반도체 소자 document_id 1020140002234

[청구항 1] 제1 질화물 반도체층; 상기 제1 질화물 반도체층 위에 배치되며, 일 측부에 제1 경사면을 갖는 제2 질화물 반도체층 상기 제2 질화물 반도체층 위에 배치되고, 상기 제1 경사면과 연결되는 제2 경사면을 일 측부에 갖는 패시베이션층 상기 제1 질화물 반도체층의 상부면으로부터 상기 제1 및 제2 경사면을 따라 상기 패시베이션층의 상부면까지 연장되어 배치된 제1 콘택; 및 상기 제2 질화물 반도체층 위에서 상기 패시베이션층을 사이에 두고 상기 제1 콘택과 이격되어 배치된 제2 콘택을 포함하는 반도체 소자 [청구항 2] 제1 항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체층은 상기 제1 경사면과 연결되는 제3 경사면을 포함하고,상기 제1 콘택은 상기 제1 내지 제3 경사면 위배치된반도체 소자. [청구항 3] 제2 항에 있어서,상기제1, 제2 또는 제3 경사면 중 적어도 두 개의 경사각서로 동일한반도체 소자. [청구항 4] 제2 항에 있어서,상기제1, 제2 또는 제3 경사면 중 적어도 하나직선인반도체 소자. [청구항 5] 제2 항에 있어서,상기제1, 제2 또는 제3 경사면 중 적어도 하나곡선인반도체 소자. [청구항 6] 제4 항에 있어서,상기제1, 제2 또는 제3 경사면 중 적어도 하나의 경사각은 29° 내지인반도체 소자. [청구항 7] 제5 항에 있어서,상기제1, 제2 또는 제3 경사면 중 적어도 하나의 곡률 반경은 5 ㎚ 내지인반도체 소자. [청구항 8] 제1 항에 있어서,상기 제1 콘택은 상기 제1 및 제2 질화물 반도체층 사이의 헤테로 접합 계면연결되는반도체 소자. [청구항 9] 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 콘택은상기 제1 및 제2 경사면의 상부에 배치된 제1 세그먼트;상기 제1 세그먼트로부터 연장되어 상기 패시베이션층의 상부면에 배치된 제2 세그먼트; 및상기 제1 세그먼트로부터 연장되어 상기 제1 질화물 반도체층의 상부면에 배치된 제3 세그먼트포함하는반도체 소자. [청구항 10] 제9 항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체층은 제1 및 제2 상부면을 갖고,상기 제2 질화물 반도체층은 상기 제1 상부면 위에 배치되고, 상기 제1 콘택의 상기 제3 세그먼트는 상기 제2 상부면 위배치되는반도체 소자. [청구항 11] 제9 항에 있어서,상기 제2 상부면과 상기 제1 상부면의 수직 거리는 0 이상이하인반도체 소자. [청구항 12] 제1 항에 있어서,상기 제2 질화물 반도체층을 관통하여 상기 제1 질화물 반도체층까지 배치되어 활성 영역을 정의하는 이온 주입층을 더 포함하고,상기 제2 질화물 반도체층, 상기 패시베이션층, 상기 제1 및 제2 콘택은 상기 활성 영역에 내배치되는반도체 소자. [청구항 13] 제12 항에 있어서,상기 이온 주입층에 포함된 불순물 이온의 농도는 1014 원자수/㎠ 내지 1016 원자수인반도체 소자. [청구항 14] 제12 항에 있어서,상기 이온 주입층은 아르곤(ar), 철(fe) 또는 질소(n) 중 적어도 하나포함하는반도체 소자. [청구항 15] gan층; 상기 gan층 위에 배치되며, 일 측부에 제1 경사면을 갖는 algan층 상기 algan층 위에 배치되고, 상기 제1 경사면과 연결되는 제2 경사면을 일 측부에 갖는 패시베이션층 상기 gan층과 쇼트키 콘택하고, 상기 gan층의 상부면으로부터 상기 제1 및 제2 경사면을 따라 상기 패시베이션층의 상부면까지 연장되어 배치된 쇼트키 콘택; 및 상기 제2 질화물 반도체층 위에서 상기 패시베이션층을 사이에 두고 상기 쇼트키 콘택과 이격되어 배치된 오믹 콘택을 포함하는 반도체 소자