건조 동작들 동안 기판 패턴 붕괴를 감소시키기 위한 장치 및 방법 document_id 1020137027577

[청구항 1] 기판의 표면을 건조시키기 위한 근접 건조 헤드로서, 존재할 경우 기판의 표면 반대에 배치되는 프로세스 표면을 포함하는 헤드 몸체 (body) 로서, 상기 프로세스 표면은 제 1 영역, 제 2 영역 및 제 3 영역을 포함하는, 상기 헤드 몸체를 포함하며, 상기 헤드 몸체의 선두 에지 (leading edge) 에 정의된 제 1 영역은 캐비티 (cavity) 영역을 포함하며, 상기 캐비티 영역은 상기 헤드 몸체로 리세스 (recess) 되고 복수의 입구 포트들을 포함하고, 상기 입구 포트들은 증기 유체를 상기 캐비티 영역으로 도입하기 위해 정의되며, 상기 제 2 영역은 존재할 경우 상기 기판의 표면에 근접하게 배치되고, 상기 제 1 영역 옆에 위치되고, 상기 제 3 영역은 존재할 경우 상기 기판의 표면에 근접하게 배치되고 상기 제 2 영역 옆에 위치되며, 복수의 진공 포트들은 상기 제 2 영역과 상기 제 3 영역의 계면에 정의되고, 상기 제 3 영역은 상기 제 2 영역을 향해 지향되는 복수의 각이진 입구 포트들을 포함하는, 기판의 표면을 건조시키기 위한 근접 건조 헤드 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,하나 이상의 도관들을 통해 상기 근접 건조 헤드에 접속된 기화기를 더 포함하는, 기판의 표면건조시키기 위한근접 건조 헤드. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,기화기에 접속된 가열 엘리먼트를 더 포함하는, 기판의 표면건조시키기 위한근접 건조 헤드. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 근접 건조 헤드의 상기 프로세스 표면 반대에 배치되고, 존재할 경우 상기 기판의 이면측 (underside) 을 향해 지향되는 열 블록을 더 포함하는, 기판의 표면건조시키기 위한근접 건조 헤드. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 근접 건조 헤드는 챔버에 접속되고,상기 챔버는 경로를 따라 상기 근접 건조 헤드 이전에 배치된 린스 헤드를 더 포함하며,상기 경로는 상기 린스 헤드 및 상기 근접 건조 헤드 아래에 상기 기판을 홀딩하는 캐리어를 이동시키기 위한 레일들을 포함하는, 기판의 표면건조시키기 위한근접 건조 헤드. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,케미스트리(chemistry) 헤드, 린스 헤드 및 상기 근접 건조 헤드를 포함하는 시스템 챔버를 더 포함하며,상기 시스템 챔버는 설비들 및 제어부들에 커플링되는, 기판의 표면건조시키기 위한근접 건조 헤드. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 캐비티 영역은, 상기 선두 에지 근처에서 시작하고 상기 복수의 입구 포트들을 향해 상기 헤드 몸체로 테이퍼링 (taper) 하는 각이진 표면을 갖는, 기판의 표면건조시키기 위한근접 건조 헤드. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 근접 헤드의 제 1 영역에 배치된 상기 ipa 적용기에 접속되는 기화기를 더 포함하며,상기 기화기는 상기 근접 헤드를 통해 상기 웨이퍼의 표면으로 상기 가열된 이소프로필 알콜을 증기 형태로 공급하도록 구성되고,상기 기화기는 상기 기화기에 포함된 ipa를 가열시키기 위해 가열 엘리먼트에 접속되는, 웨이퍼의 표면건조시키기 위한장치. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,존재할 경우 상기 웨이퍼의 이면측을 향해 지향되고 상기 프로세스 표면 반대에 배치된 열 블록을 더 포함하며,상기 열 블록은 상기 웨이퍼의 표면에 적용된 상기 ipa 및 상기 질소를 가열시키도록 구성되는, 웨이퍼의 표면건조시키기 위한장치. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 열 블록은 저항성 열 소스, 적외선 램프 또는 열 코일 중 하나를 통해 가열되는, 웨이퍼의 표면건조시키기 위한장치. [청구항 16] 제 12 항에 있어서,마일드한(mild) 증발 영역에 배치된 출구 포트들의 세트는, 상기 웨이퍼의 표면으로부터 혼합물 및 상기 이소프로필 알콜을 실질적으로 제거하기 위해, 상기 제 1 영역에 배치된 입구 포트들의 제 1 세트와 상기 제 3 영역에 배치된 입구 포트들의 제 2 세트 사이에 위치되는, 웨이퍼의 표면건조시키기 위한장치. [청구항 17] 제 12 항에 있어서,상기 입구 포트들의 제 2 세트는 마일드한 증발 영역을 향해 상기 질소를 적용시키기 위하여 수직과 평행 사이에서 각져있고,상기 입구 포트들의 각이진 제 2 세트를 통해 적용된 질소는, 상기 웨이퍼의 표면 상의 마일드한 증발 영역을 향해 및 상기 급속 증발 영역으로부터 떨어져 상기 ipa 및 상기 질소를 실질적으로 밀어내는데에 도움을 주어서, 상기 마일드한 증발 영역과 상기 급속 증발 영역 사이에 배치된 복수의 출구 포트들을 통해 실질적으로 제거되는, 웨이퍼의 표면건조시키기 위한장치. [청구항 18] 제 12 항에 있어서,상기 웨이퍼의 표면을 건조 동작으로 처리하기 전에, 더 이전의 제조 동작들에 의해 남겨진 케미컬들을 실질적으로 제거하고, 상기 웨이퍼의 표면에 탈이온수를 적용하기 위해 상기 웨이퍼의 표면을 린스하기 위한 린스 액체를 적용하도록 구성되는 린스 헤드를 더 포함하는, 웨이퍼의 표면건조시키기 위한장치. [청구항 19] 제 12 항에 있어서,상기 근접 헤드 내에 배치된 저장소 (reservoir) 를 더 포함하며,상기 저장소는 상기 질소 적용기에 접속되며, 질소를 저장하고 건조 동작 동안 상기 웨이퍼의 표면에 질소를 공급하도록 구성되고,상기 저장소는 상기 질소를 가열시키기 위해 열 엘리먼트에 접속되는, 웨이퍼의 표면건조시키기 위한장치. [청구항 20] 제 12 항에 있어서,상기 활성 응축 영역에 적용된 상기 증기 메니스커스는, 건조될 때까지 연속적인 막이 존재하도록 상기 급속 증발 영역과 유체 접촉하는, 웨이퍼의 표면건조시키기 위한장치.