유전체 에칭에 대한 음이온 제어 document_id 1020147004321

[청구항 1] 하부 전극에 커플링된 하부 무선 주파수 (rf) 신호 생성기로서, 상기 하부 rf 신호는 제1 페이즈 (phase) 로 설정되는, 상기 하부 rf 신호 생성기 상부 전극에 커플링된 상부 rf 신호 생성기로서, 상기 상부 rf 신호는 제2 페이즈로 설정되는, 상기 상부 rf 신호 생성기; 및 상기 하부 rf 신호를 수신하도록 동작가능하고 상기 제2 페이즈의 값을 설정하도록 동작가능한 rf 페이즈 제어기로서, 상기 rf 페이즈 제어기는, 대략 미리 결정된 값에서 상기 상부 rf 신호의 최대값과 상기 하부 rf 신호의 최소값 사이의 시간 차이를 유지하기 위해 상기 제2 페이즈와 상기 제1 페이즈를 추적하도록 동작가능한, 상기 rf 페이즈 제어기를 포함하는, 용량성 커플링된 플라즈마 챔버 [청구항 2] 제1항에 있어서,미리 결정된 값은, 상기 챔버 내의 상기 플라즈마의 상부 플라즈마 시스 주변에 형성된 음이온들이 상기 플라즈마의 하부 플라즈마 시스로 이동하는데 요구되는 이동 시간에 기초되는, 용량성커플링된플라즈마 챔버. [청구항 3] 제2항에 있어서,이온들은, 상기 상부 rf 신호가 상기 최대값을 갖는 경우 상기 상부 플라즈마 시스 주변에 형성되는, 용량성커플링된플라즈마 챔버. [청구항 4] 제2항에 있어서,이온들은, 상기 하부 rf 신호가 대략 최소값을 갖는 경우 상기 하부 플라즈마 시스에 도달하는, 용량성커플링된플라즈마 챔버. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 하부rf 신호의 주파수는 상기 상부 rf 신호의 주파수와 동일한, 용량성커플링된플라즈마 챔버. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 하부 전극에 커플링된 고 주파수 rf 신호 생성기로서, 상기 상부 rf 신호와 저 rf 신호가 저 주파수 rf 신호들인, 상기 고 주파수 rf 신호 생성기를 더 포함하는, 용량성커플링된플라즈마 챔버. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 고 주파수rf 신호는 27mhz의 주파수를 갖고, 상기 상부 신호와 상기 저 rf 신호는 2mhz의 주파수를 갖는, 용량성커플링된플라즈마 챔버. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 상부 신호와 상기저 rf 신호는 0.2mhz 내지 2mhz사이의 주파수를 갖는, 용량성커플링된플라즈마 챔버. [청구항 9] 제1항에 있어서,웨이퍼가 프로세싱을 위해 상기 챔버 내에 있는 경우, 상기 웨이퍼는 상기 하부 전극 상에 배치되는, 용량성커플링된플라즈마 챔버. [청구항 15] 하부 전극에 커플링된 하부 무선 주파수 (rf) 신호 생성기로서, 상기 하부 rf 신호가 제1 페이즈로 설정된, 상기 하부 무선 주파수 (rf) 신호 생성기; 및 상기 하부 rf 신호를 수신하도록 동작가능하고 상부 전극에 대해 제2 페이즈로 설정된 상부 rf 신호를 생성하도록 동작가능한 rf 페이즈 제어기로서, 상기 rf 페이즈 제어기는, 미리 결정된 값으로 상기 상부 rf 신호의 최대값과 상기 하부 rf 신호의 최소값 사이의 시간 차이를 유지하기 위해 상기 제1 페이즈와 제2 페이즈를 추적하도록 동작가능한, 상기 rf 페이즈 제어기를 포함하는, 용량성 커플링된 플라즈마 챔버 [청구항 16] 제15항에 있어서,미리 결정된 값은, 상기 챔버 내의 상기 플라즈마의 상부 플라즈마 시스 주변에 형성된 음이온들이 상기 플라즈마의 하부 플라즈마 시스로 이동하는데 요구되는 이동 시간에 기초되는, 용량성커플링된플라즈마 챔버. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 하부rf 신호 및 상기 상부 rf 신호는 1mhz의 주파수를 갖는, 용량성커플링된플라즈마 챔버. [청구항 18] 제15항에 있어서,상기 챔버는 양이온들과 음이온들로 에칭을 수행하도록 동작가능한, 용량성커플링된플라즈마 챔버. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 챔버는, 상기 하부 rf 신호가 대략 최대값을 갖는 경우, 양이온들을 생성하도록 동작가능한, 용량성커플링된플라즈마 챔버. [청구항 20] 제15항에 있어서,상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이의 거리는 15㎜와 100㎜ 사이인, 용량성커플링된플라즈마 챔버.