개선된 플라즈마 이온 에너지 처리 시스템들에 대한 웨이퍼 처킹 시스템 document_id 1020147004544

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 스위칭 모드 파워 서플라이는 플로팅 상태에 있고, 상기 dc 옵셋은 스위칭 모드 파워 서플라이 외측에서 발생되는, 플라즈마-기반 처리위한시스템. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 스위칭 모드 파워 서플라이는 dc 옵셋을 발생하는 dc 옵셋을 포함하는, 플라즈마-기반 처리위한시스템. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 스위칭 모드 파워 서플라이는 ac 파형을 생성하는 ac 전원을 포함하고, 상기 ac 전원은 dc 전원과 정전 척 사이에 직렬로 결합되는, 플라즈마-기반 처리위한시스템. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기dc 전원은 그라운드와 스위칭 모드 파워 서플라이 사이에 직렬로 결합되는, 플라즈마-기반 처리위한시스템. [청구항 6] 제4항에 있어서,상기ac 파형은 ac 전원에 의해 생성되고, 상기 dc 옵셋은 dc 전원에 의해 생성되고, 상기 ac 전원 및 dc 전원은 정전 척에 병렬로 결합되는, 플라즈마-기반 처리위한시스템. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기ac 파형은 제1 도체를 통해 정전 척에 제공되고, 상기 dc 옵셋은 제2 도체를 통해 정전 척에 제공되는, 플라즈마-기반 처리위한시스템. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 척킹 전위는 정전 척의 상면과 기판 내의 기준 층 사이에 존재하는, 플라즈마-기반 처리위한시스템. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 스위칭 모드 파워 서플라이는 하나 이상의 구동 신호들에 응답하여 기판 지지부에 주기적 전압 함수를 인가하도록 구성되고,상기 이온-에너지 제어부는, 주기적 전압 함수의 다중 사이클들에 걸쳐, 시간 평균 방식으로 기판의 표면에서 소망 이온 에너지 분포를 생성하기 위해 적어도 하나의 이온-에너지 분포 설정에 응답하여 주기적 전압 함수의 적어도 하나의 파라미터를 변조하도록 구성되는, 플라즈마-기반 처리위한시스템. [청구항 10] 제9항에 있어서,적어도 하나의 파라미터는 전압 진폭을 포함하는, 플라즈마-기반 처리위한시스템. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 스위칭 모드 파워 서플라이는 플로팅 상태에 있는, 플라즈마-기반 처리위한장치. [청구항 13] 제11항에 있어서,상기 스위칭 모드 파워 서플라이는 제어가능한 전압원 및 제어가능한 전류원의 적어도 병렬 구성을 포함하고, 상기 ac 파형은 상기 병렬 구성의 출력인, 플라즈마-기반 처리위한장치.