가공 특허 1020140103863

출원번호: 1020140103863
분류: 전기(H섹션)

문맥 (context)

[청구항 1] 기판 상에 제1 방향으로 연장되어 형성된 핀 상기 핀 상에 상기 제1 방향으로 분리되어 형성된 희생막 상기 희생막 상에 상기 제1 방향으로 연장되어 형성된 액티브층 상기 액티브층 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 형성된 게이트 구조물; 및 상기 게이트 구조물의 하부에 배치되고 상기 분리된 희생막 사이에 배치되는 산화막을 포함하는 반도체 장치 [청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 게이트 전극의 적어도 일측에 배치되는 스페이서; 및상기 스페이서의 일측에 배치되는 소오스 또는 드레인을 더 포함하고,상기 희생막은 상기 소오스 또는 드레인 하부에 배치되고 상기 게이트 구조물 하부에는 미배치되는반도체 장치. [청구항 3] 제 2항에 있어서,상기 소오스 또는 드레인은 상기 액티브층의 상면 및 측면형성되는반도체 장치. [청구항 4] 제 1항에 있어서,상기 희생막은 반도체 물질포함하는반도체 장치. [청구항 5] 제 4항에 있어서,상기 반도체 물질은인반도체 장치. [청구항 6] 제 1항에 있어서,상기 게이트 구조물은 게이트 절연막, 일함수 조절막, 및 메탈 게이트 전극포함하는반도체 장치. [청구항 7] 제 6항에 있어서,상기 게이트 절연막은 상기 메탈 게이트 전극의 측면을 따라연장되어형성되는반도체 장치. [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 액티브층과 상기 핀은 동일한 물질포함하는반도체 장치. [청구항 9] 제 1항에 있어서,상기 기판은, 제1 영역과 제2 영역을 포함하고,상기 희생막은, 상기 제1 영역에 형성된 제1 희생막과, 상기 제2 영역에 형성되고 상기 제1 희생막과 다른 물질을 포함하는 제2 희생막을 포함하고,상기 액티브층은, 상기 제1 희생막 상에 형성된 제1 액티브층과, 상기 제2 희생막 상에 형성된 제2 액티브층을 포함하고,상기 게이트 구조물은, 상기 제1 액티브층 상에 형성된 제1 게이트 구조물과 상기 제2 액티브층 상에 형성된 제2 게이트 구조물포함하는반도체 장치. [청구항 10] 제 9항에 있어서,상기 제1 희생막은 반도체 물질을 포함하고,상기 제2 희생막은 산화막포함하는반도체 장치. [청구항 11] 제 10항에 있어서,상기 제2 희생막은, 상기 제2 액티브층 하부에상기제1방향연장되어형성되는반도체 장치. [청구항 12] 제 1항에 있어서,상기 기판은, 제1 영역과 제2 영역을 포함하고,상기 희생막은, 상기 제1 영역에 형성된 제1 희생막과, 상기 제2 영역에 형성된 제2 희생막을 포함하고,상기 액티브층은, 상기 제1 희생막 상에 형성된 제1 액티브층과, 상기 제2 희생막 상에 형성된 제2 액티브층을 포함하고,상기 게이트 구조물은, 상기 제1 액티브층 상에 형성된 제1 게이트 구조물과 상기 제2 액티브층 상에 형성된 제2 게이트 구조물을 포함하고,상기 산화막은, 상기 제1 액티브층의 하부에 형성되고 상기 제2 액티브층 하부에는 미형성되는반도체 장치. [청구항 13] 제 5항에 있어서,상기 기판은, 제1 영역과 제2 영역을 포함하고,상기 희생막은, 상기 제1 영역에 형성된 제1 희생막과, 상기 제2 영역에 형성된 제2 희생막을 포함하고,상기 액티브층은, 상기 제1 희생막 상에 형성된 제1 액티브층과, 상기 제2 희생막 상에 형성된 제2 액티브층을 포함하되,상기 제1 희생막에 포함된 제1 게르마늄(ge) 의 농도와 상기 제2 희생막포함된제2 게르마늄(ge) 의 농도는 서로 다른 반도체 장치. [청구항 14] 제 13항에 있어서,상기 제1 액티브층을 감싸도록 형성된 제1 소오스 또는 드레인과, 상기 제2 액티브층을 감싸도록 형성된 제2 소오스 또는 드레인을 더 포함하고,상기 제1 소오스 또는 드레인에 포함된 제1 불순물의 도전형과 상기 제2 소오스 또는 드레포함된제2 불순물의 도전형은 서로 다른 반도체 장치. [청구항 15] 제 1항에 있어서,상기 기판은, 제1 영역과 제2 영역을 포함하고,상기 희생막은, 상기 제1 영역에 형성된 제1 희생막과, 상기 제2 영역에 형성된 제2 희생막을 포함하고,상기 액티브층은, 상기 제1 희생막 상에 형성된 제1 액티브층과, 상기 제2 희생막 상에 형성된 제2 액티브층을 포함하되,상기 제1 희생막을 구성하는 반도체 물질은 상기 제2 희생막구성하는반도체 물질과 다른 반도체 장치. [청구항 16] 기판으로부터 돌출된 형상으로 형성되고, 제1 방향으로 연장되어 형성된 핀 상기 핀 상에 상기 제1 방향으로 분리되어 형성되고 sige을 포함하는 제1 에피층 상기 제1 방향으로 분리되어 형성된 제1 에피층 사이에 배치된 산화막 상기 제1 에피층과 산화막 상에 상기 제1 방향으로 연장되어 형성된 제2 에피층 상기 제2 에피층 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 형성되고, 상기 산화막의 측면, 상기 제2 에피층의 측면과 상면을 덮는 게이트 구조물; 및 상기 게이트 구조물의 양 측에 형성되고, 상기 제2 에피층의 측면과 상면을 덮는 제3 에피층을 포함하는 반도체 장치

지시문 (instruction)

주어진 특허 청구항을 읽고 구성요소 사이의 연결 및 상호작용을 분석하여 질문에 답하라. 요구되는 정보를 명확한 구조로 정리하라.

질문 (question)

청구항 1항 및 청구항 9항의 내용을 바탕으로, 기판 내 제1 영역과 제2 영역에 형성된 각각의 희생막, 액티브층, 게이트 구조물의 구성 관계를 설명하는가?

추론 과정 (compact_reasoning)

1과제 해석task_interpretation

청구항 1항과 9항을 결합하여 기판 내 제1 영역과 제2 영역에 각각 형성된 희생막, 액티브층, 게이트 구조물의 구성 관계를 파악해야 한다.
2정보 추출information_extraction

청구항 1항에서 희생막 상에 액티브층이 형성되고, 액티브층 상에 게이트 구조물이 형성됨을 확인한다. 청구항 9항에서 제1 영역에는 제1 희생막, 제1 액티브층, 제1 게이트 구조물이 있고, 제2 영역에는 제2 희생막, 제2 액티브층, 제2 게이트 구조물이 있음을 확인한다.
- 상기 희생막 상에 상기 제1 방향으로 연장되어 형성된 액티브층; 상기 액티브층 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 형성된 게이트 구조물; 상기 제1 영역에 형성된 제1 희생막과, 상기 제2 영역에 형성되고 상기 제1 희생막과 다른 물질을 포함하는 제2 희생막을 포함하고, 상기 액티브층은, 상기 제1 희생막 상에 형성된 제1 액티브층과, 상기 제2 희생막 상에 형성된 제2 액티브층을 포함하고, 상기 게이트 구조물은, 상기 제1 액티브층 상에 형성된 제1 게이트 구조물과 상기 제2 액티브층 상에 형성된 제2 게이트 구조물 포함하는
3근거 선택evidence_selection

청구항 1항의 적층 구조와 청구항 9항의 영역별 구성 요소를 직접적으로 나타내는 구절을 선택한다.
- ['상기 희생막 상에 상기 제1 방향으로 연장되어 형성된 액티브층', '상기 액티브층 상에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되어 형성된 게이트 구조물', '상기 제1 영역에 형성된 제1 희생막', '상기 제2 영역에 형성되고 상기 제1 희생막과 다른 물질을 포함하는 제2 희생막', '상기 제1 희생막 상에 형성된 제1 액티브층', '상기 제2 희생막 상에 형성된 제2 액티브층', '상기 제1 액티브층 상에 형성된 제1 게이트 구조물', '상기 제2 액티브층 상에 형성된 제2 게이트 구조물']
4논리 통합logical_integration

청구항 1항의 수직적 적층 관계(희생막 $\rightarrow$ 액티브층 $\rightarrow$ 게이트 구조물)를 청구항 9항의 영역별 구성에 적용하여 통합한다.
5결론 도출conclusion_formulation

제1 영역은 제1 희생막, 제1 액티브층, 제1 게이트 구조물이 수직으로 적층된 구조이며, 제2 영역은 제2 희생막, 제2 액티브층, 제2 게이트 구조물이 수직으로 적층된 구조임을 도출한다.
6답변 생성answer_generation

질문에 따라 제1 영역과 제2 영역의 구성 관계를 구조화하여 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)

기판 내 제1 영역과 제2 영역의 구성 관계는 다음과 같다. 1. 제1 영역: 제1 희생막 상에 제1 액티브층이 형성되고, 상기 제1 액티브층 상에 제1 게이트 구조물이 형성된 적층 구조를 가진다. 2. 제2 영역: 제2 희생막 상에 제2 액티브층이 형성되고, 상기 제2 액티브층 상에 제2 게이트 구조물이 형성된 적층 구조를 가진다.

핵심 해석 (core_interpretation)

본 발명은 기판을 제1 영역과 제2 영역으로 구분하여, 각 영역에 서로 다른 물질을 포함하는 희생막, 액티브층 및 게이트 구조물을 수직 적층 구조로 배치하는 기술에 관한 것이다.