실리콘 웨이퍼들의 산성 습식 화학 에칭을 위한 제형 document_id 1020147007547

[청구항 2] 청구항 1에 있어서,를 추가로 포함하는 방법:a. 에칭된 단위 실리콘 당, 에칭 조성물의 용적 분획을 제거하는 동시에 불화수소산 및 실리콘을 산화시킬 수 있는 적어도 하나의 수용성 산화제를 포함하는 보충 용액으로 에칭액 조보충하는단계. [청구항 11] 청구항 1 내지 10 중 어느 하나에 있어서,상기 제조된 대로의 에칭 조성물이 하기를 포함하는 방법:1.4 내지 7.1m의 불화수소산;0.01 내지 7.75m의실리콘을산화시킬수있는적어도 하나의 산화제; 및a.0.15 내지 2.2m의 가용성 실리콘. [청구항 12] 청구항 11에 있어서,상기 제조된 대로의 에칭 조성물이 하기를 포함하는 방법:a.2.5 내지 7.1m의 불화수소산;1 내지 7.75m의실리콘을산화시킬수있는적어도 하나의 산화제; 및b.0.3 내지 1.9m의 가용성 실리콘. [청구항 13] 청구항 12에 있어서,상기 제조된 대로의 에칭 조성물이 하기를 포함하는 방법:a.2.5 내지 5.8m의 불화수소산;b.3.8 내지 7.75m의실리콘을산화시킬수있는적어도 하나의 산화제; 및c.0.6 내지 1.7m의 가용성 실리콘. [청구항 19] 청구항 18에 있어서,를 포함하는 제조된 대로의 수성 산 에칭 조성물:a.2.5 내지 7.1m의 불화수소산;1 내지 7.75m의실리콘을산화시킬수있는적어도 하나의 산화제; 및b.0.3 내지 1.9m의 가용성 실리콘. [청구항 20] 청구항 19에 있어서,를 포함하는 제조된 대로의 수성 산 에칭 조성물:a.2.5 내지 5.8m의 불화수소산;b.3.8 내지 7.75m의실리콘을산화시킬수있는적어도 하나의 산화제; 및c.0.6 내지 1.7m의 가용성 실리콘. [청구항 21] 청구항 18 내지 20 중 어느 하나에 있어서,상기 가용성 실리콘이 플루오로실리케이트들, 규산, 실리케이트들 및 가용성 실리콘으로 구성된군선택되는,제조된 대로의 수성 산 에칭 조성물. [청구항 22] 청구항 21에 있어서,상기 플루오로실리케이트가 헥사플루오로규산 및 암모늄 플루오로실리케이트로 구성된군선택되는,제조된 대로의 수성 산 에칭 조성물. [청구항 23] 청구항 18 내지 22 중 어느 하나에 있어서,하나 이상의 산 희석제들을 추가로포함하는,제조된 대로의 수성 산 에칭 조성물. [청구항 24] 청구항 23에 있어서,상기 하나 이상의 산 희석제가 1.1 내지 7.5m의농도존재하는,제조된 대로의 수성 산 에칭 조성물. [청구항 25] 청구항 23에 있어서,상기 하나 이상의 산 희석제가 1.3 내지 5.4m의농도존재하는,제조된 대로의 수성 산 에칭 조성물. [청구항 26] 청구항 23에 있어서,상기 하나 이상의 산 희석제가 1.7 내지 4.6m의농도존재하는,제조된 대로의 수성 산 에칭 조성물. [청구항 27] 청구항 23 내지 26 중 어느 하나에 있어서,상기 산성 희석제들이 아세트산, 빙초산, 인산, 황산, 아황산, 피로인산, 인, 크롬산, 염소산, 트리플루오로메탄설폰산, 메탄설폰산, 트리플루오로아세트산, 트리클로로아세트산, 포름산, 및/또는 시트르산; 폴리(4-스티렌설폰산), 폴리(비닐설폰산), 폴리(스티렌-알트-말레산), 폴리(아크릴산), 폴리(메타크릴산), 및 이들의 조합들로 구성된군선택되는,제조된 대로의 수성 산 에칭 조성물. [청구항 28] 청구항 18 내지 27 중 어느 하나에 있어서,상기 산화제가 질산, 아질산, 요오드산, 페록시드들, 클로레이트들, 퍼클로레이트들, 크로메이트들, 디크로메이트들, 니트라이트들, 니트레이트들, 퍼망가네이트들, 퍼설페이트들, 요오데이트들, 퍼요오데이트들 및 이들의 조합들로 구성된군선택되는,제조된 대로의 수성 산 에칭 조성물.