 요철 구조 표면에 마련되고, 메틸기를 갖는 화합물을 포함하는 층, 실리콘을 포함하는 층 및 불소를 포함하는 층으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상의 층으로 구성된 이형층을 가지며, 상기 이형층은두께이하인것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 이형층은 실란 커플링제, 또는 pdms,또는둘포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 제1 마스크층이 상기 몰드의 요철 구조를 덮도록 마련되고, 상기 최상부 위치(scv)와 상기 제1 마스크층의 표면 사이의 거리(lor)와 상기 요철 구조의 피치(p)가 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (6)0.05≤lor/p≤5 [청구항 10] 제1항, 제2항 또는 제9항 중 어느 한 항에 있어서,드라이에칭에 의한 상기 제2 마스크층의 에칭률(vm1)과 상기 제1 마스크층의 에칭률(vo1)의 비율(vo1/vm1)이 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (7)3≤vo1/vm1 [청구항 11] 제9항에 있어서,상기 제1 마스크층의 표면 상에 마련된보호층갖는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 12] 제9항에 있어서,상기 제1 마스크층의 표면 상에,상기피처리체가배치된것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 13] 제1항, 제2항 또는 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 피처리체가 무기 기재인 것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 피처리체와 상기 제1 마스크층 사이에 마련된하드마스크층갖는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 15] 제12항에 있어서,드라이에칭에 의한 상기 피처리체의 에칭률(vi2)과 상기 제1 마스크층의 에칭률(vo2)의 비율(vo2/vi2)이 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (8)vo2/vi2≤3 [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 비율(vo2/vi2)이 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (9)vo2/vi2≤1 [청구항 17] 제9항에 있어서,상기 제1 마스크층이 반응성 희석재및중합 개시제포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 제1 마스크층이바인더수지포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 19] 제17항 또는 제18항에 있어서,상기 반응성 희석재가 광 중합성 모노머를 포함하고, 상기 중합 개시제가광중합 개시제포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 20] 제17항 또는 제18항에 있어서,상기 반응성 희석재가 열 중합성 모노머를 포함하고, 상기 중합 개시제가열중합 개시제포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 21] 제18항에 있어서,상기 바인더 수지가반응성바인더수지포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 22] 제18항에 있어서,상기 바인더 수지가알칼리가용수지인것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 23] 제18항에 있어서,상기 바인더 수지가 측쇄, 또는 주쇄, 또는 둘다의 내부에 하기 일반식 (1)로 표시되는부위갖는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.일반식 (1) [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 바인더 수지는 카르복실기의 함유량이 산 당량으로 100∼600이고, 공중합 성분으로서 벤질(메타)아크릴레이트를 함유하며,또한중량 평균 분자량인것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 25] 제1항, 제2항, 제9항, 제11항, 제12항, 제14항 내지 제18항 및 제21항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,상기 몰드는 지지 기재와, 상기 지지 기재의 일주면(一主面) 상에 마련되며 상기 지지 기재와는 다른 재료를 포함하여 이루어지는재료층구비하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 재료층은 수지로 구성되는수지층인것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 27] 제25항에 있어서,상기 지지 기재가릴형인것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 28] 제25항에 있어서,상기 지지 기재가평판형인것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 29] 제26항에 있어서,상기 수지층이불소함유수지구성되는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 30] 제29항에 있어서,상기 몰드는 상기 볼록부 최상부 위치(s)측 영역 중의 표면 불소 원소 농도(es)와, 상기 재료층 중의 평균 불소 농도(eb)의 비가 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (10)1003c#es/eb≤30000 [청구항 31] 제26항에 있어서,상기 수지층이실리콘포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 32] 제1항, 제2항, 제9항, 제11항, 제12항, 제14항 내지 제18항 및 제21항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,상기 몰드가폴리디메틸실록산구성된것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 33] 제1항, 제2항, 제9항, 제11항, 제12항, 제14항 내지 제18항 및 제21항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,상기 몰드가열가소성 수지구성된것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 34] 제1항, 제2항, 제9항, 제11항, 제12항, 제14항 내지 제18항 및 제21항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,상기 몰드가무기재료구성된것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 35] 제34항에 있어서,상기 무기 재료가 석영, 유리, 실리콘, 니켈, sic, 다이아몬드, 다이아몬드 라이크 카본, 불소 함유 다이아몬드 라이크 카본 및 사파이어로 이루어지는 군에서 선택된하나이상포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 36] 제1항, 제2항, 제9항, 제11항, 제12항, 제14항 내지 제18항 및 제21항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2 마스크층이금속원소포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 37] 제36항에 있어서,상기 제2 마스크층이졸겔 재료포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 38] 제36항에 있어서,상기 제2 마스크층이금속 산화물미립자포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 39] 제36항에 있어서,상기 제2 마스크층이 ti, zr, si, zn, cr, al, ga, in, cu, ag, fe, sn, pb, ge, ha, ta, w의 군에서 선택되는1종이상의금속원소포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 40] 제25항에 있어서,상기 요철 구조는 개구율이 45％ 이상인 홀 형상이고, 홀 개구부의 면적이 홀 바닥부의 면적보다 크며, 또한 인접하는 홀 개구부 중심 사이끼리의 거리가 100 ㎚이상이하인것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 47] 제45항에 있어서,상기 단위 면적(sc) 및 상기 단위 면적(sc)의 영역 하에 존재하는 상기 도트 구조의 개구부 면적(sh)은 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체의 제조 방법.식 (12)sh/sc≥0.45 [청구항 48] 제47항에 있어서,상기 단위 면적(sc) 및 상기 개구부 면적(sh)이 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체의 제조 방법.식 (13)sh/sc≥0.55 [청구항 50] 제49항에 있어서,상기 단위 면적(sc) 및 상기 단위 면적(sc)의 영역 하에 존재하는 상기 홀 구조의 개구부 면적(sh)이 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체의 제조 방법.식 (12)sh/sc≥0.45 [청구항 51] 제50항에 있어서,상기 단위 면적(sc) 및 상기 개구부 면적(sh)이 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체의 제조 방법.식 (13)sh/sc≥0.55 [청구항 57] 제56항에 있어서,상기 제1 마스크층 재료의 용액의 도공막 두께(ho) 및 상기 제1 마스크층 재료의 용액의 체적 농도(co)가 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체의 제조 방법.식 (14)sc·ho·co≥vc [청구항 58] 제57항에 있어서,상기 제2 마스크층의 최상부 위치(scv)와 상기 제1 마스크층의 표면 사이의 거리(lor) 및 상기 요철 구조의 피치(p)는 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체의 제조 방법.식 (15)lor/p≤5 [청구항 61] 제60항에 있어서,상기 수지층의 상기 볼록부 최상부 위치(s)측 영역 중의 표면 불소 원소 농도(es)와, 상기 수지층 중의 평균 불소 농도(eb)의 비는 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체의 제조 방법.식 (10)1003c#es/eb≤30000 [청구항 64] 제63항에 있어서,상기 제2 마스크층이금속원소포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 65] 제64항에 있어서,상기 제2 마스크층이졸겔 재료포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 66] 제64항 또는 제65항에 있어서,상기 제2 마스크층이금속산화물포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 67] 제64항 또는 제65항에 있어서,상기 제2 마스크층이유기수지포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 68] 제64항 또는 제65항에 있어서,상기 피처리체와 상기 제1 마스크층 사이에하드마스크층형성되어있는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 69] 제63항 내지 제65항 중 어느 한 항에 있어서,상기 피처리체가 사파이어, 석영, 실리콘, ito, zno, sic혹은질화물반도체중하나인것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 70] 제63항 내지 제65항 중 어느 한 항에 있어서,상기 요철 구조의 높이(h0)와 상기 요철 구조의 오목부 바닥부 위치와 상기 피처리체의 일주면의 거리의 합이, 50 ㎚이상이하인것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 71] 제70항에 있어서,상기 요철 구조의 인접하는 볼록부 최상부 중앙간의 거리, 또는 인접하는 오목부 바닥부 중앙간의 거리가, 50 ㎚이상이하인것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 72] 제71항에 있어서,상기 요철 구조의 볼록부 상에 배치된 제2 마스크층의 두께(hmv)가 하기 식 (18)을 만족시키고, 또한 상기 요철 구조 측면부 상에 배치된 제2 마스크층의 두께(hml)가 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (18)0003c#hmv003c#1000 ㎚식 (19)0≤hml≤50 ㎚ [청구항 73] 제72항에 있어서,드라이에칭에 의한, 상기 피처리체의 에칭률(vi2)과, 상기 제1 마스크층의 에칭률(vo2)의 비율(vo2/vi2)이 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (8)vo2/vi2≤3 [청구항 74] 제73항에 있어서,드라이에칭에 의한, 상기 피처리체의 에칭률(vi2)과, 상기 제1 마스크층의 에칭률(vo2)의 비율(vo2/vi2)이 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (9)vo2/vi2≤1 [청구항 75] 제73항에 있어서,드라이에칭에 의한 상기 제2 마스크층의 에칭률(vm1)과, 상기 제1 마스크층의 에칭률(vo1)의 비율(vo1/vm1)은 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (7)3≤vo1/vm1 [청구항 76] 제75항에 있어서,상기 제1 마스크층은 하기 일반식 (1)로 표시되는부위갖는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.일반식 (1) [청구항 86] 제85항에 있어서,식(3) 및 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (3)0.02h≤lcc≤0.9h식 (21)0≤lcv003c#(h-lcc)/2 [청구항 87] 제86항에 있어서,상기 거리(lcv)가 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (5)lcv=0 [청구항 88] 제87항에 있어서,상기 제2 마스크층이금속원소포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 89] 제88항에 있어서,상기 제2 마스크층이졸겔 재료포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 90] 제88항 또는 제89항에 있어서,상기 제2 마스크층이금속산화물포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 91] 제88항 또는 제89항에 있어서,상기 제2 마스크층이유기수지포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 92] 제88항 또는 제89항에 있어서,상기 피처리체와 상기 제1 마스크층 사이에하드마스크층형성되어있는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 93] 제88항 또는 제89항에 있어서,상기 피처리체가 사파이어, 석영, 실리콘, ito, zno, sic혹은질화물반도체중하나인것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 94] 제85항 내지 제89항 중 어느 한 항에 있어서,상기 요철 구조의 인접하는 볼록부 최상부 중앙간의 거리, 또는 인접하는 오목부 바닥부 중앙간의 거리가, 50 ㎚이상이하인것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 95] 제94항에 있어서,드라이에칭에 의한, 상기 피처리체의 에칭률(vi2)과, 상기 제1 마스크층의 에칭률(vo2)의 비율(vo2/vi2)이 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (8)vo2/vi2≤3 [청구항 96] 제95항에 있어서,드라이에칭에 의한, 상기 피처리체의 에칭률(vi2)과, 상기 제1 마스크층의 에칭률(vo2)의 비율(vo2/vi2)이 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (9)vo2/vi2≤1 [청구항 97] 제95항에 있어서,드라이에칭에 의한 상기 제2 마스크층의 에칭률(vm1)과, 상기 제1 마스크층의 에칭률(vo1)의 비율(vo1/vm1)은, 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (7)3≤vo1/vm1 [청구항 107] 제106항에 있어서,발수성 필름으로서사용되는것을특징으로 하는미세 패턴. [청구항 108] 제106항에 있어서,친수성 필름으로서사용되는것을특징으로 하는미세 패턴. [청구항 109] 제106항에 있어서,점착 테이프로서사용되는것을특징으로 하는미세 패턴. [청구항 111] 제110항에 있어서,미량 물질을 검출하는센서사용되는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 112] 제111항에 있어서,광학식 센서인 것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 113] 제1항, 제2항, 제9항, 제11항, 제12항, 제14항 내지 제18항 및 제21항 내지 제24항, 제63항 내지 제65항 및 제85항 내지 제89항 중 어느 한 항에 있어서,상기 마스크층이 금속종 m1(단, m1은, ti, zr, zn, sn, b, in, al로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속 원소)로 이루어지는 금속 알콕시드, 또는 금속종 si로 이루어지는 금속 알콕시드,또는둘포함하는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체. [청구항 114] 제113항에 있어서,상기 요철 구조 또는 상기 제1 마스크층의 상기 제2 마스크층 면측 영역 중의 표면 불소 원소 농도(es)와, 상기 요철 구조 또는 상기 제1 마스크층의 평균 불소 농도(eb)의 비는, 하기식만족시키는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.식 (22)30≤es/eb≤160 [청구항 115] 제114항에 있어서,피처리체를 미세 가공하기 위해사용되는것을특징으로 하는미세 패턴 형성용 적층체.