문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 배리어층은 면심입방격자 구조를 갖는 제1물질과 섬유아연석형 구조를 갖는 제2물질혼재된전자 장치.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 배리어층은 상기 제1물질과 제2물질의 합금형성하는전자 장치.
[청구항 4]
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제1물질은 hfn, tin, mon, zrn 및 mgo 등으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나포함하는전자 장치.
[청구항 5]
제2항 또는 제3항에 있어서,상기 제2물질은 aln, agi, zno, cds, cdse, a-sic, gan 및 bn 등으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나포함하는전자 장치.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 제1금속층은 hcp구조 또는 nacl의 결정구조갖는전자 장치.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 제2금속층은 경금속을 포함된 금속질화물층포함하는전자 장치.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 제1금속층은 상기 제2금속층 아래위치하는전자 장치.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 제1금속층은 hf, zr, mg, ru 및 os 등으로 이루어진 hcp 구조를 갖는 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 금속층포함하는전자 장치.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 제1금속층은 지르코늄질화물(zrn), 하프늄질화물(hfn) 및 티타늄질화물(tin) 등으로 이루어진 nacl 결정구조를 갖는 그룹 중에서 선택된 어느 하나의 금속층포함하는전자 장치.
[청구항 11]
제1항에 있어서,상기 제2금속층은 알루미늄 및 티타늄포함하는전자 장치.
[청구항 12]
제1 항에 있어서,상기 전자 장치는, 마이크로프로세서를 더 포함하고,상기 마이크로프로세서는,상기 마이크로프로세서 외부로부터의 명령을 포함하는 신호를 수신하고, 상기 명령의 추출이나 해독 또는 상기 마이크로프로세서의 신호의 입출력 제어를 수행하는 제어부;상기 제어부가 명령을 해독한 결과에 따라서 연산을 수행하는 연산부; 및상기 연산을 수행하는 데이터, 상기 연산을 수행한 결과에 대응하는 데이터 또는 상기 연산을 수행하는 데이터의 주소를 저장하는 기억부를 포함하고,상기 반도체 메모리는, 상기 마이크로프로세서 내에서 상기 기억부의일부인전자 장치.
[청구항 13]
제1 항에 있어서,상기 전자 장치는, 프로세서를 더 포함하고,상기 프로세서는,상기 프로세서의 외부로부터 입력된 명령에 따라 데이터를 이용하여 상기 명령에 대응하는 연산을 수행하는 코어부;상기 연산을 수행하는 데이터, 상기 연산을 수행한 결과에 대응하는 데이터 또는 상기 연산을 수행하는 데이터의 주소를 저장하는 캐시 메모리부; 및상기 코어부와 상기 캐시 메모리부 사이에 연결되고, 상기 코어부와 상기 캐시 메모리부 사이에 데이터를 전송하는 버스 인터페이스를 포함하고,상기 반도체 메모리는, 상기 프로세서 내에서 상기 캐시 메모리부의일부인전자 장치.
[청구항 14]
제1 항에 있어서,상기 전자 장치는, 프로세싱 시스템을 더 포함하고,상기 프로세싱 시스템은,수신된 명령을 해석하고 상기 명령을 해석한 결과에 따라 정보의 연산을 제어하는 프로세서;상기 명령을 해석하기 위한 프로그램 및 상기 정보를 저장하기 위한 보조기억장치;상기 프로그램을 실행할 때 상기 프로세서가 상기 프로그램 및 상기 정보를 이용해 상기 연산을 수행할 수 있도록 상기 보조기억장치로부터 상기 프로그램 및 상기 정보를 이동시켜 저장하는 주기억장치; 및상기 프로세서, 상기 보조기억장치 및 상기 주기억장치 중 하나 이상과 외부와의 통신을 수행하기 위한 인터페이스 장치를 포함하고,상기 반도체 메모리는, 상기 프로세싱 시스템 내에서 상기 보조기억장치 또는 상기 주기억장치의일부인전자 장치.
[청구항 15]
제1 항에 있어서,상기 전자 장치는, 데이터 저장 시스템을 더 포함하고,상기 데이터 저장 시스템은,데이터를 저장하며 공급되는 전원에 관계없이 저장된 데이터가 유지되는 저장 장치;외부로부터 입력된 명령에 따라 상기 저장 장치의 데이터 입출력을 제어하는 컨트롤러; 상기 저장 장치와 외부 사이에 교환되는 데이터를 임시로 저장하는 임시 저장 장치; 및상기 저장 장치, 상기 컨트롤러 및 상기 임시 저장 장치 중 하나 이상과 외부와의 통신을 수행하기 위한 인터페이스를 포함하고,상기 반도체 메모리는, 상기 데이터 저장 시스템 내에서 상기 저장 장치 또는 상기 임시 저장 장치일부인전자 장치.
[청구항 16]
제1 항에 있어서,상기 전자 장치는, 메모리 시스템을 더 포함하고,상기 메모리 시스템은, 데이터를 저장하며 공급되는 전원에 관계없이 저장된 데이터가 유지되는 메모리;외부로부터 입력된 명령에 따라 상기 메모리의 데이터 입출력을 제어하는 메모리 컨트롤러;상기 메모리와 외부 사이에 교환되는 데이터를 버퍼링하기 위한 버퍼 메모리; 및상기 메모리, 상기 메모리 컨트롤러 및 상기 버퍼 메모리 중 하나 이상과 외부와의 통신을 수행하기 위한 인터페이스를 포함하고,상기 반도체 메모리는, 상기 메모리 시스템 내에서 상기 메모리 또는 상기 버퍼 메모리의일부인전자 장치.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하시오. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하시오.
질문 (question)
배리어층이 면심입방격자 구조를 갖는 제1물질과 섬유아연석형 구조를 갖는 제2물질로 구성될 때, 제1물질과 제2물질이 합금을 형성하는 형태의 전자 장치는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation배리어층이 면심입방격자 구조의 제1물질과 섬유아연석형 구조의 제2물질로 구성되면서, 두 물질이 합금을 형성하는 형태의 전자 장치를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 배리어층이 면심입방격자 구조의 제1물질과 섬유아연석형 구조의 제2물질이 혼재된 전자 장치임을 확인하고, 청구항 3에서 이들이 합금을 형성함을 확인한다.
- 상기 배리어층은 면심입방격자 구조를 갖는 제1물질과 섬유아연석형 구조를 갖는 제2물질혼재된전자 장치, 상기 배리어층은 상기 제1물질과 제2물질의 합금형성하는전자 장치
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3근거 선택
evidence_selection질문의 조건인 '제1물질(면심입방격자) + 제2물질(섬유아연석형) + 합금 형성'을 모두 만족하는 구절을 선택한다.
- 상기 배리어층은 상기 제1물질과 제2물질의 합금형성하는전자 장치
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4논리 통합
logical_integration청구항 2의 구성 요소(제1물질, 제2물질의 혼재)를 전제로 하여, 청구항 3에서 해당 물질들이 합금을 형성하는 형태의 전자 장치를 명시하고 있다.
- 상기 배리어층은 상기 제1물질과 제2물질의 합금형성하는전자 장치
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 조건에 부합하는 대상은 청구항 3에 기술된 전자 장치이다.
- 상기 배리어층은 상기 제1물질과 제2물질의 합금형성하는전자 장치
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6답변 생성
answer_generation추출된 문구를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 배리어층은 상기 제1물질과 제2물질의 합금형성하는전자 장치
최종 답변 (final_answer)
상기 배리어층은 상기 제1물질과 제2물질의 합금형성하는전자 장치
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 면심입방격자 구조의 제1물질과 섬유아연석형 구조의 제2물질이 합금을 형성하여 구성된 배리어층을 포함하는 전자 장치에 관한 기술이다.