전자장치 및 그 제조방법 document_id 1020140030761

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1필라전극과 상기 가변저항층 사이 또는 상기 제2필라전극과 상기 가변저항층 사이에 삽입된 선택소자층더 포함하는전자장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,하나의 제2필라전극을 둘러싸는 가변저항층에 접하는 상기 제1필라전극은 일방향 및 상기 일방향과 교차하는 방향으로 각각 상기 가변저항층 양측에 위치하고, 상기 어느 하나의 제1필라전극에 접하는 상기 가변저항층은 상기 일방향 및 상기 일방향과 교차하는 방향으로 각각 상기 제1필라전극 양측위치하는전자장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 제1필라전극 및 상기 제2필라전극은 일방향 및 상기 일방향과 교차하는 방향으로 교번배치되는전자장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 제1필라전극 및 상기 제2필라전극은 삼각형 이상의 다각형 또는 원형 형상포함하는전자장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 제2필라전극은 상기 가변저항층관통하는전자장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 가변저항층은 상기 제1필라전극 및 상기 제2필라전극과 동일한 높이를 갖거나, 또는 더 작은 높이갖는전자장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 가변저항층은 금속산화물, 상변화물질, 강유전물질 또는 강자성물질포함하는전자장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 전자 장치는, 마이크로프로세서를 더 포함하고,상기 마이크로프로세서는,상기 마이크로프로세서 외부로부터의 명령을 포함하는 신호를 수신하고, 상기 명령의 추출이나 해독 또는 상기 마이크로프로세서의 신호의 입출력 제어를 수행하는 제어부;상기 제어부가 명령을 해독한 결과에 따라서 연산을 수행하는 연산부; 및상기 연산을 수행하는 데이터, 상기 연산을 수행한 결과에 대응하는 데이터 또는 상기 연산을 수행하는 데이터의 주소를 저장하는 기억부를 포함하고,상기 반도체 메모리는, 상기 마이크로프로세서 내에서 상기 기억부의일부인전자장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 전자 장치는, 프로세서를 더 포함하고,상기 프로세서는,상기 프로세서의 외부로부터 입력된 명령에 따라 데이터를 이용하여 상기 명령에 대응하는 연산을 수행하는 코어부;상기 연산을 수행하는 데이터, 상기 연산을 수행한 결과에 대응하는 데이터 또는 상기 연산을 수행하는 데이터의 주소를 저장하는 캐시 메모리부; 및상기 코어부와 상기 캐시 메모리부 사이에 연결되고, 상기 코어부와 상기 캐시 메모리부 사이에 데이터를 전송하는 버스 인터페이스를 포함하고,상기 반도체 메모리는, 상기 프로세서 내에서 상기 캐시 메모리부의일부인전자장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 전자 장치는, 프로세싱 시스템을 더 포함하고,상기 프로세싱 시스템은,수신된 명령을 해석하고 상기 명령을 해석한 결과에 따라 정보의 연산을 제어하는 프로세서;상기 명령을 해석하기 위한 프로그램 및 상기 정보를 저장하기 위한 보조기억장치;상기 프로그램을 실행할 때 상기 프로세서가 상기 프로그램 및 상기 정보를 이용해 상기 연산을 수행할 수 있도록 상기 보조기억장치로부터 상기 프로그램 및 상기 정보를 이동시켜 저장하는 주기억장치; 및상기 프로세서, 상기 보조기억장치 및 상기 주기억장치 중 하나 이상과 외부와의 통신을 수행하기 위한 인터페이스 장치를 포함하고,상기 반도체 메모리는, 상기 프로세싱 시스템 내에서 상기 보조기억장치 또는 상기 주기억장치의일부인전자장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 전자 장치는, 데이터 저장 시스템을 더 포함하고,상기 데이터 저장 시스템은,데이터를 저장하며 공급되는 전원에 관계없이 저장된 데이터가 유지되는 저장 장치;외부로부터 입력된 명령에 따라 상기 저장 장치의 데이터 입출력을 제어하는 컨트롤러; 상기 저장 장치와 외부 사이에 교환되는 데이터를 임시로 저장하는 임시 저장 장치; 및상기 저장 장치, 상기 컨트롤러 및 상기 임시 저장 장치 중 하나 이상과 외부와의 통신을 수행하기 위한 인터페이스를 포함하고,상기 반도체 메모리는, 상기 데이터 저장 시스템 내에서 상기 저장 장치 또는 상기 임시 저장 장치일부인전자장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 전자 장치는, 메모리 시스템을 더 포함하고,상기 메모리 시스템은, 데이터를 저장하며 공급되는 전원에 관계없이 저장된 데이터가 유지되는 메모리;외부로부터 입력된 명령에 따라 상기 메모리의 데이터 입출력을 제어하는 메모리 컨트롤러;상기 메모리와 외부 사이에 교환되는 데이터를 버퍼링하기 위한 버퍼 메모리; 및상기 메모리, 상기 메모리 컨트롤러 및 상기 버퍼 메모리 중 하나 이상과 외부와의 통신을 수행하기 위한 인터페이스를 포함하고,상기 반도체 메모리는, 상기 메모리 시스템 내에서 상기 메모리 또는 상기 버퍼 메모리의일부인전자장치. [청구항 14] 상호 이격된 복수의 제1필라전극, 상기 복수의 제1필라전극 각각으로부터 이격된 복수의 제2필라전극 및 상기 복수의 제2필라전극 각각을 둘러싸고, 인접한 상기 제1필라전극 복수개와 접하는 가변저항층을 포함하는 가변저항소자층 상기 가변저항소자층 하부에 형성되고, 상기 제1필라전극과 전기적으로 연결되는 복수의 제1도전라인 및 상기 제1도전라인과 교차하고, 상기 제2필라전극과 전기적으로 연결되는 복수의 제2도전라인을 포함하는 제1배선층; 및 상기 가변저항소자층 상부에 형성되고, 상기 제2필라전극과 전기적으로 연결되는 복수의 제3도전라인 및 상기 제3도전라인과 교차하고, 상기 제1필라전극과 전기적으로 연결되는 복수의 제4도전라인을 포함하는 제2배선층 을 포함하는 전자장치 [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 제1필라전극과 상기 제1도전라인 사이를 연결하는 제1콘택플러그;상기 제2필라전극과 상기 제2도전라인 사이를 연결하는 제2콘택플러그;상기 제2필라전극과 상기 제3도전라인 사이를 연결하는 제3콘택플러그; 상기 제1필라전극과 상기 제4도전라인 사이를 연결하는 제4콘택플러그; 및상기 제1필라전극과 상기 가변저항층 사이 또는 상기 제2필라전극과 상기 가변저항층 사이에 삽입된 선택소자층더 포함하는전자장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 제1도전라인 및 상기 제4도전라인은 서로 동일한 방향으로 연장되고, 이들이 연장된 방향에서 상기 제1콘택플러그 및 상기 제4콘택플러그는 교번배치되는전자장치. [청구항 17] 제15항에 있어서,상기 제2도전라인 및 상기 제3도전라인은 서로 동일한 방향으로 연장되고, 이들이 연장된 방향에서 상기 제2콘택플러그 및 상기 제3콘택플러그는 교번배치되는전자장치. [청구항 18] 제14항에 있어서,상기 제1도전라인은 상기 제4도전라인과 중첩되고, 상기 제2도전라인은 상기 제3도전라인중첩되는전자장치. [청구항 19] 제14항에 있어서,상기 제1필라전극은 상기 제1도전라인 및 상기 제4도전라인과 중첩되고, 상기 제2도전라인 사이 또는 상기 제3도전라인 사이위치하는전자장치. [청구항 20] 제14항에 있어서,상기 제2필라전극 및 상기 가변저항층은 상기 제2도전라인 및 상기 제3도전라인과 중첩되고, 상기 제1도전라인 사이 또는 상기 제4도전라인 사이위치하는전자장치. [청구항 21] 제14항에 있어서,상기 복수의 제2필라전극 중 어느 하나의 제2필라전극을 둘러싸는 가변저항층에 상기 제1필라전극 복수개가 접함과 동시에 상기 복수의 제1필라전극 중 어느 하나의 제1필라전극에 상기 가변저항층 복수개가접하는전자장치. [청구항 22] 제21항에 있어서,하나의 제2필라전극을 둘러싸는 가변저항층에 접하는 상기 제1필라전극은 일방향 및 상기 일방향과 교차하는 방향으로 각각 상기 가변저항층 양측에 위치하고, 상기 어느 하나의 제1필라전극에 접하는 상기 가변저항층은 상기 일방향 및 상기 일방향과 교차하는 방향으로 각각 상기 제1필라전극 양측위치하는전자장치. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 일방향으로 상기 어느 하나의 제2필라전극을 둘러싸는 가변저항층 양측에 위치하는 상기 제1필라전극은 상기 제1도전라인과 연결되고, 상기 일방향과 교차하는 방향으로 상기 어느 하나의 제2필라전극을 둘러싸는 가변저항층 양측에 위치하는 상기 제1필라전극은 상기 제4도전라인연결되는전자장치. [청구항 24] 제22항에 있어서,상기 일방향으로 상기 어느 하나의 제1필라전극 양측에 위치하는 상기 가변저항층이 둘러싸는 상기 제2필라전극은 상기 제2도전라인과 연결되고, 상기 일방향과 교차하는 방향으로 상기 어느 하나의 제1필라전극 양측에 위치하는 상기 가변저항층이 둘러싸는 상기 제2필라전극은 상기 제3도전라인연결되는전자장치. [청구항 25] 제1사선방향으로 연장되고, 상기 제1사선방향과 교차하는 제2사선방향으로 서로 이격되어 배치된 복수의 제1도전라인 상기 제2사선방향으로 연장되고, 상기 제1사선방향으로 서로 이격되어 배치된 복수의 제2도전라인 상기 복수의 제1도전라인 상부에 위치하고, 상기 복수의 제1도전라인과 중첩되는 복수의 제4도전라인 상기 복수의 제1도전라인과 상기 복수의 제4도전라인 사이에 위치하여 이들과 중첩되고, 상기 제1사선방향으로 서로 이격되어 배치된 복수의 제1필라전극 상기 복수의 제2도전라인 상부에 위치하고, 상기 복수의 제2도전라인과 중첩되는 복수의 제3도전라인 상기 복수의 제2도전라인과 상기 복수의 제3도전라인 사이에 위치하여 이들과 중첩되고, 상기 제2사선방향으로 서로 이격되어 배치된 복수의 제2필라전극; 및 상기 복수의 제2필라전극 각각을 둘러싸고, 인접한 상기 제1필라전극 복수개와 접하는 가변저항층 을 포함하는 전자장치 [청구항 26] 제25항에 있어서,상기 제1필라전극과 상기 제1도전라인 사이를 연결하는 제1콘택플러그;상기 제2필라전극과 상기 제2도전라인 사이를 연결하는 제2콘택플러그;상기 제2필라전극과 상기 제3도전라인 사이를 연결하는 제3콘택플러그; 상기 제1필라전극과 상기 제4도전라인 사이를 연결하는 제4콘택플러그; 및상기 제1필라전극과 상기 가변저항층 사이 또는 상기 제2필라전극과 상기 가변저항층 사이에 삽입된 선택소자층더 포함하는전자장치. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 제1사선방향에서 상기 제1콘택플러그 및 상기 제4콘택플러그는 교번 배치되고, 상기 제2사선방향에서 상기 제2콘택플러그 및 상기 제3콘택플러그는 교번배치되는전자장치. [청구항 28] 제25항에 있어서,상기 복수의 제1필라전극 각각 및 상기 복수의 제2필라전극 각각은 상기 제1사선방향 및 상기 제2사선방향으로 일정 간격 이격되어 매트릭스 형태배치되는전자장치. [청구항 29] 제25항에 있어서,상기 제1필라전극은 상기 제2도전라인 사이 및 상기 제3도전라인 사이에 위치하고, 상기 제2필라전극 및 상기 가변저항층은 상기 제1도전라인 사이 및 상기 제4도전라인 사이위치하는전자장치. [청구항 30] 제25항에 있어서,상기 복수의 제2필라전극 중 어느 하나의 제2필라전극을 둘러싸는 가변저항층에 상기 제1필라전극 복수개가 접함과 동시에 상기 복수의 제1필라전극 중 어느 하나의 제1필라전극에 상기 가변저항층 복수개가접하는전자장치. [청구항 31] 제30항에 있어서,상기 복수의 제1필라전극 사이마다 상기 제2필라전극이 위치하고, 하나의 상기 제2필라전극을 4개의 상기 제1필라전극이 둘러싸는 형태를 가짐과 동시에 하나의 상기 제1필라전극을 4 개의 상기 제2필라전극이 둘러싸는 형태갖는전자장치.