문맥 (context)
[청구항 21]
메모리셀영역과 주변회로영역을 포함하는 기판
상기 메모리셀영역의 기판 내에 형성된 매립워드라인을 포함하는 매립게이트형트랜지스터
상기 매립게이트형트랜지스터의 소스 및 드레인 중 어느 하나에 전기적으로 연결된 제1플러그 및 상기 제1플러그 상의 비트라인을 포함하는 비트라인구조물
상기 주변회로영역의 기판 상에 형성된 플라나게이트구조물
상기 플라나게이트구조물의 측벽에 위치하는 제1에어갭을 포함하는 게이트에어스페이서
상기 매립게이트형트랜지스터의 소스 및 드레인 중 다른 하나에 전기적으로 연결되고, 상기 제1플러그에 이웃하는 제1부분과 상기 비트라인에 이웃하는 제2부분을 포함하는 제2플러그; 및
상기 비트라인구조물과 제2플러그 사이에 위치하는 제2에어갭을 포함하는 비트라인에어스페이서
를 포함하는 반도체장치
[청구항 22]
제21항에 있어서,상기 제1에어갭을 캡핑하는 제1캡핑층 및 상기 제1캡핑층을 커버링하는 캡핑강화층더 포함하는반도체장치.
[청구항 23]
제21항에 있어서,상기 제2에어갭은,상기 비트라인의 측벽에 평행하는 라인형 에어갭과 상기 라인형에어갭으로부터 연속되어 상기 제1플러그의 측벽에 위치하는 플러그형 에어갭포함하는반도체장치.
[청구항 24]
제23항에 있어서,상기 라인형 에어갭을 캡핑하는 제2캡핑층더 포함하는반도체장치.
[청구항 25]
제21항에 있어서,상기 제2플러그 상의 오믹콘택층;상기 오믹콘택층 상의 제3플러그; 및상기 제3플러그 상의 메모리요소더 포함하는반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 21항의 반도체장치에서 비트라인에어스페이서에 포함된 제2에어갭의 구체적인 형태와 구성은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 21항의 반도체장치 내 비트라인에어스페이서에 포함된 제2에어갭의 구체적인 형태와 구성을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 21항은 제2에어갭의 위치를 정의하고 있으며, 제2에어갭의 구체적인 형태는 종속항인 청구항 23항에 기술되어 있다.
- 상기 비트라인구조물과 제2플러그 사이에 위치하는 제2에어갭을 포함하는 비트라인에어스페이서
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3근거 선택
evidence_selection제2에어갭의 형태를 명시한 청구항 23항의 내용을 근거로 선택한다.
- 상기 제2에어갭은,상기 비트라인의 측벽에 평행하는 라인형 에어갭과 상기 라인형에어갭으로부터 연속되어 상기 제1플러그의 측벽에 위치하는 플러그형 에어갭포함하는반도체장치
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4논리 통합
logical_integration제2에어갭은 비트라인 측벽에 평행한 '라인형 에어갭'과, 이로부터 연속되어 제1플러그 측벽에 위치하는 '플러그형 에어갭'의 결합 구조로 구성된다.
- 상기 제2에어갭은,상기 비트라인의 측벽에 평행하는 라인형 에어갭과 상기 라인형에어갭으로부터 연속되어 상기 제1플러그의 측벽에 위치하는 플러그형 에어갭포함하는반도체장치
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5결론 도출
conclusion_formulation제2에어갭은 라인형 에어갭과 플러그형 에어갭으로 구성된 형태임을 도출한다.
- 상기 제2에어갭은,상기 비트라인의 측벽에 평행하는 라인형 에어갭과 상기 라인형에어갭으로부터 연속되어 상기 제1플러그의 측벽에 위치하는 플러그형 에어갭포함하는반도체장치
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6답변 생성
answer_generation질문에 따라 제2에어갭의 구체적인 형태와 구성을 리스트 형식으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
- 비트라인의 측벽에 평행하는 라인형 에어갭
- 상기 라인형 에어갭으로부터 연속되어 상기 제1플러그의 측벽에 위치하는 플러그형 에어갭
핵심 해석 (core_interpretation)
비트라인에어스페이서 내의 제2에어갭은 비트라인 측벽에 평행한 라인형 구조와 제1플러그 측벽에 위치하는 플러그형 구조가 연속적으로 결합된 형태를 가진다.