가공데이터 · 특허 지식베이스

결함 없는 산화물을 이용한 금속 및 금속 산화물 마이크로플라즈마 장치의 어레이 document_id 1020137035077

출원번호
1020137035077
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 2] 제1항에 있어서,실질적으로 금속 산화물층은 ~100 내지 500 ㎛ 범위의두께인 것인,마이크로플라즈마 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 전극들 중 적어도 하나의 전극은 상기 마이크로캐비티 또는 마이크로채널로부터 격리되도록 상기 두꺼운 금속 산화물층 내에 캡슐화되는 것인,마이크로플라즈마 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 마이크로캐비티 또는 마이크로채널은 자신의 상부에 완만한 만곡부포함하는 것인,마이크로플라즈마 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 마이크로캐비티 또는 마이크로채널은 날카로운 엣지포함하지 않는 것인,마이크로플라즈마 장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 마이크로캐비티 또는 마이크로채널은 만곡형 하부포함하는 것인,마이크로플라즈마 장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 마이크로캐비티 또는 마이크로채널은 평탄한 하부포함하는 것인,마이크로플라즈마 장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 마이크로캐비티 또는 마이크로채널은 플라즈마 매질(plasma medium)의 흐름이 통과하는 것을 허용하는 개구포함하는 것인,마이크로플라즈마 장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,금속 산화물층은 상기 전극들 중 상기 적어도 하나의 전극의 주 평면(primary plane)에 수직인 나노기공구성된 것인,마이크로플라즈마 장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 전극들 중 하나의 전극은, 상기 마이크로캐비티 또는 마이크로채널, 상기 두꺼운 금속 산화물층, 및 상기 전극들 중 상기 적어도 하나의 전극을 포함하는 층(20b)에 연결된 제2 층(20a)에 수반(carry)되거나 포함되는 것인,마이크로플라즈마 장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 전극들 중 하나의 전극은 상기 두꺼운 금속 산화물층 내에 캡슐화되고, 상기 전극들 중 또 다른 전극은 상기 두꺼운 금속 산화물층의 표면 상형성되는 것인,마이크로플라즈마 장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 전극들 중 하나의 전극은 상기 두꺼운 금속 산화물층 내에 캡슐화되고, 상기 전극들 중 또 다른 전극은 제2 금속 산화물층에 캡슐화되는 것인,마이크로플라즈마 장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 제2 금속 산화물층은, 본질적으로 결함없는 산화물로 구성된 두꺼운 금속 산화물 내에 적어도 부분적으로 형성되는 제2 마이크로캐비티 또는 마이크로채널포함하는 것인,마이크로플라즈마 장치.
지시문 (instruction)
본문의 내용을 파악하고 이를 바탕으로 질문에 답하라.
질문 (question)
마이크로플라즈마 장치에서 전극 중 하나가 두꺼운 금속 산화물층 내에 캡슐화되고, 다른 하나의 전극이 제2 금속 산화물층에 캡슐화되는 경우, 해당 제2 금속 산화물층은 어떠한 구조를 포함하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    질문은 전극 하나가 두꺼운 금속 산화물층에, 다른 하나가 제2 금속 산화물층에 캡슐화된 경우 제2 금속 산화물층의 구조를 묻는다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 12항은 전극 하나가 두꺼운 금속 산화물층 내에 캡슐화되고, 다른 전극이 제2 금속 산화물층에 캡슐화되는 구성을 정의한다.

    • 상기 전극들 중 하나의 전극은 상기 두꺼운 금속 산화물층 내에 캡슐화되고, 상기 전극들 중 또 다른 전극은 제2 금속 산화물층에 캡슐화되는 것
    • 상기 제2 금속 산화물층은, 본질적으로 결함없는 산화물로 구성된 두꺼운 금속 산화물 내에 적어도 부분적으로 형성되는 제2 마이크로캐비티 또는 마이크로채널포함하는 것
  3. 3근거 선택evidence_selection

    청구항 13항은 청구항 12항을 인용하며 제2 금속 산화물층의 구체적인 구조를 명시한다.

    • 상기 제2 금속 산화물층은, 본질적으로 결함없는 산화물로 구성된 두꺼운 금속 산화물 내에 적어도 부분적으로 형성되는 제2 마이크로캐비티 또는 마이크로채널포함하는 것
  4. 4논리 통합logical_integration

    청구항 12항의 조건이 충족될 때, 청구항 13항에 따라 제2 금속 산화물층은 본질적으로 결함 없는 산화물로 구성된 두꺼운 금속 산화물 내에 적어도 부분적으로 형성되는 제2 마이크로캐비티 또는 마이크로채널을 포함하게 된다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    제2 금속 산화물층은 본질적으로 결함 없는 산화물로 구성된 두꺼운 금속 산화물 내에 적어도 부분적으로 형성되는 제2 마이크로캐비티 또는 마이크로채널을 포함하는 구조를 가진다.

    • 상기 제2 금속 산화물층은, 본질적으로 결함없는 산화물로 구성된 두꺼운 금속 산화물 내에 적어도 부분적으로 형성되는 제2 마이크로캐비티 또는 마이크로채널포함하는 것
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
제2 금속 산화물층은 본질적으로 결함 없는 산화물로 구성된 두꺼운 금속 산화물 내에 적어도 부분적으로 형성되는 제2 마이크로캐비티 또는 마이크로채널을 포함하는 구조를 가진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
마이크로플라즈마 장치에서 두 개의 전극을 각각 서로 다른 금속 산화물층에 캡슐화할 때, 제2 금속 산화물층은 결함 없는 산화물 내에 형성된 제2 마이크로캐비티 또는 마이크로채널 구조를 가짐으로써 전극을 보호하거나 배치한다.