문맥 (context)
[청구항 1]
제1 방향으로 각각 연장되고 서로 최인접하는 제1 부분 및 제2 부분과, 상기 제2 부분에 인접하는 제3 부분을 포함하고, 제1 메탈 레벨에 형성되는 제1 메탈 패턴으로, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분 및 상기 제3 부분 사이에 위치하고, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 연결되고, 제3 부분은 제2 부분과 전기적으로 분리되는 제1 메탈 패턴; 및
상기 제1 메탈 패턴과 전기적으로 연결되고, 상기 제1 메탈 레벨과 다른 제2 메탈 레벨에 형성되는 제2 메탈 패턴을 포함하는 반도체 장치의 이-퓨즈 구조체
[청구항 2]
제1 항에 있어서,상기 제1 메탈 패턴은 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 연결하는 제4 부분포함하는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체.
[청구항 3]
제2 항에 있어서,순차적으로 연결된 상기 제1 부분과, 상기 제4 부분과, 상기 제2 부분형태인반도체 장치의 이-퓨즈 구조체.
[청구항 5]
제1 항에 있어서,상기 제1 메탈 패턴은 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 부분을 사이에 두고 상기 제2 부분과 마주보는 제4 부분포함하는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체.
[청구항 6]
제5 항에 있어서,상기 제1 메탈 패턴은 상기 제2 부분과 상기 제4 부분을 연결하는 제5 부분포함하는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체.
[청구항 7]
제6 항에 있어서,상기 제4 부분은 전류 이동 통로비사용되는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체.
[청구항 8]
제1 항에 있어서,상기 제1 메탈 패턴과 상기 제2 메탈 패턴을 연결하는 비아를 더 포함하고,상기 제2 메탈 패턴은 서로 마주보며 인접하는 제4 부분 및 제5 부분과, 상기 제4 부분의 일단 및 상기 제5 부분의 일단을 연결하는 제6 부분을 포함하고,상기 비아는 상기 제1 부분과 상기 제4 부분연결하는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체.
[청구항 10]
제8 항에 있어서,상기 제2 메탈 패턴은 상기 제4 부분 및 상기 제5 부분을 사이에 두고 상기 제6 부분과 마주보는 제7 부분더 포함하는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체.
[청구항 11]
제10 항에 있어서,상기 제2 메탈 패턴은 상기 제7 부분과 연결되는 제8 부분을 더 포함하고,연결된 상기 제7 부분 및 제8 부분형태인반도체 장치의 이-퓨즈 구조체.
[청구항 12]
제1 항에 있어서,상기 제3 부분nan은상기제1방향연장되어형성되는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체.
[청구항 13]
제1 항에 있어서,상기 제1 메탈 패턴 및 상기 제2 메탈 패턴은 기판 상에 형성되고, 상기 제1 메탈 패턴은 상기 기판의 상면으로부터 제1 높이에 배치되고, 상기 제2 메탈 패턴은 상기 기판의 상면으로부터 제2 높이배치되고,상기 제1 높이는 상기 제2 높이보다 높은 반도체 장치의 이-퓨즈 구조체.
[청구항 14]
제1 방향으로 각각 연장되고 서로 최인접하는 제1 부분 및 제2 부분과, 상기 제2 부분에 인접하는 제3 부분을 포함하고, 제1 메탈 레벨에 형성되는 제1 메탈 패턴으로, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분 및 상기 제3 부분 사이에 위치하고, 상기 제1 부분 및 상기 제2 부분은 연결되고, 상기 제3 부분은 상기 제2 부분과 전기적으로 분리되는 제1 메탈 패턴
상기 제1 메탈 레벨과 다른 제2 메탈 레벨에 형성되는 제2 메탈 패턴
상기 제1 메탈 레벨과 상기 제2 메탈 레벨 사이의 제3 메탈 레벨에 형성되는 제3 메탈 패턴
상기 제1 부분과 상기 제3 메탈 패턴을 연결하는 제1 비아; 및
상기 제2 메탈 패턴과 상기 제3 메탈 패턴을 연결하는 제2 비아를 포함하는 반도체 장치의 이-퓨즈 구조체
[청구항 15]
제14 항에 있어서,상기 제3 메탈 패턴은 상기 제1 방향과 다른제2방향연장되어형성되는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체.
[청구항 16]
제15 항에 있어서,상기 제3 메탈 패턴은 상기 제2 방향으로 연장되는 제4 부분과, 상기 제4 부분과 나란하게 상기 제4 부분의 양측에 형성되는 제5 부분을 포함하고,상기 제1 비아 및 상기 제2 비아는 상기 제4 부분과연결되는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체.
[청구항 17]
제14 항에 있어서,상기 제3 메탈 패턴은 상기 제1 방향으로 연장되는 제4 부분과, 상기 제4 부분과 나란하게 상기 제4 부분의 양측에 형성되는 제5 부분을 포함하고,상기 제1 비아 및 상기 제2 비아는 상기 제4 부분과연결되는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체.
[청구항 18]
제1 메탈 레벨에 형성되고, u자 형태의 제1 굴곡부와 상기 제1 굴곡부와 전기적으로 분리되는 제1 보조 패턴을 포함하는 제1 메탈 패턴으로, 상기 제1 굴곡부는 제1 방향으로 각각 연장되어 서로 인접하는 제1 부분과 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 보조 패턴은 상기 제2 부분을 사이에 두고 상기 제1 부분과 마주보는 제1 메탈 패턴
상기 제1 부분과 전기적으로 연결되는 제1 비아; 및
상기 제1 메탈 레벨과 다른 제2 메탈 레벨에 형성되고, 상기 제1 비아와 전기적으로 연결되는 제2 메탈 패턴을 포함하는 반도체 장치의 이-퓨즈 구조체
[청구항 19]
제18 항에 있어서,상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되고 상기 제1 메탈 레벨 및 상기 제2 메탈 레벨 사이의 제3 메탈 레벨 사이에 형성되는 제3 메탈 패턴과, 상기 제3 메탈 패턴과 상기 제2 메탈 패턴을 연결하는 제2 비아를 더 포함하고,상기 제1 비아는 상기 제1 메탈 패턴과 상기 제3 메탈 패턴연결하는반도체 장치의 이-퓨즈 구조체.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1 및 청구항 13에 기재된 반도체 장치의 이-퓨즈 구조체에서, 제1 메탈 패턴과 제2 메탈 패턴의 기판 상면으로부터의 높이 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1 및 13을 바탕으로 제1 메탈 패턴과 제2 메탈 패턴의 기판 상면으로부터의 높이 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 13에서 제1 메탈 패턴은 제1 높이에, 제2 메탈 패턴은 제2 높이에 배치된다는 정보를 추출한다.
- 상기 제1 메탈 패턴은 상기 기판의 상면으로부터 제1 높이에 배치되고, 상기 제2 메탈 패턴은 상기 기판의 상면으로부터 제2 높이배치되고,상기 제1 높이는 상기 제2 높이보다 높은 반도체 장치의 이-퓨즈 구조체
-
3근거 선택
evidence_selection두 패턴의 높이 관계를 직접적으로 명시한 구절을 선택한다.
- ,상기 제1 높이는 상기 제2 높이보다 높은 반도체 장치의 이-퓨즈 구조체
-
4논리 통합
logical_integration제1 높이가 제2 높이보다 높으므로, 제1 메탈 패턴이 제2 메탈 패턴보다 기판 상면으로부터 더 높은 위치에 있음을 알 수 있다.
- ,상기 제1 높이는 상기 제2 높이보다 높은 반도체 장치의 이-퓨즈 구조체
-
5결론 도출
conclusion_formulation제1 메탈 패턴의 높이가 제2 메탈 패턴의 높이보다 높다는 결론을 도출한다.
- ,상기 제1 높이는 상기 제2 높이보다 높은 반도체 장치의 이-퓨즈 구조체
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대해 추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- ,상기 제1 높이는 상기 제2 높이보다 높은 반도체 장치의 이-퓨즈 구조체
최종 답변 (final_answer)
상기 제1 높이는 상기 제2 높이보다 높다.
핵심 해석 (core_interpretation)
이-퓨즈 구조체에서 제1 메탈 패턴과 제2 메탈 패턴은 서로 다른 메탈 레벨에 형성되며, 제1 메탈 패턴이 제2 메탈 패턴보다 기판 상면으로부터 더 높은 위치에 배치된다.