가공 특허 1020137017437

출원번호: 1020137017437
분류: 전기(H섹션)

문맥 (context)

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 복수의 액츄에이터들이 상기 rf 외장 측벽 주위로 120 도 간격들로 이격된 3개의 액츄에이터들을 구성하고, 그에 따라 상기 액츄에이터들은 임의의 방위 각도(θ)로 배향된 틸팅 축선을 중심으로 상기 플로팅 지지 플레이트를 틸팅할 수 있는, 공작물프로세싱하기 위한플라즈마 반응기. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 복수의 액츄에이터들 중의 각각의 하나의 액츄에이터를 제어하고 그리고 상기 틸팅 축선의 상기 방위 각도(θ) 및 상기 틸팅 축선을 중심으로 하는 틸팅 각도(α)의 희망 값들로부터 상기 복수의 액츄에이터의 축선 방향 운동을 계산하도록 프로그래밍된 제어부 장치를 더 포함하는,공작물프로세싱하기 위한플라즈마 반응기. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기rf 외장 측벽은 지지 표면을 포함하고,(b) 상기 복수의 액츄에이터들의 각각이 상기 지지 표면 상에 장착되고, 그리고 상기 모터로 구동되어 축방향으로 이동가능한 아암에 커플링된 모터 모듈, 및 상기 모터로 구동되어 축방향으로 이동가능한 아암을 상기 모터 모듈과 나란히(side-by-side) 지지하고 상기 모터 모듈에 커플링된 레일 모듈을 포함하는,공작물프로세싱하기 위한플라즈마 반응기. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 플로팅 지지 플레이트와 상기 지지 표면 사이에 커플링된 가요성 전도성 rf 가스켓 링을 더 포함하는,공작물프로세싱하기 위한플라즈마 반응기. [청구항 6] 제 3 항에 있어서,테스트 공작물 상에서 에칭 속도 분포를 측정하기 위한 계측 장치를 더 포함하고, 상기 제어부 장치는 상기 에칭 속도 분포로부터 주요 경사 축선을 추정하도록 그리고 상기 틸팅 축선을 상기 주요 경사 축선으로서 규정하도록 추가로 프로그램되는,공작물프로세싱하기 위한플라즈마 반응기. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 복수의 rf 플라즈마 파워 인가장치들 중의 대응하는 하나의 인가장치에 각각 커플링되는 복수의 rf 파워 공급원들을 더 포함하고, 상기 제어부 장치는 상기 복수의 rf 파워 공급원들의 파워 출력 레벨들을 제어하고, 상기 제어부 장치는 상기 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포의 균일성을 개선하기 위해서 상기 파워 출력 레벨들을 조정하도록 프로그램되는,공작물프로세싱하기 위한플라즈마 반응기. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 복수의 rf 공급원 파워 인가장치들은 복수의 동심적인 나선형 전도체 권선들을 포함하는,공작물프로세싱하기 위한플라즈마 반응기. [청구항 9] 제 7 항에 있어서,상기rf 외장 측벽은 지지 표면을 포함하고, 그리고(b) 상기 플로팅 지지 플레이트는 상기 지지 플레이트의 회전의 제한된 범위를 제공하는 갭에 의해서 상기 지지 표면의 위쪽으로 이격되는, 공작물프로세싱하기 위한플라즈마 반응기. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 지지 플레이트는 상기 rf 외장 측벽으로부터 방사상 내측으로 그리고 상기 플로팅 지지 플레이트의 둘레 부분에 인접하게 연장하고, 상기 복수의 액츄에이터들은 상기 지지 표면 상에 지지되는, 공작물프로세싱하기 위한플라즈마 반응기. [청구항 11] 제 7 항에 있어서,상기 전도성rf 외장 내에 그리고 상기 플로팅 지지 플레이트 위에 rf 임피던스 매치 장치를 더 포함하고, 상기 복수의 rf 파워 공급원들은 상기 rf 임피던스 매치 장치의 각각의 성분들을 통해서 상기 복수의 rf 파워 인가장치들에 연결되는,공작물프로세싱하기 위한플라즈마 반응기. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 액츄에이터 모터들은 방위 각도(θ)로 배향된 틸팅 축선을 중심으로 상기 플로팅 지지 플레이트를 틸팅할 수 있고,상기 플라즈마 반응기는, 상기 액츄에이터 모터들을 제어하고 그리고 상기 틸팅 축선의 상기 방위 각도(θ) 및 상기 틸팅 축선을 중심으로 하는 틸팅 각도(α)의 희망 값들로부터 상기 요잉 및 롤 회전 스테이지들의 운동들을 계산하도록 프로그래밍된 제어부 장치를 더 포함하는,공작물프로세싱하기 위한플라즈마 반응기. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기rf 외장 측벽은 상기 요잉 회전 스테이지에 커플링되는 지지 표면을 포함하고,상기 플라즈마 반응기는, 상기 플로팅 지지 플레이트와 상기 지지 표면 사이에 커플링된 가요성 전도성 rf 가스켓 링을 더 포함하는,공작물프로세싱하기 위한플라즈마 반응기. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 플로팅 지지 플레이트는 상기 지지 플레이트의 회전의 제한된 범위를 제공하는 갭에 의해서 상기 지지 표면의 위쪽으로 이격되는, 공작물프로세싱하기 위한플라즈마 반응기.

지시문 (instruction)

주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.

질문 (question)

플라즈마 반응기 내에서 플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포 균일성을 개선하기 위해 제어부 장치가 수행하는 동작은 무엇인가?

추론 과정 (compact_reasoning)

1과제 해석task_interpretation

플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포 균일성을 개선하기 위해 제어부 장치가 수행하는 구체적인 동작을 찾는 것이다.
2정보 추출information_extraction

청구항 7에서 제어부 장치가 플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포 균일성을 개선하기 위해 수행하는 동작에 관한 내용을 추출한다.
- 상기 제어부 장치는 상기 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포의 균일성을 개선하기 위해서 상기 파워 출력 레벨들을 조정하도록 프로그램되는
3근거 선택evidence_selection

제어부 장치가 파워 출력 레벨들을 조정한다는 직접적인 근거 구절을 선택한다.
- 상기 제어부 장치는 상기 복수의 rf 파워 공급원들의 파워 출력 레벨들을 제어하고, 상기 제어부 장치는 상기 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포의 균일성을 개선하기 위해서 상기 파워 출력 레벨들을 조정하도록 프로그램되는
4논리 통합logical_integration

제어부 장치는 복수의 rf 파워 공급원의 파워 출력 레벨을 제어할 수 있으며, 균일성 개선이라는 목적을 달성하기 위해 이 파워 출력 레벨들을 조정하는 동작을 수행한다.
5결론 도출conclusion_formulation

제어부 장치는 복수의 rf 파워 공급원들의 파워 출력 레벨들을 조정함으로써 플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포 균일성을 개선한다.
6답변 생성answer_generation

질문에 대한 답변으로 제어부 장치가 수행하는 동작인 '파워 출력 레벨 조정'을 기술한다.

최종 답변 (final_answer)

제어부 장치는 복수의 rf 파워 공급원들의 파워 출력 레벨들을 제어하며, 플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포 균일성을 개선하기 위해 상기 파워 출력 레벨들을 조정한다.

핵심 해석 (core_interpretation)

본 발명은 제어부 장치가 복수의 rf 파워 공급원의 출력 레벨을 능동적으로 조정함으로써 플라즈마 이온 밀도의 방사상 분포 균일성을 제어할 수 있는 기술적 수단을 제공한다.