문맥 (context)
[청구항 37]
반도체 디바이스 기판 상의 프로세스 유도 (process-induced) 손상을 리페어하는 장치로서,
(i) uv 방사 소스를 갖는 프로세스 챔버로서, 상기 uv 방사 소스는,
(a) uv 방사 전력의 50% 초과가 300 nm 보다 큰 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 스펙트럼 프로파일을 갖는 uv 방사선에의 노출; 및
(b) uv 방사선 및 케미컬 실릴화제에의 노출
중 적어도 하나를 제공하도록 구성된, 상기 프로세스 챔버; 및
(ii) 스텝퍼를 포함하는, 기판 상의 프로세스 유도 손상 리페어 장치
[청구항 38]
반도체 디바이스 기판 상의 프로세스 유도 (process-induced) 손상을 리페어하는 장치로서,
(i) uv 방사 소스를 갖는 프로세싱 챔버로서, 상기 uv 방사 소스는,
(a) uv 방사 전력의 50% 초과가 300 nm 보다 큰 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 스펙트럼 프로파일을 갖는 uv 방사선에의 노출; 및
(b) uv 방사선 및 케미컬 실릴화제에의 노출
중 적어도 하나를 제공하도록 구성된, 상기 프로세싱 챔버; 및
(ii) 제 1 유전율을 갖는 탄소 함유 로우-k 유전체를 포함하는 반도체 디바이스 기판을, 상기 프로세싱 챔버에서 수용하는 것, 및 (a) 및 (b) 중 적어도 하나를 수행하는 것을 포함하는 프로세스를 행하기 위한 프로그램 명령들을 포함하는 제어기를 포함하는, 기판 상의 프로세스 유도 손상 리페어 장치
[청구항 39]
반도체 디바이스 기판 상의 프로세스 유도 (process-induced) 손상를 리페어하기 위한 장치의 제어를 위한 프로그램 명령들을 포함하는 비일시적 컴퓨터 머신 판독가능 매체로서,
상기 프로그램 명령들은,
제 1 유전율을 갖는 탄소 함유 로우-k 유전체를 포함하는 반도체 디바이스 기판을, 프로세싱 챔버에서 수용하기 위한 코드
상기 탄소 함유 로우-k 유전체를 uv 처리에 노출시키기 위한 코드로서, 상기 uv 처리는
(a) uv 방사 전력의 50% 초과가 300 nm 보다 큰 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 스펙트럼 프로파일을 갖는 uv 방사선에의 노출; 및
(b) uv 방사선 및 케미컬 실릴화제에의 노출
중 적어도 하나를 포함하여, 상기 탄소 함유 로우-k 유전체의 유전율이 제 2 유전율로 감소되도록 하는, 상기 uv 처리에 노출시키기 위한 코드를 포함하는, 비일시적 컴퓨터 머신 판독가능 매체
지시문 (instruction)
본문의 내용을 파악하고 이를 바탕으로 질문에 답하라.
질문 (question)
프로세스 유도 손상을 리페어하는 장치에서, UV 방사 소스가 갖는 스펙트럼 프로파일의 특징은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation프로세스 유도 손상을 리페어하는 장치 내 UV 방사 소스가 갖는 스펙트럼 프로파일의 구체적인 특징을 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 37, 38, 39에서 UV 방사 소스의 스펙트럼 프로파일에 관한 기술적 설명을 확인한다.
- uv 방사 전력의 50% 초과가 300 nm 보다 큰 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 스펙트럼 프로파일
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 스펙트럼 프로파일의 특징을 직접적으로 명시한 구절을 선택한다.
- uv 방사 전력의 50% 초과가 300 nm 보다 큰 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 스펙트럼 프로파일
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보가 장치의 구성 요소인 UV 방사 소스의 스펙트럼 특성을 정확히 설명하고 있음을 확인한다.
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5결론 도출
conclusion_formulationUV 방사 전력의 50% 초과분이 300 nm보다 큰 파장 대역에 분포한다는 점을 결론으로 도출한다.
- uv 방사 전력의 50% 초과가 300 nm 보다 큰 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 스펙트럼 프로파일
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6답변 생성
answer_generation문맥에 근거하여 질문에 대한 직접적인 답변을 작성한다.
- uv 방사 전력의 50% 초과가 300 nm 보다 큰 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 스펙트럼 프로파일
최종 답변 (final_answer)
uv 방사 전력의 50% 초과가 300 nm 보다 큰 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 스펙트럼 프로파일
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 프로세스 유도 손상 리페어를 위해 UV 방사 전력의 과반수(50% 초과)가 300 nm 이상의 장파장 영역에 집중된 특정 스펙트럼 프로파일을 갖는 UV 방사 소스를 활용하는 기술에 관한 것이다.