문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 항산화제 패키지의 상승제가 비스(4-(t-뷰틸)페닐)아민(steerer star), 비스(4-(2-페닐프로판-2-일)페닐)아민(naugard 445), 비스(4-(t-펜틸)페닐)아민 또는 비스(4-메톡시페닐)아민(thermoflex) 중 하나 이상이고,페놀 항산화제가 2,2'-((2-하이드록시-5-메틸-1,3-페닐렌)비스(메틸렌))비스(4-메틸페놀)(ao-80), 6,6'-메틸렌비스(2-(t-뷰틸)-4-메틸페놀)(4-pc) 또는 3,5-비스(1,1-다이메틸에틸)-4-하이드록시벤젠프로파노산(irganox 1076) 중 하나이상인마이크로전자 및 광전자 디바이스.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 항산화제 패키지의 다이아릴 아민이 비스(4-(2-페닐프로판-2-일)페닐)아민(ng-445)이고, 상기 장애 페놀이 2,2'-((2-하이드록시-5-메틸-1,3-페닐렌)비스(메틸렌))비스(4-메틸페놀인마이크로전자 및 광전자 디바이스.
[청구항 4]
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,식a에 따른 상기 노르보르넨형 단량체가 트라이옥사노네인노르보르넨(nbton) 또는 테트라옥사도데케인노르보르넨(nbtodd), 5-(3-메톡시프로파녹시)에틸-2-노르보르넨(nb-3-mbm) 또는 5-(3-메톡시프로파녹시)메틸-2-노르보르인마이크로전자 및 광전자 디바이스.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 열적-산화적으로 안정화된 중합체가 노르보르네닐-2-트라이플루오로메틸-3,3,3-트라이플루오로프로판-2-올(hfanb), 노르보르넨 메틸 글라이시딜 에테르(mgenb), 5-데실바이사이클로[2.2.1]헵트-2-엔(decnb), 5-펜에틸바이사이클로[2.2.1]헵트-2-엔(penb), 5-펜뷰틸바이사이클로[2.2.1]헵트-2-엔(pbnb), 에틸 3-(바이사이클로[2.2.1]헵트-2-엔-2-일)프로파노에이트(epenb), 2-(6-(바이사이클로[2.2.1]헵트-5-엔-2-일)헥실)옥시레인(eonb), 바이사이클로[2.2.1]헵트-5-엔-2-카복실산(acid nb) 및 노르보르닐프로파노산(nbetcooh)으로부터 선택된 하나 이상의 노르보르넨형 단량체로부터 유도된 반복 단위들을 추가포함하는마이크로전자 및 광전자 디바이스.
[청구항 6]
제2항에 있어서,상기 디바이스가 cmos 이미지 센서 댐 구조체포함하는마이크로전자 및 광전자 디바이스.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 열적-산화적으로 안정화된 중합체의 반복 단위들이 nbton, nbtodd, nb-3-mpm, nb-3-mbm, penb, pbnb, eonb, decnb 및 mgenb로부터 선택된 2개 이상의 단량체유도되는cmos 이미지 센서 댐 구조체.
[청구항 8]
제2항에 있어서,상기 디바이스가 칩 스택 구조체포함하는마이크로전자 및 광전자 디바이스.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 열적-산화적으로 안정화된 중합체의 반복 단위들이 nbton, nbtodd, nb-3-mpm, nb-3-mbm, hfanb, epesnb 및 nbcootms로부터 선택된 2개 이상의 단량체유도되는칩 스택 구조체.
[청구항 10]
제2항에 있어서,상기 디바이스가 재분배 층(rdl) 구조체포함하는마이크로전자 및 광전자 디바이스.
[청구항 11]
제10항에 있어서,상기 열적-산화적으로 안정화된 중합체의 반복 단위들이 nbton, nbtodd, nb-3-mpm, nb-3-mbm, hfanb, decnb, eonb, epesnb, nbcootms 및 mgenb로부터 선택된 2개 이상의 단량체유도되는재분배 층(rdl) 구조체.
[청구항 13]
제12항에 있어서,데나콜(denacol) ex321l, sib-1832, by16-115, 페노싸이아진(phenothiazine), chdve, si-75, trisp-3m6c-2(5)-201, trisp-3m6c-2(4)-201, gsid-26-1, cptx, 및 rhodorsil pi 2074로부터 선택된 하나 이상의 첨가제를 추가로 포함하는 열적-산화적으로 안정화된중합체 조성물.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 요구되는 내용을 항목별 목록으로 제시하라.
질문 (question)
CMOS 이미지 센서 댐 구조체를 포함하는 마이크로전자 및 광전자 디바이스에서, 열적-산화적으로 안정화된 중합체의 반복 단위가 유도되는 단량체의 구성은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretationCMOS 이미지 센서 댐 구조체를 포함하는 디바이스에서 열적-산화적으로 안정화된 중합체의 반복 단위를 유도하는 단량체의 구성을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 6은 CMOS 이미지 센서 댐 구조체를 포함하는 디바이스를 명시하고, 청구항 7은 해당 구조체의 중합체 반복 단위가 특정 단량체들로부터 유도됨을 명시한다.
- cmos 이미지 센서 댐 구조체포함하는마이크로전자 및 광전자 디바이스, 상기 열적-산화적으로 안정화된 중합체의 반복 단위들이 nbton, nbtodd, nb-3-mpm, nb-3-mbm, penb, pbnb, eonb, decnb 및 mgenb로부터 선택된 2개 이상의 단량체유도되는cmos 이미지 센서 댐 구조체
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3근거 선택
evidence_selection청구항 7에서 CMOS 이미지 센서 댐 구조체의 중합체 반복 단위를 유도하는 단량체 목록을 추출한다.
- nbton, nbtodd, nb-3-mpm, nb-3-mbm, penb, pbnb, eonb, decnb 및 mgenb
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4논리 통합
logical_integration질문에서 요구하는 'CMOS 이미지 센서 댐 구조체'와 '중합체의 반복 단위가 유도되는 단량체'의 관계를 청구항 7을 통해 연결한다.
- 상기 열적-산화적으로 안정화된 중합체의 반복 단위들이 nbton, nbtodd, nb-3-mpm, nb-3-mbm, penb, pbnb, eonb, decnb 및 mgenb로부터 선택된 2개 이상의 단량체유도되는cmos 이미지 센서 댐 구조체
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5결론 도출
conclusion_formulation추출된 단량체 목록을 질문의 형식에 맞게 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변으로 단량체 리스트를 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
nbton, nbtodd, nb-3-mpm, nb-3-mbm, penb, pbnb, eonb, decnb, mgenb
핵심 해석 (core_interpretation)
CMOS 이미지 센서 댐 구조체에 사용되는 열적-산화적으로 안정화된 중합체는 nbton, nbtodd, nb-3-mpm, nb-3-mbm, penb, pbnb, eonb, decnb, mgenb 중 2개 이상의 단량체로부터 유도된 반복 단위를 포함한다.