분리된 이온 및 라디칼 제어를 위한 소스를 이용한 반도체 프로세싱 시스템 document_id 1020147019926

[청구항 1] 플라즈마 발생 마이크로챔버로서, 플라즈마 발생 영역의 상부 경계를 형성하는 하부 면을 갖는 상부 전극 상기 플라즈마 발생 영역의 하부 경계를 형성하는 상부 면을 갖는 하부 전극 전기 절연 재료로 형성되며, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 사이의 상기 플라즈마 발생 영역의 주위를 둘러싸도록 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 사이에 연장되게끔 형성된 측벽 격납부 (enclosure) 상기 플라즈마 발생 영역 반대 측의 상기 상부 전극의 상부 면에 배치된 상부 절연 시트 상기 상부 전극 반대 측의 상기 상부 절연 시트의 상부 면 상에 배치된 상부 그라운드 판 상기 플라즈마 발생 영역 반대 측의 상기 하부 전극의 하부 면 사에 배치된 하부 절연 시트; 및 상기 하부 전극 반대 측의 상기 하부 절연 시트의 하부 면 상에 배치된 하부 그라운드 판을 포함하고, 상기 상부 그라운드 판, 상기 상부 절연 시트 및 상기 상부 전극 각각은 상기 플라즈마 발생 영역으로의 프로세스 가스 공급을 위한 다수의 유동 접속 통로를 포함하고, 상기 하부 그라운드 판, 상기 하부 절연 시트 및 상기 하부 전극 각각은 상기 플라즈마 발생 영역으로부터 기판 프로세싱 영역 내로 프로세스 가스 및 반응 성분을 배출하기 위한 다수의 배출 통로를 포함하는 플라즈마 발생 마이크로챔버 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 각각은 상기 플라즈마 발생 영역에 프로세스 가스의 공급을 위한 상기 다수의 유동 접속 통로를 제외하고 전기 도전성 재료의 고체 판구성되는,플라즈마 발생 마이크로챔버. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 프로세스 가스 및 반응 성분의 배출을 위한 다수의 배출 통로 각각은 상기 하부 그라운드 판의 하부 면과 상기 하부 전극의 상기 상부 면 사이에 실질적으로 수직인 방향으로 연장되는 원통형홀로 구성되는,플라즈마 발생 마이크로챔버. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 프로세스 가스 및 반응 성분의 배출을 위한 상기 다수의 배출 통로 각각은 약 0.5 mm 에서 약 2 mm 범위 내의 지름갖는,플라즈마 발생 마이크로챔버. [청구항 5] 제 3 항에 있어서,상기 하부 그라운드 판의 하부 면과 상기 하부 전극의 상부 면 사이를 수직으로측정한거리는 약 2 mm 에서 약 5 mm 범위 내인, 플라즈마 발생 마이크로챔버. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 상부 전극은 제 1 전력 공급부에 전기적으로 접속되고, 상기 하부 전극은 제 2 전력 공급부에 전기적으로 접속되고, 상기 제 1 전력 공급부 및 제 2 전력 공급부 각각은 독립적으로 제어가능한,플라즈마 발생 마이크로챔버. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 제 1 전력 공급부와 제 2 전력 공급부 사이의 위상차는 180°인,플라즈마 발생 마이크로챔버. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 상부 전극, 상기 상부 절연 시트, 상기 상부 그라운드 판, 상기 하부 전극, 상기 하부 절연 시트 또는 상기 하부 그라운드 판 각각은 그 상부 면 또는 하부 면에 대해 수직으로 볼 때 원형의 영역을 갖고, 상기 플라즈마 발생 마이크로챔버가 원통형-형상이 되도록 상기 측벽 격납부는 그상부면또는하부면에대해수직으로 볼때 링-형상인, 플라즈마 발생 마이크로챔버. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 상부 전극, 상기 상부 절연 시트, 상기 상부 그라운드 판, 상기 하부 전극, 상기 하부 절연 시트 또는 상기 하부 그라운드 판 각각은 그 상부 면 또는 하부 면에 대해 수직으로 볼 때 환형의 영역을 갖고, 상기 플라즈마 발생 마이크로챔버가 환형-형상이 되도록 상기 측벽 격납부는 그 상부 면 또는 하부 면에 대해 수직으로 볼 때 내부 링-형상 측벽 및 외부 링-형상 측벽포함하는,플라즈마 발생 마이크로챔버. [청구항 10] 플라즈마 발생 및 축 배기 어셈블리로서, 상부 지지판; 상기 상부 지지판과 떨어져서 실질적으로 수직 방향으로 연장되도록 상부 지지판에 부착된 다수의 지지 구조 상기 상부 지지판 위에 실질적으로 중앙에 위치한 상기 다수의 지지 구조의 제 1 부분에 부착된 중앙 원통형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버; 및 상기 다수의 지지 구조의 대응하는 부분에 부착되며, 상기 중앙 원통형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버에 대하여 동심으로 위치된 복수의 환형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버를 포함하고, 상기 중앙 원통형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 및 상기 복수의 환형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 중 인접하게 위치된 마이트로팸버들은 그 사이에 다수의 축 배기 구멍을 형성하도록 서로 이격되어 있고, 축 배기 구멍 각각은 상기 다수의 지지 구조 사이의 그리고 상기 상부 지지판 및 상기 복수의 환형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 각각의 사이의 유동 흐름 영역에 유동적으로 접속되어 있고, 상기 유동 흐름 영역은 상기 상부 지지판과 상기 복수의 환형-형상 플라즈마 발생 마이크로챔버의 중 최외각의 환형-형상 플라즈마 발생 마이크로챔버 사이의 상부 판 주위에 형성된 주위 배기 구멍에 유동적으로 접속되는, 플라즈마 발생 및 축 배기 어셈블리 [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 중앙 원통형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 및 상기 복수의 환형-형상 플라즈마 발생 마이크로챔버 각각은 프로세스 가스 공급부에 유동적으로 접속되는 플라즈마 발생 영역포함하는,플라즈마 발생 및 축 배기 어셈블리. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 중앙 원통형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 및 상기 복수의 환형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 각각은 상기 플라즈마 발생 영역에 노출 배치되는 상부 전극 및 상기 플라즈마 발생 영역에 노출 배치되는 하부 전극포함하는,플라즈마 발생 및 축 배기 어셈블리. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 각각은 개별적이며 독립적으로 제어가능한 전력 공급부와 전기적접속되는,플라즈마 발생 및 축 배기 어셈블리. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 각각은 전기적 절연 측벽 격납부에 의해 물리적으로 분리되고, 상기 측벽 격납부는 상기 플라즈마 발생 영역의 주위 경계형성하는,플라즈마 발생 및 축 배기 어셈블리. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 중앙 원통형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 및 상기 복수의 환형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 각각은 상기 플라즈마 발생 영역에서부터 상기 상부 지지 판에 대해 실질적으로 수직인 방향으로 그리고 상기 상부 지지판에서 떨어지게 유체 유동을 지향하는 다수의 배출 통로포함하는,플라즈마 발생 및 축 배기 어셈블리. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 중앙 원통형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 및 상기 복수의 환형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 각각은 상기 다수의 지지 구조의 대응하는 부분에 부착된 상부 그라운드 판 및 상기 상부 그라운드 판과 상기 상부 전극 사이에 배치된 상부 절연 시트포함하는,플라즈마 발생 및 축 배기 어셈블리. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 중앙 원통형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 및 상기 복수의 환형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 각각은 상기 플라즈마 발생 영역 반대 측의 상기 하부 전극의 하부 면 상에 배치된 하부 절연 시트 및 상기 하부 전극의 반대 측의 상기 하부 절연 시트의 하부 면 상의 하부 그라운드 판포함하는,플라즈마 발생 및 축 배기 어셈블리. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 중앙 플라즈마 발생 마이크로챔버 및 상기 복수의 환형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 각각은 플라즈마 발생영역을 둘러싸도록 위해 상부 전극, 하부 전극 및 상기 상부 적극 및 상기 하부 전극 사이에 연장되는 전기 절연 측벽 격납부에 의해 경계지어지는 (bounded) 플라즈마 발생 영역포함하는,반도체 기판 프로세싱 시스템. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 중앙 플라즈마 발생 마이크로챔버 및 상기 복수의 환형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 각각의 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 각각은 각각 독립적으로 제어가능한 전력 공급부로부터 전력을 공급받도록 전기적접속되는,반도체 기판 프로세싱 시스템. [청구항 21] 제 19 항에 있어서,상기 중앙 플라즈마 발생 마이크로챔버 및 상기 복수의 환형-형상의 플라즈마 발생 마이크로챔버 각각은 각각의 프로세스 가스 공급부로부터 프로세스 가스를 공급받도록 유동적접속되는,반도체 기판 프로세싱 시스템. [청구항 22] 제 18 항에 있어서,상기 다수의 축 배기 구멍은 상기 기판 지지부의 주위 외부의 챔버 내의 주위 배기 구멍에 유동적접속되는,반도체 기판 프로세싱 시스템.