문맥 (context)
[청구항 15]
회로로서,
직렬로 동작 가능하게 연결되고, 전류 공급원로부터의 전류를 상기 회로의 출력에 소싱하도록 구성된 2개의 p-형 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터들(pmosfets)
직렬로 동작 가능하게 연결되고, 상기 회로의 상기 출력으로부터의 전류를 전류 싱크에 싱킹하도록 구성된 2개의 n-형 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터들(nmosfets); 및
상기 회로의 상기 출력의 전압을 바이어싱하기에 유효하도록 상기 회로의 상기 출력과 상기 pmosfet들 중 하나의 게이트 사이에 동작 가능하게 연결된 비-엑티브 바이어싱 회로(non-active biasing circuitry)를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로
[청구항 16]
제 15 항에 있어서,상기 회로의 출력과 상기pmosfet들의 상기 게이트 사이에 연결된 비-엑티브 보상 회로를 더 포함하며, 상기 비-엑티브 보상 회로는 상기 회로의 상기 출력을 안정화시키도록구성되는것을특징으로 하는회로.
[청구항 17]
제 15 항에 있어서,상기 비-엑티브 회로는상기하나이상의저항들또는커패시터포함하는것을특징으로 하는회로.
[청구항 18]
제 15 항에 있어서,상기 회로는 공통 모드 또는 차동 푸시-풀증폭기실시되는것을특징으로 하는회로.
[청구항 19]
제 15 항에 있어서,상기 회로는 무선 주파수(rf) 저잡음 증폭기 또는 rf전력 증폭기실시되는것을특징으로 하는회로.
[청구항 20]
제 15 항에 있어서,상기 회로는 시스템-온-칩내실시되는것을특징으로 하는회로.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 15항의 회로에서 출력 전압을 바이어싱하기 위해 출력과 pmosfet들 중 하나의 게이트 사이에 연결되는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 15항에서 출력 전압 바이어싱을 위해 출력과 pmosfet의 게이트 사이에 연결된 구성 요소를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 15항의 구성 요소 중 출력과 pmosfet의 게이트 사이에 연결된 요소를 추출한다.
- 상기 회로의 상기 출력과 상기 pmosfet들 중 하나의 게이트 사이에 동작 가능하게 연결된 비-엑티브 바이어싱 회로(non-active biasing circuitry)
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 연결 관계와 목적(출력 전압 바이어싱)에 부합하는 구절을 선택한다.
- 상기 회로의 상기 출력의 전압을 바이어싱하기에 유효하도록 상기 회로의 상기 출력과 상기 pmosfet들 중 하나의 게이트 사이에 동작 가능하게 연결된 비-엑티브 바이어싱 회로(non-active biasing circuitry)
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4논리 통합
logical_integration출력 전압을 바이어싱하는 목적을 가진 구성 요소가 출력과 pmosfet 게이트 사이에 연결되어 있음을 확인한다.
- 상기 회로의 상기 출력의 전압을 바이어싱하기에 유효하도록 상기 회로의 상기 출력과 상기 pmosfet들 중 하나의 게이트 사이에 동작 가능하게 연결된 비-엑티브 바이어싱 회로(non-active biasing circuitry)
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5결론 도출
conclusion_formulation해당 구성 요소의 명칭은 '비-엑티브 바이어싱 회로(non-active biasing circuitry)'이다.
- 비-엑티브 바이어싱 회로(non-active biasing circuitry)
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6답변 생성
answer_generation추출된 명칭을 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 비-엑티브 바이어싱 회로(non-active biasing circuitry)
최종 답변 (final_answer)
비-엑티브 바이어싱 회로(non-active biasing circuitry)
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 출력 전압을 바이어싱하기 위해 출력단과 pmosfet의 게이트 사이에 비-엑티브 바이어싱 회로를 연결하여 회로를 구성하는 기술에 관한 것이다.