인시츄 수산화 시스템 document_id 1020137023334

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 아민은 암모니아, 피리딘, 하이드라진, 알킬 아민들 및 아릴 아민들로부터 선택되는, 기판 표면을 수산화하기 위한시스템. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 수산화물은 수증기를 포함하는, 기판 표면을 수산화하기 위한시스템. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 챔버 본체, 웨이퍼 지지체 및 하나 또는 둘 이상의 인젝터들은 스테인리스 스틸, 석영 및 폴리테트라플루오로에틸렌 중 하나 또는 둘 이상으로부터 선택된 수산화암모늄에 의한 열화에 대해 저항하는 물질들을 포함하는, 기판 표면을 수산화하기 위한시스템. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,격리 밸브, 스로틀 밸브 및 펌프를 포함하는 배기 시스템을 더 포함하는, 기판 표면을 수산화하기 위한시스템. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 챔버 프로세스 영역으로 퍼지 가스를 전달하는 퍼지 가스 공급원에 연결된 퍼지 가스 인젝터를 포함하는 퍼지 가스 시스템을 더 포함하는, 기판 표면을 수산화하기 위한시스템. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,온도 제어기를 더 포함하며, 상기 온도 제어기는, 아민 및 수산화물이 챔버 덮개 및 챔버 벽체 인근에서 반응하지 않고 아민 및 수산화물이 웨이퍼 지지체 상의 기판 인근에서 반응하도록, 챔버 덮개 및 챔버 벽체 인근의 온도를 유지하는 가열 시스템과 소통하는, 기판 표면을 수산화하기 위한시스템. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 가열 시스템은, 챔버 덮개 및 챔버 벽체 인근의 온도를 상승시키는, 챔버 덮개 및 챔버 벽체 인근의 가열 요소, 및 챔버 플레이트 인근의 온도를 상승 및 하강시키는 열 요소를 포함하는, 기판 표면을 수산화하기 위한시스템. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 시스템은 웨어퍼 지지체 상으로 기판을 하강시키고 웨이퍼 지지체로부터 기판을 상승시키는, 프로세스 챔버 내부에 배치된 리프팅 메커니즘을 더 포함하는, 기판 표면을 수산화하기 위한시스템. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 아민은 암모니아, 피리딘, 하이드라진, 알킬 아민들 및 아릴 아민들로부터 선택되는, 기판 표면을 수산화하기 위한시스템. [청구항 12] 제 10 항에 있어서,상기 수산화물은 수증기를 포함하는, 기판 표면을 수산화하기 위한시스템. [청구항 13] 제 10 항에 있어서,상기 시스템은 이송 챔버, 및 로드 락 조건들 하에서 이송 챔버와 소통하는 증착 챔버를 더 포함하는, 기판 표면을 수산화하기 위한시스템. [청구항 14] 제 13 항에 있어서,상기 제어 시스템은, cpu에 의해 실행되었을 때, 상기 시스템이 방법을 실시하게 하는 머신-실행가능한 명령들의 세트가 저장된 비일시적 컴퓨터-판독가능한 매체를 더 포함하며,상기 방법은,기판의 표면을 수산화물 및 아민에 동시에 노출시켜서, 수산화된 기판을 제공하는 단계; 수산화 챔버로부터 이송 챔버로 수산화된 기판을 이동시키는 단계; 이송 챔버로부터 증착 챔버로 수산화된 기판을 이동시키는 단계; 및 수산화된 기판 상에 막을 증착하는 단계를 포함하는, 기판 표면을 수산화하기 위한시스템.