리소그래피 시스템, 변조 디바이스 및 광섬유 고정 기판의 제조 방법 document_id 1020137013171

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 복수의 섬유들의 상기 말단 섹션들은 대응하는 광 감지 소자들의 약 100미크론, 바람직하게는 약 50 미크론내에 있는,하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템. [청구항 3] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 빔렛 블랭커 어레이와 상기 섬유 고정 기판 사이의 커플링은, 광 감지 소자들이 없는 위치들에서 상기 블랭커 어레이와 접촉하고 그리고 섬유의 말단 섹션이 없는 위치들에서 상기 섬유 고정 기판과 접촉하는접착제에의해확립되는,하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템. [청구항 4] 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 빔렛 블랭nan커어레이와상기섬유고정기판사이의커플링접착층에의해확립되는,하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 접착층은 상기 블랭커 어레이 및 상기 섬유 고정 기판 모두의 대부분접촉하는,하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 접착층은, 상기 섬유 고정 기판 내의 상기 섬유 말단 섹션들 및 상기 빔렛 블랭커 어레이 상에 제공된상기광감지소자들모두와접촉하는,하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 접착층은 약 1.4 보다 높은 굴절률을 갖는 재료포함하는,하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 접착층은 약 1.5 보다 높은 굴절률을 갖는 재료포함하는,하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템. [청구항 9] 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 섬유 고정 기판은 복수의 개구들이 제공된 기판을 포함하고 ― 상기 복수의 개구들을 통해서 상기 섬유 말단들이 연장함 ―, 상기 섬유 말단들은 접착제를 이용하여 상기 기판접속되는,하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템. [청구항 10] 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 블랭커 어레이에 대면하는 상기 섬유 고정 기판의 표면은, 상기 기판을 통해서 연장하는 상기 섬유들의 말단 부분들의 높이들 사이의 변화가 약 2 미크론 미만이 되도록, 폴리싱되는(polished), 하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템. [청구항 11] 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 섬유 고정 기판에 대면하는 상기 빔렛 블랭커 어레이의 표면은, 적어도 하나의 변조기를 포함하는 제 1 영역 및 변조기들을 갖지 않는 제 2 어레이를 포함하고,상기 빔렛 블랭커 어레이와 상기 섬유 고정 기판의 커플링은 제 2 영역확립되는,하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템. [청구항 12] 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광 감지 소자들에는 반사-방지 코팅제공되는,하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템. [청구항 13] 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 빔렛 블랭커 어레이 및 상기 고정 섬유 기판 중 적어도 하나에는 하나 또는 둘 이상의 상호 위치 소자들제공되는,하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 복수의 섬유들의 말단 섹션들은 대응하는 광 감지 소자들의 약 100 미크론, 바람직하게는 약 50 미크론 내에 있는, 하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템사용하기 위한변조 디바이스. [청구항 16] 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 빔렛 블랭커 어레이와 상기 섬유 고정 기판 사이의 커플링은, 광 감지 소자들이 없는 위치들에서 상기 블랭커 어레이와 접촉하는 그리고 섬유의 말단 섹션이 없는 위치들에서 상기 섬유 고정 기판과 접촉하는 접착제에 의해 확립되는, 하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템사용하기 위한변조 디바이스. [청구항 17] 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,상기 빔렛 블랭커 어레이와 상기 섬유 고정 기판 사이의 커플링은, 접착층에 의해 확립되는, 하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템사용하기 위한변조 디바이스. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 접착층은 상기 블랭커 어레이 및 상기 섬유 고정 기판 모두의 대부분과 접촉하고 있는, 하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템사용하기 위한변조 디바이스. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 접착층은 상기 빔렛 블랭커 어레이 상에 제공된 상기 광 감지 소자들 및 상기 섬유 고정 기판 내의 상기 섬유 말단 섹션들 모두와 접촉하고 있는, 하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템사용하기 위한변조 디바이스. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 접착층은 약 1.4 보다 높은 굴절률을 갖는 재료를 포함하는, 하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템사용하기 위한변조 디바이스. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 접착층은 약 1.5 보다 높은 굴절률을 갖는 재료를 포함하는, 하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템사용하기 위한변조 디바이스. [청구항 22] 제 14 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 섬유 고정 기판은 복수의 개구들이 제공된 기판을 포함하고 ― 상기 복수의 개구들을 통해서 상기 섬유 말단들이 연장함 ―, 상기 섬유 말단들은 접착제를 이용하여 상기 기판에 접속되는, 하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템사용하기 위한변조 디바이스. [청구항 23] 제 14 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 블랭커 어레이에 대면하는 상기 섬유 고정 기판의 표면은, 상기 기판을 통해서 연장하는 상기 섬유들의 말단 부분들의 높이들 사이의 변화가 약 2 미크론 미만이 되도록, 폴리싱되는(polished), 하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템사용하기 위한변조 디바이스. [청구항 24] 제 14 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 섬유 고정 기판에 대면하는 상기 빔렛 블랭커 어레이의 표면은, 적어도 하나의 변조기를 포함하는 제 1 영역 및 변조기들을 갖지 않는 제 2 어레이를 포함하고,상기 빔렛 블랭커 어레이와 상기 섬유 고정 기판의 커플링은 제 2 영역에 확립되는, 하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템사용하기 위한변조 디바이스. [청구항 25] 제 14 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광 감지 소자들에는 반사-방지 코팅이 제공되는, 하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템사용하기 위한변조 디바이스. [청구항 26] 제 14 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 빔렛 블랭커 어레이 및 상기 고정 섬유 기판 중 적어도 하나에는 하나 또는 둘 이상의 상호 위치 소자들제공되는,시스템.