문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 소자는 평면 또는 finfet pmos 트랜지스터 중하나인,트랜지스터 소자.
[청구항 3]
제1항에 있어서,금속-저마나이드(metal-germanide) 소스 및 드레인 컨택트들더 포함하는,트랜지스터 소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 소스 및 드레인 영역들 위에 층간 유전체더 포함하는,트랜지스터 소자.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 소자는:상기 기판과 상기 붕소 도핑된 게르마늄층 사이에 버퍼더 포함하는,트랜지스터 소자.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 버퍼는 상기 기판과 호환되는 베이스 레벨 농도(base level concentration)로부터 95 원자 %를 초과하는 고농도까지 등급화된 게르마늄 농도갖는,트랜지스터 소자.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 고농도는 순수 게르마늄반영하는,트랜지스터 소자.
[청구항 8]
제5항에 있어서,상기 버퍼는 상기 기판과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 1e20 cm-3을 초과하는 고농도까지 등급화된 붕소 농도갖는,트랜지스터 소자.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 붕소 도핑된 게르마늄층은 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 그 위의 붕소 도핑된 게르마늄 캡(cap)을 포함하는 2중층 구성갖는,트랜지스터 소자.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분은, 상기 기판과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 50 원자 %를 초과하는 고농도까지 등급화된 게르마늄 농도를 가지며, 상기 붕소 도핑된 게르마늄 캡은 95 원자 %를 초과하는 게르마늄 농도갖는,트랜지스터 소자.
[청구항 11]
제9항에 있어서,상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분은, 상기 기판과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 1e20 cm-3을 초과하는 고농도까지 등급화된 붕소 농도갖는,트랜지스터 소자.
[청구항 12]
제9항에 있어서,상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분은 고정된 게르마늄 농도를 가지며, 상기 소자는 상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 상기 붕소 도핑된 게르마늄 캡 사이에 버퍼를 더 포함하고, 상기 버퍼는 상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 50 원자 %를 초과하는 고농도까지 등급화된 게르마늄 농도와, 상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 1e20 cm-3을 초과하는 고농도까지 등급화된 붕소 농도갖는,트랜지스터 소자.
[청구항 13]
제9항에 있어서,상기 트랜지스터는 100 ohm*㎛ 미만의 rext 값갖는,트랜지스터 소자.
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 소자는:상기 기판과 상기 붕소 도핑된 게르마늄층 사이에 버퍼를 더 포함하고, 상기 버퍼는 상기 기판과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 95 원자 %를 초과하는 고농도까지 등급화된 게르마늄 농도와, 상기 기판과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 2e20 cm-3을 초과하는 고농도까지 등급화된 붕소 농도갖는,트랜지스터 소자.
[청구항 16]
제14항에 있어서,상기 붕소 도핑된 게르마늄층은 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 그 위의 붕소 도핑된 게르마늄 캡(cap)을 포함하는 2중층 구성갖는,트랜지스터 소자.
[청구항 17]
제16항에 있어서,상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분은, 상기 기판과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 50 원자 %를 초과하는 고농도까지 등급화된 게르마늄 농도를 가지며, 상기 붕소 도핑된 게르마늄 캡은 95 원자 %를 초과하는 게르마늄 농도갖는,트랜지스터 소자.
[청구항 18]
제17항에 있어서,상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분은, 상기 기판과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 2e20 cm-3을 초과하는 고농도까지 등급화된 붕소 농도갖는,트랜지스터 소자.
[청구항 19]
제16항에 있어서,상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분은 고정된 게르마늄 농도를 가지며, 상기 소자는 상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 상기 붕소 도핑된 게르마늄 캡 사이에 얇은 버퍼를 더 포함하고, 상기 버퍼는 상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 50 원자 %를 초과하는 고농도까지 등급화된 게르마늄 농도와, 상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 2e20 cm-3을 초과하는 고농도까지 등급화된 붕소 농도를 가지며, 상기 버퍼는 100 옹스트롬(angstrom) 미만의 두께갖는,트랜지스터 소자.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 요구되는 정보를 명확한 구조로 정리하라.
질문 (question)
붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 붕소 도핑된 게르마늄 캡을 포함하는 2중층 구성의 붕소 도핑된 게르마늄층을 갖는 트랜지스터 소자에서, 실리콘 게르마늄 부분과 게르마늄 캡 사이에 위치하며 100 옹스트롬 미만의 두께를 갖는 버퍼의 게르마늄 농도 및 붕소 농도 조건은 각각 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation트랜지스터 소자 내 실리콘 게르마늄 부분과 게르마늄 캡 사이의 100 옹스트롬 미만 두께를 갖는 버퍼의 게르마늄 및 붕소 농도 조건을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 19에서 실리콘 게르마늄 부분과 게르마늄 캡 사이에 100 옹스트롬 미만의 두께를 갖는 얇은 버퍼가 포함됨을 확인한다.
- 상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 상기 붕소 도핑된 게르마늄 캡 사이에 얇은 버퍼를 더 포함하고, 상기 버퍼는 100 옹스트롬(angstrom) 미만의 두께갖는
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3근거 선택
evidence_selection해당 버퍼의 게르마늄 농도와 붕소 농도에 관한 구절을 선택한다.
- 상기 버퍼는 상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 50 원자 %를 초과하는 고농도까지 등급화된 게르마늄 농도와, 상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 2e20 cm-3을 초과하는 고농도까지 등급화된 붕소 농도를 가지며
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4논리 통합
logical_integration버퍼의 게르마늄 농도는 실리콘 게르마늄 부분의 베이스 레벨로부터 50 원자 %를 초과하도록 등급화되며, 붕소 농도는 2e20 cm-3을 초과하도록 등급화됨을 결합한다.
- 상기 버퍼는 상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 50 원자 %를 초과하는 고농도까지 등급화된 게르마늄 농도와, 상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 2e20 cm-3을 초과하는 고농도까지 등급화된 붕소 농도를 가지며
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5결론 도출
conclusion_formulation게르마늄 농도는 50 원자 % 초과, 붕소 농도는 2e20 cm-3 초과 조건임을 도출한다.
- 상기 버퍼는 상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 50 원자 %를 초과하는 고농도까지 등급화된 게르마늄 농도와, 상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 2e20 cm-3을 초과하는 고농도까지 등급화된 붕소 농도를 가지며
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6답변 생성
answer_generation질문에 명시된 두 가지 농도 조건을 구조화된 형식으로 답변한다.
- 상기 버퍼는 상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 50 원자 %를 초과하는 고농도까지 등급화된 게르마늄 농도와, 상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 2e20 cm-3을 초과하는 고농도까지 등급화된 붕소 농도를 가지며
최종 답변 (final_answer)
{"게르마늄 농도": "상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 50 원자 %를 초과하는 고농도까지 등급화됨", "붕소 농도": "상기 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 호환되는 베이스 레벨 농도로부터 2e20 cm-3을 초과하는 고농도까지 등급화됨"}
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄 부분과 게르마늄 캡 사이에 100 옹스트롬 미만의 매우 얇은 버퍼층을 형성하고, 해당 버퍼의 게르마늄 및 붕소 농도를 특정 범위로 등급화하여 트랜지스터의 특성을 제어하는 기술에 관한 것이다.