전자, 광학, 및/또는 기계 장치 및 시스템, 그리고 이를 제조하기 위한 방법 document_id 1020137034542

[청구항 56] 가요성 전자 구조물이며, 제1 표면 및 제2 표면을 갖는 기부 중합체 층 - 제1 표면은 복수의 앵커를 포함함 -; 및 기부 중합체의 제2 표면의 일 부분 위에 배치된 적어도 하나의 전자 장치 층 을 포함하는 가요성 전자 구조물 [청구항 59] 제56항에 있어서,복수의 앵커들 중 적어도 일부는 실질적인 원형 단면, 실질적인 육각형 단면, 실질적인 타원형 단면, 실질적인 직사각형 단면, 다각형 단면, 또는 비다각형 단면갖는가요성 전자 구조물. [청구항 60] 제56항에 있어서,복수의 앵커들은 2차원 어레이형성되는가요성 전자 구조물. [청구항 63] 제56항에 있어서,복수의 관통부들은 약 50㎛ 내지 약 1,000㎛ 범위의 평균 분리를 갖는 피치갖는가요성 전자 구조물. [청구항 64] 제56항에 있어서,복수의 관통부들은 약 0.2 내지 약 10,000㎛ 범위의 평균 분리를 갖는 피치갖는가요성 전자 구조물. [청구항 65] 제56항에 있어서,복수의 관통부들은 약 200 내지 약 800㎛ 범위의 평균 분리를 갖는 피치갖는가요성 전자 구조물. [청구항 66] 제56항에 있어서,제2 중합체 층은 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리벤조비스옥사졸, 벤조사이클로부텐, 실록산, 또는 액정 중합체포함하는가요성 전자 구조물. [청구항 67] 제56항에 있어서,적어도 하나의 전자 장치 층은 트랜지스터, 발광 다이오드, 트랜스듀서, 센서, 배터리, 집적 회로, 반도체, 다이오드, 전자 구성요소의 어레이, 광학 시스템, 온도 센서, 압력 센서, 전기 전도율 센서, 화학 센서, 저항, 커패시터, 수동 장치, 광다이오드, 광검출기, 발신기, 수신기, 또는 송수신기포함하는가요성 전자 구조물. [청구항 68] 가요성 전자 구조물이며, 제1 표면 및 제2 표면을 갖는 기부 중합체 층 - 제1 표면은 복수의 앵커를 포함함 - 기부 중합체의 제2 표면의 일 부분 위에 배치된 적어도 하나의 전자 장치 층; 및 적어도 하나의 전자 장치 층의 적어도 일 부분 위에 배치된 상부 중합체 층 을 포함하는 가요성 전자 구조물 [청구항 69] 제68항에 있어서,상부 중합체 층의 두께는 적어도 하나의 전자 장치 층이 전자 구조물의 중립 역학 평면구성되는가요성 전자 구조물. [청구항 70] 가요성 전자 구조물이며, 제1 표면 및 제2 표면을 갖는 기부 중합체 층 - 제1 표면은 복수의 앵커를 포함하고, 복수의 앵커들 중 적어도 하나는 기판과 접촉함 -; 및 기부 중합체의 제2 표면의 일 부분 위에 배치된 적어도 하나의 전자 장치 층 을 포함하는 가요성 전자 구조물 [청구항 73] 제70항에 있어서,복수의 앵커들 중 적어도 일부는 실질적인 원형 단면, 실질적인 육각형 단면, 실질적인 타원형 단면, 실질적인 직사각형 단면, 다각형 단면, 또는 비다각형 단면갖는가요성 전자 구조물. [청구항 74] 제70항에 있어서,복수의 앵커들은 2차원 어레이형성되는가요성 전자 구조물. [청구항 77] 제70항에 있어서,복수의 관통부들은 약 50㎛ 내지 약 1,000㎛ 범위의 평균 분리를 갖는 피치갖는가요성 전자 구조물. [청구항 78] 제70항에 있어서,복수의 관통부들은 약 0.2 내지 약 10,000㎛ 범위의 평균 분리를 갖는 피치갖는가요성 전자 구조물. [청구항 79] 제70항에 있어서,복수의 관통부들은 약 200 내지 약 800㎛ 범위의 평균 분리를 갖는 피치갖는가요성 전자 구조물. [청구항 80] 제70항에 있어서,제2 중합체 층은 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리벤조비스옥사졸, 벤조사이클로부텐, 실록산, 또는 액정 중합체포함하는가요성 전자 구조물. [청구항 81] 제80항에 있어서,적어도 하나의 전자 장치 층은 트랜지스터, led, 트랜스듀서, 센서, 배터리포함하는가요성 전자 구조물. [청구항 82] 가요성 전자 구조물이며, 제1 표면 및 제2 표면을 갖는 기부 중합체 층 - 제1 표면은 복수의 앵커를 포함하고, 복수의 앵커들 중 적어도 하나는 기판과 접촉함 - 기부 중합체의 제2 표면의 일 부분 위에 배치된 적어도 하나의 전자 장치 층; 및 적어도 하나의 전자 장치 층의 적어도 일 부분 위에 배치된 상부 중합체 층 을 포함하는 가요성 전자 구조물 [청구항 83] 제82항에 있어서,상부 중합체 층의 두께는 적어도 하나의 전자 장치 층이 전자 구조물의 중립 역학 평면구성되는가요성 전자 구조물. [청구항 84] 기판 상에 배치된 가요성 전자 구조물이며, 기판의 일 부분 상에 배치된 제1 층 제1 표면 및 제2 표면을 가지며, 제1 층 위에 배치된 제2 중합체 층 - 제1 표면은 복수의 앵커를 포함하고, 복수의 앵커는 제1 층의 선택된 부분을 통해 연장하여 기판의 적어도 일 부분과 접촉함 -; 및 제2 중합체 층의 제2 표면 위에 배치된 적어도 하나의 전자 장치 층 을 포함하는 가요성 전자 구조물 [청구항 87] 제84항에 있어서,복수의 앵커들 중 적어도 일부는 실질적인 원형 단면, 실질적인 육각형 단면, 실질적인 타원형 단면, 실질적인 직사각형 단면, 다각형 단면, 또는 비다각형 단면갖는가요성 전자 구조물. [청구항 88] 제84항에 있어서,복수의 앵커들은 2차원 어레이형성되는가요성 전자 구조물. [청구항 91] 제84항에 있어서,복수의 관통부들각각은 약 50㎛ 내지 약 1,000㎛ 범위의 평균 분리이격되는가요성 전자 구조물. [청구항 92] 제84항에 있어서,복수의 관통부들각각은 약 0.2 내지 약 10,000㎛ 범위의 평균 분리이격되는가요성 전자 구조물. [청구항 93] 제84항에 있어서,복수의 관통부들각각은 약 200 내지 약 800㎛ 범위의 평균 분리이격되는가요성 전자 구조물. [청구항 94] 제84항에 있어서,제1 층은 폴리메틸메타크릴레이트, 이산화규소, 크롬, 또는 티타늄포함하는가요성 전자 구조물. [청구항 95] 제84항에 있어서,제2 중합체 층은 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리벤조비스옥사졸, 벤조사이클로부텐, 실록산, 또는 액정 중합체포함하는가요성 전자 구조물. [청구항 96] 기판 상에 배치된 가요성 전자 구조물이며, 기판의 일 부분 상에 배치된 제1 층 제1 표면 및 제2 표면을 갖는 제2 중합체 층 - 제1 표면은 복수의 앵커를 포함하고, 복수의 앵커는 제1 층의 선택된 부분을 통해 연장하여 기판의 적어도 일 부분과 접촉함 - 제2 중합체 층의 제2 표면 위에 배치된 적어도 하나의 전자 장치 층; 및 적어도 하나의 전자 장치 층의 적어도 일 부분 위에 배치된 제3 중합체 층 을 포함하는 가요성 전자 구조물 [청구항 97] 기판 상에 배치된 가요성 전자 구조물이며, 기판의 일 부분 상에 배치된 제1 층 제1 표면 및 제2 표면을 갖는 제2 중합체 층 - 제1 표면은 복수의 앵커를 포함하고, 복수의 앵커는 제1 층의 선택된 부분을 통해 연장하여 기판의 적어도 일 부분과 접촉하고, 복수의 앵커들은 약 50㎛의 직경을 가지며, 약 200㎛ 내지 약 800㎛ 범위의 피치를 가짐 -; 및 제2 중합체 층의 제2 표면 위에 배치된 적어도 하나의 전자 장치 층 을 포함하는 가요성 전자 구조물 [청구항 98] 가요성 전자 구조물이며, 제1 표면 및 제2 표면을 갖는 기부 중합체 층 - 제1 표면은 복수의 앵커를 포함하고, 복수의 앵커들은 약 50㎛의 직경을 가지며, 약 200㎛ 내지 약 800㎛ 범위의 피치를 가짐 -; 및 기부 중합체 층의 제2 표면 위에 배치된 적어도 하나의 전자 장치 층 을 포함하는 가요성 전자 구조물