그래파인의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 일 함수를 하나 이상 조절하는 트랜지스터 document_id 1020140061222

[청구항 1] 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서, 그래파인(graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를 갖는 입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터 [청구항 2] 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서, a. 그래파인(graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 piezo(피에조) 물질, 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, b. 하나 이상의 쇼키장벽(schottky barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터 [청구항 3] 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서, 그래파인(graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터 [청구항 4] 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서, a. 그래파인(graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것을 그래파인(graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자, 전하를갖는입자 또는 전하를 띠는 입자, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 그래파인(graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, b. 하나 이상의 쇼키장벽(schottky barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터 [청구항 5] 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서, 그래파인(graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 자성입자를 그래파인(graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자가 하나 이상의 그래파인(graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터 [청구항 6] 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서, a. 그래파인(graphyne)의 굴곡지는 특성을 이용하여 하나 이상의 자성입자를 그래파인(graphyne)의 하단부에 하나 이상 구비하여 교차되는 장벽조정회로의 정전기적 준위로 인하여 하나 이상의 자성입자가 하나 이상의 그래파인(graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, b. 하나 이상의 쇼키장벽(schottky barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터 [청구항 7] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상의 그래파인(graphyne)은상기 하나 이상의 그래파인(graphyne)의 상단부에 하나 이상의 접착층, 액체고분자층, 엘라스토머층, 부도체층, 절연층, 진공층, air층(에어층), 중 하나 이상 선택되는 층; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 8] 청구항 2항 또는 청구항 4항 또는 청구항 6항에 있어서,상기 하나 이상의 쇼키장벽(schottky barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것은하나 이상의 그래파인(graphyne)과 하나 이상의 실리콘이 하나 이상의 쇼키장벽(schottky barrier)의 높이, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 구성하고, 하나 이상의 쇼키장벽(schottky barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 9] 청구항 2항 또는 청구항 4항 또는 청구항 6항에 있어서,상기 하나 이상의 쇼키장벽(schottky barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것은하나 이상의 그래파인(graphyne)과 하나 이상의 실리콘, 반도체, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 쇼키장벽(schottky barrier)의 높이, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이, 중 하나 이상 선택되는 것을 구성하고, 하나 이상의 쇼키장벽(schottky barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 10] 청구항 1항 또는 청구항 3항 또는 청구항 5항에 있어서,상기 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은하나 이상의 그래파인(graphyne)과 하나 이상의 반도체, 금속, 실리콘, 도체, 전도성 물질, 중 하나 이상 선택되는 것이 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 구성하고, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 11] 청구항 2항 또는 청구항 4항 또는 청구항 6항에 있어서,상기 하나 이상의 쇼키장벽(schottky barrier)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것으로 설명되는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 12] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은, 하나의 층, 다층상태, 중 선택되는 층의 상태로하나 이상의 영률(young's modulus)로서 하나 이상 구비되는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 13] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상의 그래파인(graphyne)은상기 하나 이상의 그래파인(graphyne)의 상단부에 하나 이상의 낮은 영률(young's modulus)을 구비하는 층, 낮은 영률(young's modulus)을 구비하는 전도성 물질층, 중 선택되는 층; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 14] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상의 그래파인(graphyne)은상기 하나 이상의 그래파인(graphyne)의 하단부에 접착층, 엘라스토머, 반데르발스 힘, 낮은 영률(young's modulus)을 구비하는 층, 중 하나 이상 선택되는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 15] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상의 자성입자는, b. 하나 이상의 magnet(자석), 나노 magnet(자석) 입자, 나노 magnet(자석) 성질을 구비하는 합성물질, magnet(자석) 성질을 구비하는 합성물질, 중 하나 이상 선택되는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 16] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은, b. 하나 이상의 그래파인(graphyne)과 접촉각(contect angle)을 하나 이상 구비하면서, work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, 상기 하나 이상의 접촉각(contect angle)은 하나 이상의 규칙적인 형태의 점접촉, 불규칙적인 형태의 점접촉, 규칙적인 형태의 선접촉, 불규칙적인 형태의 선접촉, 규칙적인 형태의 면접촉, 불규칙적인 형태의 면접촉, 규칙적인 형태의 접촉, 불규칙적인 형태의 접촉, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 17] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은, b. 하나 이상의 그래파인(graphyne)과 접촉각(contect angle)을 하나 이상 구비하면서, work function(일함수)을 하나 이상 조절하되,c. 상기 하나 이상의 접촉각(contect angle)은 하나 이상의 자성입자가 하나 이상의 점 접촉, 면 접촉, 둥근면접촉, 규칙적인 형태의 점접촉, 불규칙적인 형태의 점접촉, 규칙적인 형태의 선접촉, 불규칙적인 형태의 선접촉, 규칙적인 형태의 면접촉, 불규칙적인 형태의 면접촉, 규칙적인 형태의 접촉, 불규칙적인 형태의 접촉, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상의 그래파인(graphyne)을 하나 이상 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 18] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은, b. 하나 이상의 그래파인(graphyne)과 접촉각(contect angle)을 하나 이상 구비하면서, work function(일함수)을 하나 이상 조절하되, c. 상기 하나 이상의 접촉각(contect angle)은 하나 이상의 규칙적인 형태의 점접촉, 불규칙적인 형태의 점접촉, 규칙적인 형태의 선접촉, 불규칙적인 형태의 선접촉, 규칙적인 형태의 면접촉, 불규칙적인 형태의 면접촉, 규칙적인 형태의 접촉, 불규칙적인 형태의 접촉, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되, 연속체 역학이 구비되어 설명되는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 19] 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터에 있어서, 하나 이상의 그래파인(graphyne)을 상부에 교차되어 지나가는 장벽조정용인 교차회로의 정전기적인 준위로 인하여, 하나 이상 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것을 일으켜 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것이 가해진 그래파인(graphyne)이 하나 이상의 쇼키장벽(schottky barrier)의 높이를 하나 이상 조절, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터; 를 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터 [청구항 20] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,변형은 하나의 층, 다층상태, 중 선택되는 층의 상태로a. beam(빔)의 굽힘변형b. plate(플레이트)의 굽힘변형c. 하나 이상의 층의 굽힘변형d. quasistatic bending of beams(빔 quasistatic(준정적) 굽힘)e. quasistatic bending of plates(판 quasistatic(준정적) 굽힘)f. kirchhoff-love theory of plates(플레이트의 키르히 호프 - 사랑 이론)g. mindlin-reissner theory of plates(판 mindlin-reissner(민드린-레이스너) 이론)h. dynamic bending of plates(동적 판 굽힘)i. dynamics of thin kirchhoff plates(얇은 키르히 호프 판의 역학)j. 곡률,로 구성되는 a 내지 j 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 21] 청구항 19항에 있어서,변형은 하나의 층, 다층상태, 중 선택되는 층의 상태로a. beam(빔)의 굽힘변형b. plate(플레이트)의 굽힘변형c. 하나 이상의 층의 굽힘변형d. quasistatic bending of beams(빔 quasistatic(준정적) 굽힘)e. quasistatic bending of plates(판 quasistatic(준정적) 굽힘)f. kirchhoff-love theory of plates(플레이트의 키르히 호프 - 사랑 이론)g. mindlin-reissner theory of plates(판 mindlin-reissner(민드린-레이스너) 이론)h. dynamic bending of plates(동적 판 굽힘)i. dynamics of thin kirchhoff plates(얇은 키르히 호프 판의 역학)j. 곡률,로 구성되는 a 내지 j 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 22] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 대기 전력 문제를 해결하는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 23] 청구항 19항에 있어서,상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것은,하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것으로 대기 전력 문제를 해결하는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 24] 청구항 19 항에 있어서,상기 하나 이상의 그래파인(graphyne)은상기 하나 이상의 그래파인(graphyne)의 상단부에 하나 이상의 진공층, air층(에어층), 중 선택되는 층; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 25] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은a. 매개 변수 를 조절,b. 페르미 레벨보다 높은 곳에 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 공급해주면 페르미 레벨은 올라간다,c. 페르미레벨보다 높은 곳에 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 제공한다,d. 그래파인(graphyne)을 공간적인 왜곡시키되 전자를 동시에 제공한다,e. 그래파인(graphyne)을 공간적으로 왜곡시키되 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 제공한다,, 로 구성되는 상기 a 내지 e 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 26] 청구항 19항에 있어서,상기fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은a. 매개 변수 를 조절,b. 페르미 레벨보다 높은 곳에 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 공급해주면 페르미 레벨은 올라간다,c. 페르미레벨보다 높은 곳에 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 제공한다,d. 그래파인(graphyne)을 공간적인 왜곡시키되 전자를 동시에 제공한다,e. 그래파인(graphyne)을 공간적으로 왜곡시키되 state(모양 또는 형세)와 전자를 동시에 제공한다,, 로 구성되는 상기 a 내지 e 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 27] 청구항 19항에 있어서,상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은, 하나 이상의 영률(young's modulus)로서 하나 이상 구비되는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 28] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,a. 하나 이상 물리적으로 접촉하지 않고 하나 이상의 그래파인(graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성, b. 하나 이상의 그래파인(graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,c. 그래파인(graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 간격조정하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,d. 그래파인(graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 가깝게, 인접하게 위치시키는, 근접하게, 충분히 가깝게, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,e. 그래파인(graphyne)이 표면 거칠기(surface roughness)를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,f. 그래파인(graphyne)이 표면 구조(surface texture)를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,g. 그래파인(graphyne)이 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,, 로 구성되는 상기 a 내지 g 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 29] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하나 이상굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은,a. 하나 이상 물리적으로 접촉하지 않고 하나 이상의 그래파인(graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성, b. 하나 이상 물리적으로 접촉하고, 하나 이상의 그래파인(graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성, c. 하나 이상의 그래파인(graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,d. 그래파인(graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 간격조정하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,e. 그래파인(graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 가깝게, 붙으며, 인접하게 위치시키는, 근접하게, 충분히 가깝게, 밀접하게 붙는, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,f. 그래파인(graphyne)이 표면 거칠기(surface roughness)를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,g. 그래파인(graphyne)이 표면 구조(surface texture)를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,h. 그래파인(graphyne)이 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,, 로 구성되는 상기 a 내지 h 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 30] 청구항 19 항에 있어서,상기 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동 중 하나 이상 선택되는 것은,a. 하나 이상 물리적으로 접촉하지 않고 하나 이상의 그래파인(graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성, b. 하나 이상 물리적으로 접촉하고, 하나 이상의 그래파인(graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성, c. 하나 이상의 그래파인(graphyne)(제 1 전극) 및 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,d. 그래파인(graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 간격조정하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,e. 그래파인(graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상 가깝게, 붙으며, 인접하게 위치시키는, 근접하게, 충분히 가깝게, 밀접하게 붙는, 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,f. 그래파인(graphyne)이 표면 구조(surface texture)를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,g. 그래파인(graphyne)이 평균 표면 위치에서 편차를 하나 이상 구비하되, 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이조절로 하나 이상 구비되는 구성,, 로 구성되는 상기 a 내지 g 중 하나 이상 선택되는 것을 하나 이상 구비하는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 31] 청구항 1항 또는 청구항 3항 또는 청구항 5항에 있어서,상기 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,a. 그래파인(graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 데 있어서, discrete charging effects in small systems(작은 시스템에서 개별 충전 효과)로서 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 32] 청구항 2항 또는 청구항 4항 또는 청구항 6항에 있어서,상기 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,a. 그래파인(graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 데 있어서, discrete charging effects in small systems(작은 시스템에서 개별 충전 효과)로서 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 33] 청구항 1항 또는 청구항 3항 또는 청구항 5항에 있어서,상기 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,a. 그래파인(graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 쿨롱 봉쇄(coulomb blockade)의 형태로서 설명되며, 전기적으로 하나 이상 접촉되는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 34] 청구항 2항 또는 청구항 4항 또는 청구항 6항에 있어서,상기 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,a. 그래파인(graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 쿨롱 봉쇄(coulomb blockade)의 형태로서 설명되며, 전기적으로 하나 이상 접촉되는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 35] 청구항 19항에 있어서,상기 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,a. 그래파인(graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 데 있어서, discrete charging effects in small systems(작은 시스템에서 개별 충전 효과)로서 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 36] 청구항 1항 또는 청구항 3항 또는 청구항 5항에 있어서,상기 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,a. 그래파인(graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 single electron transistor(단일 전자 트랜지스터)의 형태로서 설명되며, 전기적으로 하나 이상 접촉되는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 37] 청구항 2항 또는 청구항 4항 또는 청구항 6항에 있어서,상기 하나 이상의 fermi level(페르미레벨)의 높이를 하나 이상 조절하는 것은,a. 그래파인(graphyne)(제 1 전극)을 전도성 물질(제 2 전극)과 하나 이상의 single electron transistor(단일 전자 트랜지스터)의 형태로서 설명되며, 전기적으로 하나 이상 접촉되는 구성을 하나 이상 구비하는 것; 을구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 38] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,변형은 하나의 층, 다층상태, 중 선택되는 층의 상태로a. 점, 리본, 나노리본, 띠, 파형, 언덕(hill), 작은 면, 작은 선, 면, 선, 중 하나 이상 선택되는 형태를 하나 이상 구비하는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 39] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,변형은 하나의 층, 다층상태, 중 선택되는 층의 상태로a. 사인파, 가우시안(gaussian)파, 로렌츠형(lorentzian)파, 주기적인파, 비주기적인파, 중 하나 이상 선택되는 파 형태를 하나 이상 구비하는 것; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 40] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은상기 그래파인(graphyne)이 그래파인(graphyne), 패터닝된 그래파인(graphyne), 패터닝된 그래파인(graphyne)의 양자점, 중 선택되는 것이며,상기 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것의 변형의 가장 상위부분의 끝부분이 양자점(quantum dot)으로 이해되어 지는 단계; 를구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 41] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것은상기 그래파인(graphyne)이 그래파인(graphyne) 상부에 초박막, 증착막, 초박막이나 증착막이 구비된 후 패터닝된 초박막이나 증착막의 양자점, 패터닝된 그래파인(graphyne), 패터닝된 그래파인(graphyne)의 양자점, 중 선택되는 것을 구비한 그래파인(graphyne)인 것이며,상기 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것의 변형의 가장 상위부분의 끝부분이 양자점(quantum dot)으로 이해되어 지는 단계; 를구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 42] 청구항 1항 내지 청구항 6항 중 어느 한 항에 있어서,파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 cpu, 메모리, 반도체 집적회로, 마이크로프로세서, 베터리가 구비되는 전자장치, 전자부품, 전자장치, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되는 것; 를 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터. [청구항 43] 청구항 1항 내지 청구항 41항 중 어느 한 항에 있어서,파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상 조절하는 트랜지스터는 cpu, 메모리, 반도체 집적회로, 마이크로프로세서, 베터리가 구비되는 전자장치, 전자부품, 전자장치, 로 구성되는 것 중 하나 이상 선택되는 것에 하나 이상 1차원적, 2차원적, 3차원적, 중 하나 이상 선택되는 것으로 하나 이상 구비되는 것; 를 구비하는 것을 특징으로 하는 그래파인(graphyne)의 하나 이상의 굽힘변형, 위치이동, 중 하나 이상 선택되는 것을 구비하여 work function(일함수)을 하나 이상조절하는트랜지스터.