메모리 셀 및 메모리 셀 어레이 document_id 1020147008986

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 이온 소스 물질은 제 1 전극과 프로그램 가능한 물질사이에 있는,메모리 셀. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 이온 소스 물질은 구리 및 텔루륨포함하는,메모리 셀. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 이온 소스 물질은 트렌치-형상의 프로그램 가능한 물질에 의해 형성된 개구부 내에 그리고 프로그램 가능한 물질과 제 2 전극사이에 있는,메모리 셀. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 이온 소스 물질은 구리 및 텔루륨포함하는,메모리 셀. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제 2 전극은 상기 트렌치-형상의 프로그램 가능한 물질 구조물에 의해 형성되는 개구부 내에 전체적포함되는,메모리 셀. [청구항 9] 제8항에 있어서,제 1 전기 전도성 라인과 제 2 전기 전도성 라인, 및 상기 제 1 전기 전도성 라인과 제 2 전기 전도성 라인 사이의 프로그램 가능한 물질 및 이온 소스 물질은 다 함께 어레이의 제 1 레벨을 형성하며, 상기 레벨은 제 1 전기 전도성 라인에서 제 2 전기 전도성 라인으로의 수직 배열을 갖고, 상기 제 1 레벨 위의 제 2 레벨을 더 포함하고, 상기 제 2 레벨은 제 1 레벨과 동일한 수직 배열갖는,메모리 셀의 어레이. [청구항 10] 제8항에 있어서,상기 제 1 전기 전도성 라인과 제 2 전기 전도성 라인, 및 상기 제 1 전기 전도성 라인과 제 2 전기 전도성 라인 사이의 프로그램 가능한 물질 및 이온 소스 물질은 다 함께 어레이의 제 1 레벨을 형성하며, 사기 레벨은 제 1 전기 전도성 라인에서 제 2 전기 전도성 라인으로의 수직 배열을 갖고, 상기 제 1 레벨 위에 제 2 레벨을 더 포함하며, 상기 제 2 레벨은 상기 제 1 레벨과 반대인 수직 배열갖는,메모리 셀의 어레이. [청구항 11] 제8항에 있어서,개별 메모리 셀은 제 1 전기 전도성 라인과 프로그램 가능한 물질 사이의 이온 소스 물질포함하는,메모리 셀의 어레이. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 이온 소스 물질은 트렌치-형상의 프로그램 가능한 물질 구조물과 동일 공간에 있는 라인구성되는,메모리 셀의 어레이. [청구항 13] 제12항에 있어서,전체적으로 상기 이온 소스 물질 라인의 측부를 따르는 하이 k 유전체 라이너더 포함하는,메모리 셀의 어레이. [청구항 14] 제11항에 있어서,상기 프로그램 가능한 물질 구조물은 제 1 전기 전도성 라인과 제 2 전기 전도성 라인 사이에 뻗어 있는 복수의 이격된 페데스털인,메모리 셀의 어레이. [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 이격된 페데스털의 측방 주변부를 따르는 하이 k 유전체 물질더 포함하는,메모리 셀의 어레이. [청구항 16] 제8항에 있어서,제 1 전기 전도성 라인은 구리를 함유하는 코어를 포함하고, 제 1 전기 전도성 라인은 구리와 프로그램 가능한 물질 사이의 구리 배리어 물질더 포함하는,메모리 셀의 어레이. [청구항 17] 제16항에 있어서,구리 배리어 물질은 코발트, 텅스텐 및 인포함하는,메모리 셀의 어레이. [청구항 18] 제8항에 있어서,상기 제 2 전기 전도성 라인은 구리를 함유하는 코어를 포함하고, 제 2 전기 전도성 라인은 구리-함유 코어 상에 바로 있는 구리 배리어 물질더 포함하는,메모리 셀의 어레이. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 구리 배리어 물질은 코발트, 텅스텐 및 인포함하는,메모리 셀의 어레이. [청구항 20] 제8항에 있어서,상기 트렌치-형상의 프로그램 가능한 물질 구조물의 외부 측벽 에지를 따르는 하이 k 유전체 구조물을 포함하고 인접한 하이 k 유전체 구조물들 사이에 로우 k 유전체 물질포함하는,메모리 셀의 어레이. [청구항 21] 제20항에 있어서,하이 k 유전체 구조물은 실리콘 니트라이드포함하는,메모리 셀의 어레이. [청구항 22] 제20항에 있어서,로우 k 유전체 물질은 실리콘 다이옥사이드 및/또는 가스포함하는,메모리 셀의 어레이.