ＯＬＥＤ에서 무기 호스트 document_id 1020147002794

[청구항 1] 제1 유기 발광 디바이스를 포함하는 제1 디바이스로서, 추가로 애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 배치된 발광 층을 포함하고, 70 중량% 이상의 무기 재료를 함유한 물질을 포함하는 제1 호스트, 및 제1 인광 발광 도펀트를 포함하며, 여기서 제1 호스트의 에너지 밴드 갭(band gap)은 4 ev 미만인 제1 디바이스 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 물질은 캐핑 기(capping group)로 캐핑된 무기 재료포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 3] 제2항에 있어서,캐핑기는 카르복실레이트, 아민, 티올, 테트라플루오로보레이트, 술파이드, 티오시아네이트, 또는 금속 칼코게나이드 착물포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 4] 제2항에 있어서,제1 호스트는 크기가 1 내지 20 nm 범위인 물질의 입자포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 5] 제1항에 있어서,추가로 발광 층과 캐소드 사이에 임의로 배치되어 있는 복수의 유기층을 포함하고, 여기서 유기층은 제1 호스트함유하지 않는 것인제1 디바이스. [청구항 6] 제1항에 있어서,무기 재료는 황화물, 질화물, 탄화물, 또는 산화물 중 하나 이상포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 7] 제1항에 있어서,무기 재료는 산화물포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 8] 제1항에 있어서,무기 재료는 황화물포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 9] 제1항에 있어서,무기 재료는 탄화물포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 10] 제1항에 있어서,무기 재료는 질화물포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 11] 제7항에 있어서,산화물은 금속 산화물포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 12] 제11항에 있어서,금속 산화물은 전이 금속 산화물포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 13] 제8항에 있어서,황화물은 금속 황화물포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 14] 제9항에 있어서,탄화물은 금속 탄화물포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 15] 제9항에 있어서,질화물은 금속 질화물포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 16] 제1항에 있어서,무기 재료는 2원 화합물포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 17] 제1항에 있어서,무기 재료는 3원 화합물포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 18] 제1항에 있어서,제1 호스트는 비발광 무기 나노결정포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 19] 제1항에 있어서,제1 호스트는 에너지 밴드갭 값이 1 내지인제1 디바이스. [청구항 20] 제19항에 있어서,제1 호스트는 에너지 밴드갭 값이 2 내지인제1 디바이스. [청구항 21] 제1항에 있어서,제1 호스트는 제1 인광 발광 도펀트의 삼중항 에너지 보다 큰 에너지 밴드갭 값갖는 것인제1 디바이스. [청구항 22] 제1항에 있어서,발광층에서 제1 호스트의 농도는 50 중량이상인제1 디바이스. [청구항 23] 제22항에 있어서,발광층에서 제1 호스트의 농도는 70 중량이상인제1 디바이스. [청구항 24] 제23항에 있어서,발광층에서 제1 호스트의 농도는 80 중량이상인제1 디바이스. [청구항 25] 제1항에 있어서,제1 호스트는 실질적으로 70 중량%이상의무기재료함유한물질로 이루어지는 것인제1 디바이스. [청구항 26] 제1항에 있어서,제1 호스트는 실질적으로 80 중량%이상의무기재료함유한물질로 이루어지는 것인제1 디바이스. [청구항 27] 제1항에 있어서,제1 호스트는 실질적으로 90 중량%이상의무기재료함유한물질로 이루어지는 것인제1 디바이스. [청구항 28] 제1항에 있어서,제1 호스트는 실질적으로 95 중량%이상의무기재료함유한물질로 이루어지는 것인제1 디바이스. [청구항 30] 제1항에 있어서,유기 발광nan디바이스인제1 디바이스. [청구항 31] 제1항에 있어서,조명 패널을포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 32] 제1항에 있어서,제1 인광 발광 도펀트는 원자 번호가 40을 초과하는 금속과의금속 착물인제1 디바이스. [청구항 33] 제32항에 있어서,제1 인광 발광 도펀트는 이리듐착물인제1 디바이스. [청구항 34] 제32항에 있어서,제1 인광 발광 도펀트는 백금착물인제1 디바이스. [청구항 35] 제1항에 있어서,제1 인광 발광 도펀트는 하기 중에서 선택된 하나 이상의 리간드 또는 리간드가 2좌를 초과하는 경우 일부 리간드를 갖는 전이 금속 착물을 포함하는 것인 제1 디바이스:상기 식에서, ra, rb, rc, 및 rd는 일치환, 이치환, 삼치환, 또는 사치환, 또는 비치환을 나타낼 수 있으며, ra, rb, rc, 및 rd는 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이의 조합으로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택되며; ra, rb, rc, 및 rd 중 2개의 인접 치환기는 임의로 결합되어 융합된 고리형성하거나다좌 리간드를 형성한다. [청구항 36] 제1항에 있어서,발광층nan은용액공정이용하여증착되는 것인제1 디바이스. [청구항 37] 제1항에 있어서,제1 호스트는 제1 인광 발광 도펀트와 반응하여 공유 결합형성하는 것인제1 디바이스. [청구항 38] 제1항에 있어서,발광층은 추가로 제2 호스트포함하는 것인제1 디바이스. [청구항 39] 제38항에 있어서,제2 호스트는유기 화합물인제1 디바이스. [청구항 40] 제39항에 있어서,유기 화합물은 트리페닐렌, 디벤조티오펜, 아자-디벤조티오펜, 디벤조푸란, 아자-디벤조푸란, 카르바졸, 및 아자-카르바졸로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 기함유하는 것인제1 디바이스. [청구항 41] 제38항에 있어서,제2 호스트는 무기재료인제1 디바이스. [청구항 42] 제1항에 있어서,발광층은 추가로 제2 발광 도펀트포함하는 것인제1 디바이스.