문맥 (context)
[청구항 1]
기판 상에 형성된 액티브층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터; 및
제1 스토리지 전극, 및 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 제1 스토리지 전극과 중첩되는 제2 스토리지 전극을 포함하는 스토리지 커패시터를 포함하되,
상기 제1 스토리지 전극의 적어도 상부 표면은 힐록(hillock)을 포함하고, 상기 게이트 절연막은 상기 힐록에 대응하는 형태로 상기 제1 스토리지 전극과 제2 스토리지 전극 사이에 형성되는 표시 장치
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 제1 스토리지 전극 및 제2 스토리지 전극은 비저항이하인표시 장치.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 제1 스토리지 전극 및 제2 스토리지 전극 중 적어도 하나는 알루미늄 또는 알루미늄 합금포함하는표시 장치.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 제1 스토리지 전극 및 제2 스토리지 전극 중 적어도 하나는 캐핑층(capping layer)을 추가포함하는표시 장치.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,핑층은 tin, ti, mon, mo 및 mo 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 하나이상인표시 장치.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 트랜지스터는 각각 액티브층, 게이트 절연막, 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극을 포함하는 스위치 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함하고,상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극과 접속된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성되어 빛을 발광하는 유기층, 및 상기 유기층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하는 유기 전계 발광 소자포함하는표시 장치.
[청구항 7]
제 6 항에 있어서,상기 게이트 절연막은 제1 게이트 절연막 및 제2 게이트 절연막을 포함하고,상기 스위치 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 스토리지 전극이 상기 제1 게이트 절연막 상에서 동일층에 형성되고,상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 제2 스토리지 전극이 상기 제2 게이트 절연막 상에서 동일층형성되는표시 장치.
[청구항 9]
제 6 항에 있어서,상기 제2 스토리지 전극은 상기 스위치 트랜지스터의 드레인 전극과 전기적연결되는표시 장치.
[청구항 10]
제 1 항에 있어서,상기 액티브층은, 게이트 전극과 중첩되는 영역에 위치하는 채널 영역, 및소스 및 드레인 전극과 전기적으로 접속하는 소스 영역 및 드레인 영역포함하는표시 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1 및 청구항 7에 기재된 표시 장치에서, 스위치 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 스토리지 전극이 형성되는 위치 관계와 그 사이의 층 구성은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1과 7을 바탕으로 스위치 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 스토리지 전극의 위치 관계 및 그 사이의 층 구성을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 7에서 스위치 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 스토리지 전극이 제1 게이트 절연막 상에서 동일층에 형성됨을 확인한다.
- 상기 스위치 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 스토리지 전극이 상기 제1 게이트 절연막 상에서 동일층에 형성되고
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3근거 선택
evidence_selection위치 관계를 나타내는 '제1 게이트 절연막 상에서 동일층' 구절과 층 구성을 나타내는 '제1 게이트 절연막' 구절을 선택한다.
- 상기 스위치 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 스토리지 전극이 상기 제1 게이트 절연막 상에서 동일층에 형성되고
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4논리 통합
logical_integration두 전극은 제1 게이트 절연막이라는 층 위에 동일한 층(layer)으로서 위치 관계를 가짐을 통합한다.
- 상기 스위치 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 스토리지 전극이 상기 제1 게이트 절연막 상에서 동일층에 형성되고
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5결론 도출
conclusion_formulation스위치 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 스토리지 전극은 제1 게이트 절연막 상에 동일한 층으로 형성되어 있다.
- 상기 스위치 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 스토리지 전극이 상기 제1 게이트 절연막 상에서 동일층에 형성되고
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 위치 관계와 층 구성을 포함하여 최종 답변을 작성한다.
- 상기 스위치 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 스토리지 전극이 상기 제1 게이트 절연막 상에서 동일층에 형성되고
최종 답변 (final_answer)
스위치 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 스토리지 전극은 제1 게이트 절연막 상에서 동일한 층(동일층)에 형성되는 위치 관계를 가진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
스위치 트랜지스터의 게이트 전극과 제1 스토리지 전극을 제1 게이트 절연막 상의 동일한 층에 배치함으로써 소자의 구조적 특징을 정의함.