가공 특허 1020140185781

출원번호: 1020140185781
분류: 전기(H섹션)

문맥 (context)

[청구항 1] 기판의 절연막 상에, 제1 방향으로 연장되는 복수의 제1 도전 라인들 상기 제1 도전 라인들 상부에 배치되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 각각 연장되는 복수의 제2 도전 라인들 상기 제1 도전 라인들 및 상기 제2 도전 라인들의 교차부들에 각각 배치되고, 상기 제2 방향으로 연장되면서, 동일 평면상에 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되는 제1 가변 저항 패턴, 제1 희생막 패턴 및 제2 가변 저항 패턴을 포함하는 제1 가변 저항 구조물을 포함하는 제1 메모리 셀들 상기 제2 도전 라인들 상부에 배치되며, 상기 제1 방향으로 연장되는 복수의 제3 도전 라인들; 및 상기 제2 도전 라인들 및 상기 제3 도전 라인들의 교차부들에 각각 배치되고, 상기 제2 방향으로 연장되면서 동일 평면상에 상기 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되는 제3 가변 저항 패턴, 제2 희생막 패턴 및 제4 가변 저항 패턴을 포함하는 제2 가변 저항 구조물을 포함하는 제2 메모리 셀들을 포함하는 가변 저항 메모리 소자 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1 메모리 셀은 상기 제1 도전 라인 상에 순차적으로 적층된 제1 하부 전극, 제1 선택 소자, 제1 가변 저항 구조물 및 제1 상부 전극을 포함하고, 상기 제2 메모리 셀은 상기 제2 도전 라인 상에 순차적으로 적층된 제2 하부 전극, 제2 선택 소자, 제2 가변 저항 구조물 및 제2 상부 전극포함하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 3] 제1 항에 있어서,상기제1 및 제2 메모리 셀들은 제1 내지 제4 면을 갖는 필러 형상갖는가변 저항 메모리 소자. [청구항 4] 제1 항에 있어서,상기 제1 내지 제4 가변 저항 패턴은 실질적으로 동일한 가변 저항 물질포함하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 5] 제1 항에 있어서,상기 제1 내지 제4 가변 저항 패턴은 실질적으로 동일한 전이 금속 산화물포함하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 6] 제5 항에 있어서,상기 제1 내지 제4 가변 저항 패턴은 티타늄 산화물(tiox), 지르코늄 산화물(zrox), 알루미늄 산화물(alox), 하프늄 산화물(hfox), 탄탈륨 산화물(taox), 니오븀 산화물(nbox), 코발트 산화물(coox), 텅스텐 산화물(wox), 란탄 산화물(laox), 아연 산화물(znox)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나포함하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 7] 제5 항에 있어서,상기 제1 가변 저항 구조물 상에는 상기 제1 및 제2 가변 저항 패턴의 산소를 흡수하거나 또는 상기 제1 및 제2 가변 저항 패턴으로 산소를 공급하기 위한 제1 버퍼막 패턴을 더 포함하고, 상기 제2 가변 저항 구조물 상에는 상기 제3 및 제4 가변 저항 패턴의 산소를 흡수하거나 또는 상기 제3 및 제4 가변 저항 패턴으로 산소를 공급하기 위한 제2 버퍼막 패턴더 포함하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 8] 제1 항에 있어서,상기제1 및 제2 메모리 셀들에서, 상기 제1 방향으로 서로 마주하는 제1 및 제3 면 상에는 제2 캡핑막 패턴더 포함하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 9] 제8 항에 있어서,상기 제2 캡핑막 패턴은 상기 제1 내지 제4 가변 저항 패턴과 실질적으로 동일한 물질포함하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 10] 제8 항에 있어서,상기 제2 캡핑막 패턴은 상기 제1 및 제2 메모리 셀들의 제1 및 제3 면과 상기 제2 도전 라인의 측벽 및 상기 제1 도전 라인의 상부면을 따라컨포멀하게구비되는가변 저항 메모리 소자. [청구항 11] 제8 항에 있어서,상기 제1 메모리 셀들에서, 상기 제2 방향으로 서로 마주하는 제2 및 제4 면 상에는 제1 캡핑막 패턴이 더 구비되고, 상기 제2 메모리 셀들에서, 상기 제2 방향으로 서로 마주하는 제2 및 제4 면 상에는 제3 캡핑막이더 구비되는가변 저항 메모리 소자. [청구항 12] 제11 항에 있어서,상기 제1 캡핑막 패턴 및 제3 캡핑막은 상기 제2 캡핑막 패턴과 다른 물질포함하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 13] 제11 항에 있어서,상기 제1 캡핑막 패턴 및 제3 캡핑막은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산 질화물포함하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 14] 제1 항에 있어서,상기제1 및 제2 희생막 패턴은 절연 물질포함하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 15] 제14 항에 있어서,상기제1 및 제2 희생막 패턴은 실리콘 산화물포함하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 제1 가변 저항 구조물은 상기 제1 희생막 패턴에서 상기 제1 방향으로 마주하는 양 측벽과 접하여 상기 제1 및 제2 가변 저항 패턴이 각각 구비되는 형상갖는가변 저항 메모리 소자. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기 제2 가변 저항 구조물은 상기 제2 희생막 패턴에서 상기 제1 방향으로 마주하는 양 측벽과 접하여 상기 제3 및 제4 가변 저항 패턴이 각각 구비되는 형상갖는가변 저항 메모리 소자. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기 제1 도전 라인들 및 제1 메모리 셀들의 제2 방향으로의 사이에는 제1 층간 절연 패턴더 포함되는가변 저항 메모리 소자. [청구항 19] 제1항에 있어서,상기 제1 메모리 셀들, 제2 도전 라인들 및 제2 메모리 셀들의 제1 방향으로의 사이에는 제2 층간 절연 패턴더 포함되는가변 저항 메모리 소자. [청구항 20] 제1 항에 있어서,상기 제1 내지 제4 가변 저항 패턴은 페로브스카이트 계열 물질, 강자성체를 포함하는 물질, 칼코게나이드(chalcogenide) 계열의 상전이 물질포함하는가변 저항 메모리 소자.

지시문 (instruction)

주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.

질문 (question)

가변 저항 메모리 소자의 제1 메모리 셀과 제2 메모리 셀은 각각 어떠한 전극 구조를 통해 구성되는가?

추론 과정 (compact_reasoning)

1과제 해석task_interpretation

가변 저항 메모리 소자의 제1 메모리 셀과 제2 메모리 셀이 각각 어떤 전극 구조(하부 전극 및 상부 전극)로 구성되는지 파악해야 한다.
2정보 추출information_extraction

청구항 2에서 제1 메모리 셀과 제2 메모리 셀의 적층 구조에 관한 정보를 추출한다.
- 상기 제1 메모리 셀은 상기 제1 도전 라인 상에 순차적으로 적층된 제1 하부 전극, 제1 선택 소자, 제1 가변 저항 구조물 및 제1 상부 전극을 포함하고, 상기 제2 메모리 셀은 상기 제2 도전 라인 상에 순차적으로 적층된 제2 하부 전극, 제2 선택 소자, 제2 가변 저항 구조물 및 제2 상부 전극포함
3근거 선택evidence_selection

제1 메모리 셀의 구성 요소와 제2 메모리 셀의 구성 요소를 명시한 구절을 선택한다.
- 상기 제1 메모리 셀은 상기 제1 도전 라인 상에 순차적으로 적층된 제1 하부 전극, 제1 선택 소자, 제1 가변 저항 구조물 및 제1 상부 전극을 포함하고, 상기 제2 메모리 셀은 상기 제2 도전 라인 상에 순차적으로 적층된 제2 하부 전극, 제2 선택 소자, 제2 가변 저항 구조물 및 제2 상부 전극포함
4논리 통합logical_integration

제1 메모리 셀은 제1 하부 전극과 제1 상부 전극을 포함하며, 제2 메모리 셀은 제2 하부 전극과 제2 상부 전극을 포함함을 확인한다.
5결론 도출conclusion_formulation

질문에 따라 각 메모리 셀의 전극 구조를 정리하여 답변을 구성한다.
6답변 생성answer_generation

제1 메모리 셀은 제1 하부 전극 및 제1 상부 전극을, 제2 메모리 셀은 제2 하부 전극 및 제2 상부 전극을 포함한다고 답변한다.

최종 답변 (final_answer)

제1 메모리 셀은 제1 하부 전극 및 제1 상부 전극을 포함하며, 제2 메모리 셀은 제2 하부 전극 및 제2 상부 전극을 포함한다.

핵심 해석 (core_interpretation)

본 발명은 제1 및 제2 도전 라인 상에 각각 하부 전극, 선택 소자, 가변 저항 구조물, 상부 전극이 순차적으로 적층된 구조를 가진 가변 저항 메모리 소자에 관한 것이다.