반도체 장치의 이-퓨즈 구조체 document_id 1020140022774

[청구항 1] 캐소드와 애노드 사이에 연결되며, 제 1 금속 물질로 이루어진 퓨즈 링크 상기 퓨즈 링크의 상부면을 덮는 캡핑 유전막; 및 상기 캡핑 유전막을 관통하여 상기 퓨즈 링크의 일부분과 접촉하는 더미 금속 플러그로서, 상기 더미 금속 플러그는 금속층 및 상기 금속층과 상기 퓨즈 링크 사이에 개재된 배리어 금속층을 포함하되, 상기 배리어 금속층은 상기 제 1 금속 물질과 다른 제 2 금속 물질로 이루어진 반도체 장치의 이-퓨즈 구조체 [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속 물질은 텅스텐(w), 알루미늄(al), 구리(cu), 또는 구리 합금 중에서 선택된 적어도 하나로 이루어지며,상기 제 2 금속 물질은 ta, tan, tasin, ti, tin, tisin, w, 또는 wn 중 선택된 어느 하나이거나 이들조합으로 이루어지는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,퓨즈 구조체는 상기 퓨즈 링크에 프로그램 전류를 공급하여 프로그램 가능하며,상기 프로그램 전류가 공급될 때, 상기 애노드와 상기 금속 더미 플러그 사이의 상기 퓨즈 링크에 보이드형성되는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 더미 금속 플러그의 하부 폭은 상기 퓨즈 링크의 상부 폭보다 크고,상기 더미 금속 플러그는 상기 퓨즈 링크의 상부면 및 측벽 일부분과접촉하는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 배리어 금속층은 상기 금속층의 하부면 및 측벽들감싸는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 배리어 금속층은 상기 금속층의 하부면에서 보다 상기 금속층의 측벽들형성된반도체 장치의 이-퓨즈 구조체. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 더미 금속 플러그의 바닥면은 상기 퓨즈 링크의 상부면과 하부면 사이위치하는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 금속층은 제 1 폭을 갖는 콘택부와 상기 제 1 폭보다 큰 제 2 폭을 갖는 배선부포함하는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 더미 금속 플러그의 상부면에 배치된 더미 금속 패턴더 포함하되,상기 더미 금속 패턴의 두께는 상기 퓨즈 링크의 두께보다 큰 반도체 장치의 이-퓨즈 구조체. [청구항 13] 제 112 항에 있어서,상기 퓨즈 링크 양측에 배치된 더미 퓨즈 링크들더 포함하되,상기 더미 금속 패턴의 폭은 상기 더미 퓨즈 링크들 간의 거리보다 작은 반도체 장치의 이-퓨즈 구조체. [청구항 14] 제 1 항에 있어서,상기 더미 금속 플러그는 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에서 복수 개배치되는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체. [청구항 15] 제 1 항에 있어서,상기 더미 금속 플러그는 상기 퓨즈 링크의 장축(longitudinal axis)에 대해 실질적으로 수직한 방향연장되는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,상기 애노드 및 상기 캐소드는 서로 다른 높이에 위치하며,상기 퓨즈 링크 및 상기 더미 금속 플러그는 수직적 관점에서, 상기 애노드와 상기 캐소드 사이위치하는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체. [청구항 17] 제 1 항에 있어서,상기 애노드 및 상기 캐소드는 하부막의 상부면으로부터 제 1 높이에 배치되고,상기 퓨즈 링크는 상기 하부막의 상기 상부면으로부터 상기 제 1 높이보다 큰 제 2 높이배치되는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체. [청구항 18] 제 1 항에 있어서,반도체 기판 및 상기 반도체 기판 상에 형성된 게이트 전극을 포함하는 모스 트랜지스터를 더 포함하되, 상기 게이트 전극은 상기 제 1 금속 물질로 형성되고, 상기 게이트 전극 및 상기 퓨즈 링크는 실질적으로 동일한 높이형성된반도체 장치의 이-퓨즈 구조체. [청구항 19] 제 1 항에 있어서,반도체 기판 및 상기 반도체 기판과 이격되어 형성된 금속 배선들을 더 포함하되,상기 금속 배선들은 상기 제 1 금속 물질로 형성되고, 상기 금속 배선들 및 상기 퓨즈 링크는 실질적으로 동일한 높이형성된반도체 장치의 이-퓨즈 구조체. [청구항 20] 애노드와 캐소드 사이에 연결되며, 제 1 금속 물질로 이루어진 퓨즈 링크 상기 애노드, 상기 캐소드 및 상기 퓨즈 링크를 덮는 층간 절연막 상기 퓨즈 링크의 상부면과 상기 층간 절연막 사이에 배치되며, 상기 층간 절연막과 다른 절연 물질로 이루어진 캡핑 유전막; 및 상기 층간 절연막 및 상기 캡핑 유전막을 관통하여 상기 퓨즈 링크의 일부분과 접촉하는 더미 금속 플러그로서, 상기 더미 금속 플러그는 금속층 및 상기 금속층과 상기 퓨즈 링크 사이에 개재된 배리어 금속층을 포함하되, 상기 배리어 금속층은 상기 제 1 금속 물질과 다른 제 2 금속 물질로 형성된 반도체 장치의 이-퓨즈 구조체