문맥 (context)
[청구항 14]
상부면과 하부면을 포함하되, 상기 하부면이 재료의 기저층에 부착되어 있는 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 레이저 가공 시스템으로서, 상기 시스템은,
제1레이저 빔을 발생시키고, 또한, 상기 반도체 웨이퍼의 상부면에 관하여 상기 제1레이저 빔의 상대 이동을 제공하여 하나 이상의 다이싱 스트리트를 따라 상기 상부면으로부터 상기 반도체 웨이퍼를 적어도 부분적으로 다이싱하기 위한 제1레이저 가공 헤드로서, 상기 제1레이저 빔이 상기 반도체 웨이퍼의 측벽들에 의해 규정된 커프를 형성하는 것인, 제1레이저 가공 헤드
상기 제1레이저 빔에 의해 상기 측벽들에 생성된 열 영향 부위(haz)를 저감 혹은 제거시키기 위하여 상기 적어도 부분적으로 다이싱된 반도체 웨이퍼의 상기 측벽들을 에칭하기 위한 제1에칭 스테이션; 및
적어도 미리 결정된 다이 파단 강도를 지니는 반도체 웨이퍼로부터 다이를 분리하고 적어도 미리 결정된 최소 수율과 동등한 작동 다이의 수율을 생성하기 위하여 상기 하나 이상의 다이싱 스트리트를 따라서 상기 재료의 기저층을 관통하여 절삭하기 위한 다이싱 스테이션을 포함하되,
상기 제1에칭 스테이션은, 상기 측벽들을 에칭하는 동안 상기 재료의 기저층으로부터 측벽들 상의 파편을 저감 혹은 방지하기 위하여 상기 다이싱 스테이션이 상기 재료의 기저층을 관통하여 절삭하기 전에 상기 측벽 에칭을 수행하는 것인 레이저 가공 시스템
[청구항 15]
제14항에 있어서,상기 제1레이저 가공 헤드는 나노초 시간 펄스폭 및 피코초 시간 펄스폭을 포함하는 군으로부터 선택된 시간 펄스폭을 지니는 자외선(uv) 레이저 펄스를 발생시키는 제1레이저 공급원포함하는 것인레이저 가공 시스템.
[청구항 16]
제14항에 있어서,상기 제1에칭 스테이션은 상기 반도체 웨이퍼의 측벽들로부터 반도체 재료를 제거하기 위하여 자발적 에칭제이용하는레이저 가공 시스템.
[청구항 17]
제16항에 있어서,상기 자발적 에칭제는 이불화제논포함하는 것인레이저 가공 시스템.
[청구항 18]
제14항에 있어서,상기 재료의 기저층은 다이 접착 필름(daf)을 포함하고, 상기 다이싱 스테이션은, 상기 daf를 절삭하기 위하여 나노초 시간 펄스폭을 지니는 가시 레이저 펄스를 포함하는 제2레이저 빔을 발생시키는 제2레이저 공급원을 포함하는 제2레이저 가공 헤드포함하는 것인레이저 가공 시스템.
[청구항 19]
제14항에 있어서,상기 재료의 기저층은 금속 배킹(metal backing)을 포함하고, 상기 다이싱 스테이션은 상기 금속 배킹을 절삭하기 위하여 제2레이저빔을 발생시키기 위한 제2레이저 공급원을 포함하는 제2레이저 가공 헤드포함하는 것인레이저 가공 시스템.
[청구항 20]
제14항에 있어서,상기 재료의 기저층은 다이 접착 필름(daf)을 포함하고, 상기 다이싱 스테이션은 상기 daf를 관통하여 절삭하기 위한 제2에칭 스테이션포함하는 것인레이저 가공 시스템.
[청구항 21]
제14항에 있어서,상기 재료의 기저층은 금속 배킹을 포함하고, 상기 다이싱 스테이션은 상기 금속 배킹을 관통하여 절삭하기 위한 제2에칭 스테이션포함하는 것인레이저 가공 시스템.
[청구항 22]
제14항에 있어서,상기 제1레이저 가공 헤드 앞에, 상기 반도체 웨이퍼에 보호 코팅을 도포하기 위한 코팅 스테이션; 및상기 제1레이저 가공 헤드 뒤이면서 상기 제1에칭 스테이션 앞에, 상기 반도체 웨이퍼로부터의 파편과 함께 상기 보호 코팅을 제거하기 위한 세척 스테이션더 포함하는레이저 가공 시스템.
지시문 (instruction)
본문의 내용을 파악하고 이를 바탕으로 질문에 답하라.
질문 (question)
레이저 가공 시스템에서 제1에칭 스테이션이 다이싱 스테이션의 기저층 관통 절삭 작업보다 먼저 수행되는 목적은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation레이저 가공 시스템에서 제1에칭 스테이션이 다이싱 스테이션보다 먼저 수행되는 목적을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 14에서 제1에칭 스테이션의 수행 시점과 그에 따른 효과를 설명하는 문구를 추출한다.
- 상기 제1에칭 스테이션은, 상기 측벽들을 에칭하는 동안 상기 재료의 기저층으로부터 측벽들 상의 파편을 저감 혹은 방지하기 위하여 상기 다이싱 스테이션이 상기 재료의 기저층을 관통하여 절삭하기 전에 상기 측벽 에칭을 수행하는 것인
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3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 목적(파편 저감/방지)이 명시된 구절을 선택한다.
- 상기 재료의 기저층으로부터 측벽들 상의 파편을 저감 혹은 방지하기 위하여
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4논리 통합
logical_integration제1에칭 스테이션이 다이싱 스테이션의 기저층 관통 절삭 작업 이전에 수행됨으로써, 에칭 과정 중 발생하는 측벽 상의 파편이 기저층으로부터 발생하는 것을 막는다는 논리를 구성한다.
- 상기 다이싱 스테이션이 상기 재료의 기저층을 관통하여 절삭하기 전에 상기 측벽 에칭을 수행
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5결론 도출
conclusion_formulation추출된 목적을 바탕으로 질문에 대한 답변을 정리한다.
- 상기 재료의 기저층으로부터 측벽들 상의 파편을 저감 혹은 방지하기 위하여
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 extractive 형식에 맞춰 작성한다.
- 상기 재료의 기저층으로부터 측벽들 상의 파편을 저감 혹은 방지하기 위하여
최종 답변 (final_answer)
상기 재료의 기저층으로부터 측벽들 상의 파편을 저감 혹은 방지하기 위하여
핵심 해석 (core_interpretation)
다이싱 전 측벽 에칭을 선행함으로써, 기저층 절삭 시 발생할 수 있는 측벽 상의 파편을 사전에 저감하거나 방지하여 공정 품질을 높이는 기술이다.