반도체 다이 어셈블리들, 이를 포함하는 반도체 장치들, 및 제조 방법들 document_id 1020147000984

[청구항 21] 청구항 20에 있어서,상기 스택의 반도체 다이들은 공통 방향으로 향하는 활성 표면들배향되는반도체 다이 어셈블리. [청구항 22] 청구항 20에 있어서,상기 스택의 반도체 다이들은 상기 웨이퍼 세그먼트를 향하는 활성 표면들배향되는반도체 다이 어셈블리. [청구항 23] 청구항 20에 있어서,상기 웨이퍼 세그먼트의 표면 위의 유전체; 및상기 스택의 반도체 다이들의 전도성 관통 비아들의 패턴과 대응하는 패턴이고 상기 웨이퍼 세그먼트에 인접한 상기 스택의 반도체 다이의 전도성 관통 비아들과 열 전도 접촉하는 상기 유전체 위의 복수의 열 전도성 요소들더 포함하는반도체 다이 어셈블리. [청구항 24] 청구항 20에 있어서,상기 웨이퍼 세그먼트에 인접한 상기 스택의 반도체 다이는 다이 부착 필름 및 유전체 재료 중 하나에 의해 그것고정되는반도체 다이 어셈블리. [청구항 25] 청구항 20에 있어서,상기 웨이퍼 세그먼트에 인접한 스택의 반도체 다이는 그것에 고정되고 상기 스택의 상기 반도체 다이들은 솔더 본드, 열압축 본드 및 초음파 본드로 구성되는 그룹으로부터 선택된 금속 본드를 사용하여 동작적결합되는반도체 다이 어셈블리. [청구항 26] 청구항 20에 있어서,상기 베이스 웨이퍼로부터 가장 먼 상기 스택의 상기 반도체 다이의 후면측 상에,전도성 관통 비아들에 대해 적어도 부분적으로 노출된 컨택트들;전도성 관통 비아들에 동작적으로 결합되는 반도체 다이들의 상기 스택을 테스트하는 패드들을 포함하는 재분배 회로부;상기 전도성 관통 비아들에 대해 적어도 부분적으로 노출된 상기 컨택트들 위에서 상기 반도체 다이로부터 연장되고 상기 컨택트들에 동작적으로 결합되는 외부 연결 전도성 요소들; 및상기 패드들 및 외부 연결 전도성 요소들을 노출시킨 패시베이션더 포함하는반도체 다이 어셈블리. [청구항 27] 청구항 20에 있어서,상기 스택의 반도체 다이들모두는 노운 굿 다이인반도체 다이 어셈블리. [청구항 28] 청구항 20에 있어서,상기 웨이퍼 세그먼트는 상기 표면에 연장되는 캐비티(cavity)를 더 포함하고; 및상기 웨이퍼 세그먼트에 인접한 상기 스택의 반도체 다이는 상기 캐비티에 적어도 부분적수용되는반도체 다이 어셈블리. [청구항 29] 청구항 16에 있어서,상기 웨이퍼 세그먼트의 표면은 복수의 리세스들을 포함하고;상기 웨이퍼 세그먼트에 인접한 상기 스택의 반도체 다이의 상기 활성 표면으로부터 연장되는 전도성 요소들은 상기 복수의 리세스들에 적어도 부분적배치되는반도체 다이 어셈블리. [청구항 30] 청구항 16에 있어서,상기 웨이퍼 세그먼트는 히트 싱크포함하는반도체 다이 어셈블리.