전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 document_id 1020137010945

[청구항 2] 제1항에 있어서,제1층은 유리전이온도가 80℃를 초과하는 비정질 플루오로중합체형성되는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 3] 제2항에 있어서,비정질 플루오로중합체는 불소화 1,3-디옥솔과 테트라플루오로에틸렌(tfe)의 공중합체, 퍼플루오로퓨란(pff)과 테트라플루오로에틸렌(tfe)의 공중합체, 퍼플루오로(4-비닐옥실)-1-알켄의 단독 중합체 또는 공중합체, 및 이들의 조합물로 이루어진 군선택되는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 4] 제2항에 있어서,플루오로중합체는 4,5-디플루오로-2,2-비스(트리플루오로메틸)-1,3-디옥솔(pdd)과 테트라플루오로에틸렌(tfe)의 공중합체, 또는 2,2,4-트리플루오로-5-트리플루오로메톡시-1,3-디옥솔(ttd)과 테트라플루오로에틸렌(tfe)의 공중합체인전계효과 트랜지스터. [청구항 5] 제1항에 있어서,제2층은 무기재료형성되는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 6] 제5항에 있어서,제2층의 무기재료는 al2o3, sinx, tio2, hfo2, ta2o5, sio2, y2o3, zro2 중 임의의 하나, 또는 이들의 조합물인전계효과 트랜지스터. [청구항 8] 제1항에 있어서,게이트 절연체는제1층제2층으로이루어진이중층인전계효과 트랜지스터. [청구항 9] 제1항에 있어서,제2층은 유도 및/또는 배향가능한 쌍극자를 가진 중합체 매트릭스, 또는 영구 쌍극자를 가진 분자로 도핑된 중합체 매트릭스를 포함하는 유기재료제조되는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 10] 제1항에 있어서,반도체층은 유기 반도체층이며, 제1층의 재료는 직교 용매(orthogonal solvent)에 용해가능한 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 11] 제1항에 있어서,반도체층은 (i) 펜타센층, (ii) 폴리트리아릴아민(ptaa) 중의 트리이소프로필실릴에티닐(tips)-펜타센, (iii) 폴리트리아릴아민 중의 2,8-디플루오로-5,11-비스(트리에틸실릴에티닐) 안트라디티오펜(dif-tesadt), (iv) ingazno, 및 (v) 폴리{[n,n9-비스(2-옥틸도데실)-나프탈렌-1,4,5,8-비스(디카복시미드)-2,6-디일]-알트-5,59-(2,29-바이티오펜)} 재료 중 임의의 하나 중에서 선택되는 유기 반도체층인전계효과 트랜지스터. [청구항 12] 제1항에 있어서,반도체층은 하기 구조를 가진 재료, 또는 상기 재료와 폴리(α-메틸 스티렌)(pαms)의 블렌드포함하는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 13] 제1항에 있어서,반도체층은 하기 구조를 가진 재료포함하는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 14] 제1항에 있어서,게이트 절연체는 제2층과 게이트 사이에 제3층더 포함하는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 제2층은 지속적인 바이어스 응력 하에서 시간이 지남에 따라 제2 유전상수의 증가를 야기하는 쌍극자포함하는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 17] 제15항에 있어서,제1층은 유리전이온도가 80℃를 초과하는 비정질 플루오로중합체형성되는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 18] 제15항에 있어서,제2층은 무기재료형성되는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 19] 제18항에 있어서,제2층의 무기재료는 al2o3, sinx, tio2, hfo2, ta2o5, sio2, y2o3, zro2 중 임의의 하나, 또는 이들의 조합물인전계효과 트랜지스터. [청구항 20] 제15항에 있어서,제1층은 불소화 1,3-디옥솔과 테트라플루오로에틸렌(tfe)의 공중합체, 퍼플루오로퓨란(pff)과 테트라플루오로에틸렌(tfe)의 공중합체, 및 퍼플루오로(4-비닐옥실)-1-알켄의 단독 중합체 또는 공중합체 중 임의의 하나로 형성되거나, 또는 이들의 조합물형성되는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 21] 제15항에 있어서,제1층은 4,5-디플루오로-2,2-비스(트리플루오로메틸)-1,3-디옥솔(pdd)과 테트라플루오로에틸렌(tfe)의 공중합체, 또는 2,2,4-트리플루오로-5-트리플루오로메톡시-1,3-디옥솔(ttd)과 테트라플루오로에틸렌(tfe)의 공중합체형성되는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 22] 제15항에 있어서,제2층은 원자층 증착법(ald), 전자빔 증착법, rf-스퍼터링법, 화학적 기상 증착법(cvd 또는 pecvd), 펄스-레이저 증착법(pld), 스핀-코팅법, 인쇄법, 적층법(lamination), 닥터-블레이딩기법중임의하나에의해증착되는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 23] 제21항에 있어서,선택적으로 제2층의 재료는 al2o3이고, 제2층은원자층 증착법의해증착되는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 24] 제15항에 있어서,제1층의 두께는 200nm미만인전계효과 트랜지스터. [청구항 25] 제15항에 있어서,제2층의 두께는 500nm미만인전계효과 트랜지스터. [청구항 26] 제15항에 있어서,게이트 절연체는제1층제2층으로이루어진이중층인전계효과 트랜지스터. [청구항 27] 제15항에 있어서,게이트 절연체는 제2층과 게이트 사이에 제3층더 포함하는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 28] 제15항에 있어서,반도체층은 유기 반도체층이며, 제1층의 재료는 직교 용매에 용해가능한 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 29] 제15항에 있어서,반도체층은 (i) 펜타센층, (ii) 폴리트리아릴아민(ptaa) 중의 트리이소프로필실릴에티닐(tips)-펜타센, (iii) 폴리트리아릴아민 중의 2,8-디플루오로-5,11-비스(트리에틸실릴에티닐) 안트라디티오펜(dif-tesadt), (iv) ingazno, 및 (v) 폴리{[n,n9-비스(2-옥틸도데실)-나프탈렌-1,4,5,8-비스(디카복시미드)-2,6-디일]-알트-5,59-(2,29-바이티오펜)} 재료 중 임의의 하나 중에서 선택되는 유기 반도체층인전계효과 트랜지스터. [청구항 30] 제15항에 있어서,반도체층은무기 반도체층인전계효과 트랜지스터. [청구항 31] 제15항에 있어서,제2층의 상대유전상수는 5보다 큰것인전계효과 트랜지스터. [청구항 32] 제15항에 있어서,상기 전계효과 트랜지스터는 상부 게이트 전계효과 트랜지스터이며, 게이트 절연체는 반도체층의 상부에 위치하고, 제1층은 반도체층의 상부에 위치하며, 제2층은 상기 제1층의 상부위치하는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 33] 제15항에 있어서,반도체층은 하기 구조를 가진 재료, 또는 상기 재료와 폴리(α-메틸 스티렌)(pαms)의 블렌드포함하는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 34] 제15항에 있어서,반도체층은 하기 구조를 가진 재료포함하는 것인전계효과 트랜지스터. [청구항 37] 제1항에 있어서,전자수송 유기 반도체는 약 1,000 이하의 분자량갖는 것인조성물. [청구항 38] 제1항에 있어서,중합체는 아릴아민포함하는 것인조성물. [청구항 39] 제1항에 있어서,중합체는임의치환되는폴리스티렌인조성물.