플라즈마 노출된 표면 상에 보호 인 시츄 형성층을 갖는 플라즈마 프로세싱 챔버의 컴포넌트 document_id 1020140054348

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 액체를 공급하는 수단은 상기 컴포넌트 내의 액체 피드 통로를 포함하고, 상기 액체 피드 통로는 상기 액체가 상기 플라즈마 노출된 표면 상에 상기 보호 액체층을 형성하도록 상기 컴포넌트의 상기 플라즈마 노출된 표면으로 상기 액체를 분배하도록 구성되고;(b) 상기 액체를 공급하는 수단은 상기 컴포넌트 내의 액체 채널을 포함하고, 상기 액체 채널은, 상기 액체 채널이 상기 컴포넌트의 상기 플라즈마 노출된 표면으로 상기 액체 피드 통로를 통해 상기 액체를 공급할 수 있도록, 상기 컴포넌트 내의 액체 피드 통로와 유체 연통하고;(c) 상기 액체를 공급하는 수단은 상기 컴포넌트 내의 제1 액체 채널 및 제2 액체 채널을 포함하고, 상기 제1 액체 채널 및 상기 제2 액체 채널은, 액체 채널 각각이 상기 컴포넌트의 상기 플라즈마 노출 표면으로 상기 액체 피드 통로를 통해 상이한 플라즈마 양립성의 액체를 공급할 수 있도록, 액체 피드 통로의 제1 그룹 및 제2 그룹과 유체 연통하고; 및/또는(d) 상기 액체를 공급하는 수단은 상기 컴포넌트 내의 액체 유입 채널 및 액체 유출 채널을 포함하고, 상기 액체 유입 채널 및 상기 액체 유출 채널은, 상기 컴포넌트로 공급되는 액체가 상기 컴포넌트로부터 및 상기 컴포넌트로 순환될 수 있도록 상기 컴포넌트 내의 액체 채널과 유체연통하는,플라즈마 프로세싱 챔버의 컴포넌트. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 컴포넌트는 다공성 세라믹이고, 상기 액체 피드 통로는 상기 다공성 세라믹의 기공 (pore) 이고, 상기 기공은 상기 컴포넌트의 상기 플라즈마 노출된 표면으로 상기 다공성 세라믹의 상기 기공을 통해 상기 액체를 전달하도록 구성되고; 또는(b) 상기 컴포넌트는 금속성 물질로 되며, 상기 액체 피드 통로는 상기 컴포넌트의 상기 플라즈마 노출된 표면으로 상기 액체를 전달하도록 구성된 모세관 (capillary) 크기의 홀들패턴인,플라즈마 프로세싱 챔버의 컴포넌트. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 컴포넌트는 상기 플라즈마 프로세싱 챔버에서 기판 지지체 상에 마운팅된 반도체 기판을 둘러싸도록 구성된 에지 링이고,(a) 상기 에지 링은 경사진 상측 표면을 가지고;(b) 상기 에지 링은 평탄한 상측 표면을 가지고;(c) 상기 에지 링은 내측 환형 립 (lip) 을 포함하고;(d) 상기 에지 링은 외측 환형 립을 포함하고;(e) 상기 에지 링은 알루미늄 옥사이드, 알루미나, 실리콘 옥사이드, 쿼츠 (quartz), 실리콘, 실리콘 카바이드, yag, 이트륨 옥사이드, 이트륨 플루오라이드, 세륨 옥사이드, 알루미늄 나이트라이드, 그래파이트 또는 이들의 조합으로 형성되고;(f) 상기 에지 링은 상기 에지 링 내에 임베디드된 하나 이상의 rf 전극을 포함하고;(g) 상기 에지 링은 가열기를 포함하고,(h) 상기 에지 링은 상기 에지 링 내에 형성된 단 (step) 을 가지고;(i) 상기 플라즈마 노출된 표면은 상기 에지 링의 수직 표면이고; 및/또는(j) 상기 플라즈마 노출된 표면은 상기 에지 링의 상측표면인,플라즈마 프로세싱 챔버의 컴포넌트. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,상기 컴포넌트는 기판 지지체의 상측 표면 내의 리세스에 대하여 돌출하는 반도체 기판을 지지하는 기판 지지체 표면을 포함하는 상기 기판 지지체이고, 상기플라즈마 노출된 표면은 상기 리세스둘러싸는,플라즈마 프로세싱 챔버의 컴포넌트. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 플라즈마 노출된 표면은 상기 기판 지지체의 경사진 상측 표면이고;(b) 상기 플라즈마 노출된 표면은 상기 기판 지지체의 평탄한 상부 표면이고;(c) 상기 플라즈마 노출된 표면은 상기 플라즈마 노출된 표면에 형성된 단을 가지며, 상기 단은 상기 기판 지지체의 상기 상측 표면에서의 상기 리세스에 의해 정의되고,(d) 상기 플라즈마 노출된 표면은 상기 기판 지지체의 수직 표면이고;(e) 상기 플라즈마 노출된 표면은 상기 기판 지지체의 상측 표면이고;(f) 상기 기판 지지체는 내측 환형 립을 포함하고; 및/또는(g) 상기 기판 지지체는 외측 환형 립포함하는,플라즈마 프로세싱 챔버의 컴포넌트. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 컴포넌트는 알루미늄 옥사이드, 알루미나, 실리콘 옥사이드, 쿼츠 (quartz), 실리콘, 실리콘 카바이드, yag, 이트륨 옥사이드, 이트륨 플루오라이드, 세륨 옥사이드, 알루미늄 나이트라이드, 그래파이트 또는 이들의 조합으로 형성되고;(b) 상기 컴포넌트는 상기 컴포넌트의 상기 플라즈마 노출된 표면 상에 마이크로그루브 (microgroove) 를 포함하고, 상기 마이크로그루브는 상기 컴포넌트의 상기 플라즈마 노출된 표면으로 공급된 상기 액체를 채널구성되는,플라즈마 프로세싱 챔버의 컴포넌트. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 장치는 유도성 커플링된 플라즈마 프로세싱 장치이고;(b) 상기 장치는 용량성 커플링된 플라즈마 프로세싱 장치이고;(c) 상기 장치는 전자 싸이클로트론 플라즈마 프로세싱 장치이고;(d) 상기 장치는 헬리콘 웨이브 플라즈마 처리 장치이고; 또는(e) 상기 장치는 마이크로웨이브 플라즈마 처리장치인,반도체 플라즈마 프로세싱 장치. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 플라즈마 양립성의 액체는, 상기 액체 공급부와 상기 진공 챔버 사이의 압력 차이가 상기 컴포넌트의 상기 플라즈마 노출된 표면을 향하여 상기 액체 피드 통로에서 상기 액체가 흐르게 하기 위해 힘을 가하도록, 미리 결정된 압력으로 상기 액체 공급부에 저장되고, 상기 미리 결정된 압력은, 상기 컴포넌트의 상기 플라즈마 노출된 표면 상의 상기 액체층의 두께가 미리 결정된 두께로 유지될 수 있도록, 제어될 수 있고, 또는(b) 상기 액체 공급부는 펌프를 포함하고, 상기 펌프는, 상기 컴포넌트의 상기 플라즈마 노출된 표면 상의 상기 액체의 두께가 미리 결정된 두께로 유지될 수 있도록 상기 컴포넌트의 상기 플라즈마 노출된 표면을 향해 상기 플라즈마 양립성의 액체를 펌핑구성된,반도체 플라즈마 프로세싱 장치. [청구항 12] 제 9 항에 있어서,상기 컴포넌트는 에지 링이고;(b) 상기 컴포넌트는 기판 지지 어셈블리의 본드층에 인접하며, 상기 본드층에 인접한 상기 컴포넌트의 상기 플라즈마 노출된 표면에 공급되는 상기 플라즈마 양립성의 액체는, 상기 액체가 상기 본드층을 커버하기 위해 상기 플라즈마 노출된 표면으로 공급되도록 구성되고, 및/또는(c) 상기 컴포넌트는 기판 지지 어셈블리의 본드층을 둘러싸도록 구성되는 에지 시일 (seal) 과 인접하며, 상기 에지 시일에 인접한 상기 컴포넌트의 상기 플라즈마 노출된 표면으로 공급되는 상기 플라즈마 양립성의 액체는 상기 액체가 상기 에지 시일을 커버하기 위해 상기 플라즈마 노출된표면공급되도록구성된,반도체 플라즈마 프로세싱 장치. [청구항 13] 제 9 항에 있어서,상기 플라즈마 양립성의 액체는 경화성 액체이고;(b) 상기 플라즈마 양립성의 액체는 경화된 물질의 고체층을 형성하도록 상기 컴포넌트의 상기 플라즈마 노출된 표면 상에서 서로와 반응하는 2개의 독립된 액체들을 포함하고;(c) 상기 플라즈마 양립성의 액체는 유동성 옥사이드 전구체이고;(d) 상기 플라즈마 양립성의 액체는 실리콘 계 액체이고;(e) 상기 플라즈마 양립성의 액체는 이온성의 유체이고;(f) 상기 플라즈마 양립성의 액체는 약 20℃에서 약 10-6 torr 아래의 기상 압력을 갖고;(g) 상기 플라즈마 양립성의 액체는 퍼플루오르폴리에테르 (perfluoropolyether) 이고;(h) 상기 플라즈마 양립성의 액체는 약 800 내지 5,000 g/mol의 분자량을 갖고;(i) 상기 플라즈마 양립성의 액체는 약 1,000 g/mol을 초과하는 분자량을 갖고;(j) 상기 플라즈마 양립성의 액체는 약 120℃ 미만의 온도에서 고체를 형성하고;(k) 상기 플라즈마 양립성의 액체는 약 80℃ 미만의 온도에서 고체를 형성하고; 및 또는(l) 상기 플라즈마 양립성의 액체는, 페닐메틸 실록산(phenylmethyl siloxane), 디메틸 싸이클로실록산(dimethyl cyclosiloxane), 테트라메틸 테트라페닐 트리실록산(tetramethyl tetraphenyl trisiloxane), 펜타페닐 트리메틸 트리실록산(pentaphenyl trimethyl trisiloxane), 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 비스{(트리플루오로메틸)술포닐}아미드(1-ethyl-3-methylimidazolium bis{(trifluoromethyl)sul-fonyl}amide), 1-옥틸-3-메틸이미다졸리움 비스 (트리플루오로메탄술포닐) 이미드(1-octyl-3-methylimidazolium bis (trifluoromethanesulfonyl) imide), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 디시안아미드(1-butyl-3-methylimidazolium dicyanamide), 하이드로플루오로에틸렌(hydrofluoroethylene), 테트라플루오로에틸렌(tetrafluoroethylene), 퍼플루오로트리테틸렌옥사이드(perfluorotrimethyleneoxide), 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 클로라이드(1-ethyl-3-methylimidazolium chloride), 1-에틸-3-메틸이미다졸리움 디시안아미드(1-ethyl-3-methylimidazolium dicyanamide), 1-부틸-3, 5-디메틸피리디늄 브로마이드(1-butyl-3, 5-dimethylpyridinium bromide), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(1-butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 하이드로젠 설페이트(1-butyl-3-methylimidazolium hydrogen sulfate), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 요오드(1-butyl-3-methylimidazolium iodide), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 메탄술포네이트(1-butyl-3-methylimidazolium methanesulfonate), 1-부틸-3-메틸-이미다졸리움 메틸 카보네이트(1-butyl-3-methyl-imidazolium methyl carbonate), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 메틸 설페이트(1-butyl-3-methylimidazolium methyl sulfate), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 나이트레이트(1-butyl-3-methylimidazolium nitrate), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 옥틸 설페이트(1-butyl-3-methylimidazolium octyl sulfate), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 테트라클로로알루미네이트(1-butyl-3-methylimidazolium tetrachloroaluminate), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 테트라플루오로보레이트(1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 테트라플루오로보레이트(1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 티오시아네이트(1-butyl-3-methylimidazolium thiocyanate), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 토실레이트(1-butyl-3-methylimidazolium tosylate), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 트리플루오로아세테이트(1-butyl-3-methylimidazolium trifluoroacetate), 1-부틸-3-메틸이미다졸리움 트리플루오로메탄술포네이트(1-butyl-3-methylimidazolium trifluoromethanesulfonate), 1-(3-시아노프로필)-3-메틸이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸술포닐)아미드(1-(3-cyanopropyl)-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)amide), 1-(3-시아노프로필)-3-메틸이미다졸리움 클로라이드(1-(3-cyanopropyl)-3-methylimidazolium chloride), 1-(3-시아노프로필)-3-메틸이미다졸리움 디시안아미드(1-(3-cyanopropyl)-3-methylimidazolium dicyanamide), 1-데실-3-메틸이미다졸리움 클로라이드(1-decyl-3-methylimidazolium chloride), 1-데실-3-메틸이미다졸리움 테트라플루오로보레이트(1-decyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate), 1,3-디에톡시이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드(1,3-diethoxyimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), 1,3-디에톡시이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(1,3-diethoxyimidazolium hexafluorophosphate), 1,3-디하이드록시이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드(1,3-dihydroxyimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), 1,3-디하이드록시-2-메틸이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드(1,3-dihydroxy-2-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), 1,3-디메톡시이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸­술포닐)이미드(1,3-dimethoxyimidazolium bis(trifluoromethyl­sulfonyl)imide), 1,3-디메톡시이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(1,3-dimethoxyimidazolium hexafluorophosphate), 1,3-디메톡시-2-메틸이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드(1,3-dimethoxy-2-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), 1,3-디메톡시-2-메틸이미다졸리움 헥사플루오로포스페이트(1,3-dimethoxy-2-methylimidazolium hexafluorophosphate), 1,3-디메틸이미다졸리움 디메틸 포스페이트(1,3-dimethylimidazolium dimethyl phosphate), 1,3-디메틸이미다졸리움 메탄술포네이트(1,3-dimethylimidazolium methanesulfonate), 1,3-디메틸이미다졸리움 메틸 설페이트(1,3-dimethylimidazolium methyl sulfate), 1,2-디메틸-3-프로필이미다졸리움 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드(1,2-dimethyl-3-propylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide), 1,2-디메틸-3-프로필이미다졸리움 트리스(트리플루오로메틸술포닐)메싸이드(1,2-dimethyl-3-propylimidazolium tris(trifluoromethylsulfonyl)methide), 1-도데실-3-메틸이미다졸리움 요오드선택되는,반도체 플라즈마 프로세싱 장치.